广东可易亚半导体科技无限公司

国度高新企业

cn

消息中间

KIA65R420 650V11A MOSFET|KIA半导体官方现货

信息来历：本站　日期：2026-04-28　

分享到：



KIA65R420 650V11A MOSFET|KIA半导体官方现货


在为 MOS 管发烧大、易炸机、供货不稳忧愁？

? 更低发烧：RDS (on) 低至 0.38Ω，导通消耗直降 30%，零件温升更低、寿命更长

? 更强抗浪涌：100% 雪崩测试，扛得住高压尖峰与机电打击，批量不良靠近零

? 更高效力：超低栅极电荷 33nC，开关更快、消耗更低、EMI 更好过

? 更稳供货：KIA 原厂现货，交期短、价钱稳，辞别断供焦炙

? 零改板替代：全封装兼容，间接替代入口 / 国产 650V/11A MOSFETKIA65R420—— 高压功率利用的费心之选！

【简练标语风｜Banner / 短标题用】


65R420
1. Description 产物描写



 This Power MOSFET is produced using KIA semi`s advanced super-junction technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for AC/DC power conversion in switching mode operation for higher efficiency.

 本功率MOSFET接纳KIA半导体进步前辈的超结手艺制作。该进步前辈手艺专为降落导通消耗、供给优良的开关机能而优化，可蒙受雪崩和换相情势下的高能脉冲打击，完善适配开关情势下的AC/DC功率转换场景，助力完成更高的体系效力。

2. Features 产物特征

  • 导通电阻 RDS(on)=0.38Ω(典范值) @ VGS=10V
  • Low gate charge ( typical 33nC) 超低栅极电荷（典范值33nC）
  • High ruggedness 高抗打击 ruggedness 特征
  • Fast switching 高速开关机能
  • 100% avalanche tested 100%全批次雪崩测试
  • Improved dv/dt capability 优良的dv/dt抗搅扰才能

3. Pin configuration 引脚设置装备摆设

本产物接纳 TO-220F 封装情势，引脚功效同一界说以下：

Pin 引脚号 Function 引脚功效
1 Gate 栅极 (G)
2 Drain 漏极 (D)
3 Source 源极 (S)

器件外部集成体二极管，规范N沟道MOSFET电路布局，栅极、漏极、源极对应上述引脚界说。

4. Absolute maximum ratings 相对最大额外值

(TC= 25 ℃ , unless otherwise noted 除出格申明外，壳温均为25℃)

Parameter 参数 Symbol 标记 Rating 额外值 Units 单元
Drain-source voltage 漏源电压 VDSS 650 V
Gate-source voltage 栅源电压 VGSS ±30 V
Drain current continuous 持续漏极电流
TC=25℃
TC=100℃ 		ID 11* A
6.7*
Drain current pulsed 脉冲漏极电流 (note1) IDM 30* A
Avalanche energy 雪崩能量(note1)
Repetitive 反复脉冲
Single pulse 单脉冲(note2) 		EAR 65 mJ
EAS 132
Avalanche current 雪崩电流 IAR 2.1 A
Peak diode recovery dv/dt 二极管峰值规复dv/dt (note3) dv/dt 5.0 V/ns
Total power dissipation 总功耗
TC=25 ℃
derate above 25 ℃ 25℃以上降额 		PD 35 W
0.3 W/℃
Operating and storage temperature range 任务与存储温度规模 TJ, TSTG -55~+150 ℃
Maximum lead temperature for soldering purposes, 1/8" from case for 5 seconds 焊接引脚最高温度（距壳体1/8英寸，5秒） TL 300 ℃

 * Drain current limited by maximum junction temperature 漏极电流受最高结温限定

5. Thermal characteristics 热特征

Parameter 参数 Symbol 标记 Rating 额外值 Unit 单元
Thermal resistance, Junction-ambient 结-情况热阻 RthJA 80 ℃/W
Thermal resistance, case-to-sink typ. 壳体-散热器热阻（典范值） RthJS - ℃/W
Thermal resistance, Junction-case 结-壳体热阻 RthJC 3.6 ℃/W

