KNH9130A接纳专有新立体手艺，是一款逆变器公用MOS管，漏源击穿电压300V，漏极...KNH9130A接纳专有新立体手艺，是一款逆变器公用MOS管，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，RDS（ON）值为100mΩ，低栅极电荷最小化开关消耗，疾速规复体二极管，高效...
KIA3510A是一款逆变器公用MOS管，漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（ON）值...KIA3510A是一款逆变器公用MOS管，漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（ON）值为9mΩ，低导通电阻最大限制地削减导通消耗，最小化开关消耗；低栅极电荷、100%雪崩...
KNX2910B接纳进步前辈的沟槽手艺，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，供给优良的Rd...KNX2910B接纳进步前辈的沟槽手艺，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，供给优良的Rdson，RDS（ON）值为9mΩ，超低导通电阻，最大限制地削减导通消耗，最小化开关消耗；...
KNP2910A场效应管接纳超高密度电池设想，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，RD...KNP2910A场效应管接纳超高密度电池设想，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，RDS（ON）值为5mΩ，超低导通电阻，最大限制地削减导通消耗，最小化开关消耗；100%雪崩...
KNB2808A是一款10串-16串掩护板公用MOS管，漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，R...KNB2808A是一款10串-16串掩护板公用MOS管，漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，RDS（ON）值为4mΩ，极低RDS（ON）和优异栅极电荷，最大限制地削减导通消耗，最小化开...
KIA35P10AD场效应管接纳进步前辈的沟槽MOSFET手艺，在机电节制和驱动、电池办理、U...KIA35P10AD场效应管接纳进步前辈的沟槽MOSFET手艺，在机电节制和驱动、电池办理、UPS不中断电源中热销，漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ，RDS（ON）值为32mΩ，供给...
