KIA3303C 是一款 30V/90A N 沟道功率 MOSFET，DFN 封装 Rds (on) 低至 2.6mΩ，...KIA3303C 是一款 30V/90A N 沟道功率 MOSFET，DFN 封装 Rds (on) 低至 2.6mΩ，TO-252 封装仅 3.2mΩ，超低导通消耗，撑持疾速开关与高 dv/dt，100% 雪崩测试，适...
KIA4590A专为适配器、充电器、开关电源待电机源设想，900V/6A足额耐压，低导通...KIA4590A专为适配器、充电器、开关电源待电机源设想，900V/6A足额耐压，低导通电阻低消耗，疾速规复体二极管抗搅扰，可间接替代入口同参数型号，KIA半导体官方现货...
KIA半导体官方供给KIA65R420，650V/11A N沟道超结MOSFET，RDS(on)=0.38Ω，TO-...KIA半导体官方供给KIA65R420，650V/11A N沟道超结MOSFET，RDS(on)=0.38Ω，TO-220F封装，低栅极电荷高雪崩耐量，可间接替代入口型号，现货不变供给，供给收费样品...
IA半导体官方供给KIA3508A，80V/70A N沟道MOSFET，笼盖TO-220/TO-263/TO-252全...IA半导体官方供给KIA3508A，80V/70A N沟道MOSFET，笼盖TO-220/TO-263/TO-252全封装，典范导通内阻7.5mΩ，100%雪崩测试，pin to pin兼容入口/国产型号，零改板替代...
KIA 半导体官方供给 KIA4603A，是 30V/7A N 沟道加强型 MOSFET，接纳 SOP-8 封...KIA 半导体官方供给 KIA4603A，是 30V/7A N 沟道加强型 MOSFET，接纳 SOP-8 封装，典范导通电阻低至 14.5mΩ，超低栅极电荷，进步前辈高密度沟槽工艺，优异 CdV/dt 抗...
KCX3650A场效应管漏源电压500V，漏极电流60A，导通电阻RDS（ON）50mΩ，接纳先...KCX3650A场效应管漏源电压500V，漏极电流60A，导通电阻RDS（ON）50mΩ，接纳进步前辈的端接计划来供给加强的电压阻断才能，而不会跟着时候的推移下降机能；坚忍的高压...