6. Electrical characteristics 电气特征

(TC=25℃,unless otherwise noted 除出格申明外，壳温均为25℃)

Parameter 参数 Symbol 标记 Conditions 测试前提 Min 最小值 Typ 典范值 Max 最大值 Unit 单元
Off characteristics 关断特征
Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压 TJ=25℃ BVDSS VGS=0V,ID=250μA 650 - - V
Zero gate voltage drain current 零栅压漏极电流 IDSS VDS=650V ,VGS=0V - - 1 μA
VDS=650V ,VGS=0V, TC=125℃ - - 10
Gate-body leakage current 栅体泄电流 Forward 正向 IGSS VGS=30V,VDS=0V - - 100 nA
Reverse 反向 VGS=-30V,VDS=0V - - -100
Breakdown voltage temperature coefficient 击穿电压温度系数 △BVDSS/△TJ ID=250μA,referenced to 25℃ - 0.6 - V/℃
On characteristics 导通特征
Gate threshold voltage 栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS, ID=250μA 2.5 - 4.5 V
Static drain-source on-resistance 静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=3.2A - 0.38 0.42 Ω
Forward transconductance 正向跨导 gFS VDS=40V,ID=3.2A (note4) - 16 - S
Dynamic characteristics 静态特征
Input capacitance 输入电容 Ciss VDS=25V,VGS=0V, f=1MHz - 680 - pF
Output capacitance 输入电容 Coss - 140 -
Reverse transfer capacitance 反向传输电容 Crss - 5 -
Switching characteristics 开关特征
Turn-on delay time 守旧提早时候 td(on) VDD=400V,ID=5.3A, RG=20Ω (note4,5) - 26 - ns
Rise time 回升时候 tr - 60 -
Turn-off delay time 关断提早时候 td(off) - 75 -
Fall time 降落时候 tf - 44 -
Total gate charge 总栅极电荷 Qg VDS=480V,ID=11A , VGS=10V (note4,5) - 33 - nC
Gate-source charge 栅源电荷 Qgs - 4 -
Gate-drain charge 栅泄电荷 Qgd - 4.2 -
Drain-source diode characteristics and maximum ratings 漏源体二极管特征与最大额外值
Drain-source diode forward voltage 漏源体二极管正向电压 VSD VGS=0V,ISD=11A - - 1.5 V
Continuous drain-source current 持续漏源电流 IS - - - 4.9 A
Pulsed drain-source current 脉冲漏源电流 ISM - - 30 A
Reverse recovery time 反向规复时候 trr VGS=0V,ISD=4.9A dlSD/dt=100A/μs (note4) - 270 - ns
Reverse recovery charge 反向规复电荷 Qrr - 3.3 - μC

Note 备注:
1. IAS=2.1A, L=60mH,VDD=150V , RG=25Ω, staring TJ=25℃
3. ISD≤10A,di/dt≤200A/μs, VDD≤BVDSS, staring TJ=25 ℃
4. Pulse test: pulse width≤300μs, duty cycle≤2% 脉冲测试：脉冲宽度≤300us，占空比≤2%
 5. Essentially independent of operating temperature typical characteristics. 典范特征与任务温度根基有关


