锂电池掩护板mos管KIA7P03A是一款高单位密度P沟道MOSFET，漏源电压-30V，漏极电...锂电池掩护板mos管KIA7P03A是一款高单位密度P沟道MOSFET，漏源电压-30V，漏极电流-7.5A，超卓的导通电阻RDS（ON）18mΩ；具备超低的栅极电荷，最小化开关消耗，具...
逆变器场效应管KNF7650A接纳高等立体工艺制作，加固多晶硅栅极布局，可以或许晋升设...逆变器场效应管KNF7650A接纳高等立体工艺制作，加固多晶硅栅极布局，可以或许晋升装备机能，进步体系效力；KNF7650A漏源电压500V，漏极电流25A，RDS（ON）为170mΩ；低...
KNX6650A场效应管接纳专有立体新手艺，漏源电压500V，漏极电流15A，为高压、高...KNX6650A场效应管接纳专有立体新手艺，漏源电压500V，漏极电流15A，为高压、高速功率开关利用而设想，RDS（ON）为0.33Ω；低栅电荷最小开关消耗、疾速规复体二极管...
KNX6450B是一款高压MOS管，漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.35Ω；具...KNX6450B是一款高压MOS管，漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.35Ω；具备疾速切换特征，完成疾速切换电源，削减消耗；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单...
KNX6450A场效应管专为高压、高速功率开关利用设想，在逆变器范畴热销，漏源电压...KNX6450A场效应管专为高压、高速功率开关利用设想，在逆变器范畴热销，漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.40Ω；具备低栅极电荷，最小化开关消耗，不变靠得住...
KNP4540A具备优良的机能和不变性，是一款逆变器公用MOS管，漏源击穿电压400V，...KNP4540A具备优良的机能和不变性，是一款逆变器公用MOS管，漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS（ON）值为0.8Ω，低栅极电荷最小化开关消耗，疾速规复体二极管，符...
