KIA35P10AD场效应管接纳进步前辈的沟槽MOSFET手艺，在机电节制和驱动、电池办理、U...KIA35P10AD场效应管接纳进步前辈的沟槽MOSFET手艺，在机电节制和驱动、电池办理、UPS不中断电源中热销，漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ，RDS（ON）值为32mΩ，供给...
KNB3308B是一款10-16串掩护板公用MOS管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（...KNB3308B是一款10-16串掩护板公用MOS管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（ON）值仅为7.2mΩ，低导通电阻最大限制地削减导电消耗，最小化开关消耗，确保锂电池...
KNB3208A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=1...KNB3208A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，接纳专有新沟槽手艺，超低电阻削减导电消耗，最小化开关消耗；低门电荷、快...
KNB3306B场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流80A，是一款7-10串掩护板公用MOS管...KNB3306B场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流80A，是一款7-10串掩护板公用MOS管，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低导通电阻，最大限制地削减导电消耗，最小化开关消耗；开...
KND3204A场效应管接纳专有新型沟槽手艺，漏源电压40V，漏极电流100A，是锂电池...KND3204A场效应管接纳专有新型沟槽手艺，漏源电压40V，漏极电流100A，是锂电池掩护板公用MOS管，RDS（ON），典范值=VGS=10V时为4mΩ（典范值），极低导通电阻削减...
KND3502A场效应管接纳进步前辈的沟槽手艺，漏源击穿电压20V，漏极电流70A，RDS(on)...KND3502A场效应管接纳进步前辈的沟槽手艺，漏源击穿电压20V，漏极电流70A，RDS(on)=7mΩ(typ.) @ VDS=4.5V，供给出色的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V，具备...
