KNX2804A场效应管接纳专有新型沟槽手艺，漏源击穿电压40V，漏极电流150A，RDS（...KNX2804A场效应管接纳专有新型沟槽手艺，漏源击穿电压40V，漏极电流150A，RDS（ON）=3.0mΩ@VGS=10V，极低的导通电阻RDS，和低栅极电荷最小化开关消耗、疾速规复...
KND3404C场效应管接纳进步前辈的高单位密度沟槽手艺，能够替换80n04型号利用在锂电...KND3404C场效应管接纳进步前辈的高单位密度沟槽手艺，能够替换80n04型号利用在锂电池掩护板、同步降压转换器中；漏源击穿电压40V，漏极电流80A，低导通电阻RDS（ON）=...
KIA100N03场效应管接纳进步前辈立体条纹DMOS手艺出产，漏源击穿电压30V，漏极电流为...KIA100N03场效应管接纳进步前辈立体条纹DMOS手艺出产，漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V，最小化通态电阻，进步效力，在雪崩和整流形式下能承...
KIA50N03A场效应管接纳进步前辈的沟槽工艺手艺，能够替换nce3050k型号利用在锂电池...KIA50N03A场效应管接纳进步前辈的沟槽工艺手艺，能够替换nce3050k型号利用在锂电池掩护板、LED中，漏源击穿电压30V、漏极电流50A，RDS(ON)=6.5mΩ,VGS@10V,Ids@30A，R...
KIA6N70H场效应管能够替换6n70型号利用在高效开关电源、LED驱动、机电驱动中，...KIA6N70H场效应管能够替换6n70型号利用在高效开关电源、LED驱动、机电驱动中，漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V，最大限制地削减导通电...
KIA10N65H场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V，...KIA10N65H场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V，低导通电阻，低栅极电荷(典范48nC)，有用下降开关消耗，晋升效力；具备疾速互换功效...