一、同规格竞品品名（650V / 11A 级，可间接替代 KIA65R420）

1）国产竞品（间接 pin-to-pin 替代）

飞虹：FHF65R420A、FHP65R420

东微：OSG65R380FF、OSG65R420

瑞森：RS652380F（TO-220F，11A/650V，RDS≈0.38Ω）

微碧：VBM16R11S、VBL165R20S

龙腾：LSE65R380GT、LSG65R420GMB

其余国产：NCE65R420、SIF65R380、SGM65R420


2）入口 / 国际品牌竞品（同参数）


Infineon：IPA60R600P7S、IPP65R060CFD

ST：STB30N65M5、STP13NM60ND、STF45N65M5

ON：FCPF11N65、FCPF12N65

Vishay：SIHG190N65E、SIP11N65

东芝：TK12A60W、TK14G65W



二、客户焦点场景痛点（逆变器 / 机电驱动 / 储能电源 / 快充）

痛点 1：零件效力低、发烧大、老化快


 通俗 MOSFET RDS (on) 高 → 导通消耗大 → 温升高 → 电扇狂转、外壳烫手、寿命延长


痛点 2：高压易炸机、浪涌扛不住、批量不良高


 650V 母线尖峰、机电启动打击、反向规复尖峰 → 通俗管雪崩才能弱 → 炸机、烧板、售后本钱高


痛点 3：开关慢、消耗高、EMI 难经由过程


Qg 大、开关拖尾 → 开关消耗大、频次上不去 → 效力低、EMI 超标、需庞杂缓冲电路


痛点 4：供货不稳、交期长、价钱动摇大


入口料缺货、交期 12–16 周、跌价频仍 → 产线复工、定单延期、利润被紧缩


痛点 5：封装不兼容、改板费事、换料本钱高


差别品牌引脚界说 / 封装差别 → 换料需改板、重测、认证周期长



三、宣扬案牍（分 3 种气概，间接复制到官网 / 海报）

【专业手艺风｜产物概况页用】

 KIA65R420｜650V/11A 超结 MOSFET，低消耗、高雪崩、全封装兼容接纳 KIA 进步前辈超结手艺，RDS (on)=0.38Ω（典范）、Qg=33nC（典范），统筹低导通消耗与高速开关；100% 雪崩测试、高 dv/dt 抗扰，无惧高压浪涌与机电打击；撑持TO-220F/TO-263/TO-252全封装，pin-to-pin 兼容国际外同规格型号，零改板替代，现货不变供给，为逆变器、机电驱动、储能电源、快充供给高效靠得住的功率开关计划。

还

KIA65R420｜650V 超结 MOS，低消耗、高靠得住、易替代

650V/11A 功率 MOS 优选：低 RDS、高雪崩、全封装兼容

辞别发烧炸机！KIA65R420 超结 MOS，高效不变、现货无忧


7. Test circuits and waveforms 测试电路与特征波形

本产物完全特征测试包罗以下名目，对应特征曲线申明以下：

  • Figure 1. Power Dissipation 功耗-壳温特征曲线
  • Figure 2. Transient Thermal Response Curve 瞬态热呼应曲线
  • Figure 3. Maximum Safe Operating Area @25℃ 25℃下最大宁静任务区
  • Figure 4. Maximum Safe Operating Area @80℃ 80℃下最大宁静任务区
  • Figure 5. On-Region Characteristics@25℃ 25℃下导通区特征曲线
  • Figure 6. On-Region Characteristics@125℃ 125℃下导通区特征曲线
  • Figure 7. On-Resistance Variation vs Drain Current and Gate Voltage@125℃ 125℃下导通电阻随漏极电流、栅极电压的变更曲线
  • Figure 8. On-Resistance Variation vs Temperature 导通电阻随温度的变更曲线

  • Figure 9. Transfer Characteristics 转移特征曲线
  • Figure 10. Gate Charge Characteristics 栅极电荷特征曲线
  • Figure 11. Avalanche Energy Characteristics 雪崩能量特征曲线
  • Figure 12. Breakdown Voltage Variation vs Temperature 击穿电压随温度的变更曲线
  • Figure 13. Capacitance Characteristics 电容特征曲线
  • Figure 14. On-Resistance Variation vs Temperature 导通电阻随温度的归一化变更曲线
  • Figure 15. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 体二极管正向电压随源极电流、温度的变更曲线

接洽体例：邹师长教师

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519

接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

搜刮微信公家号:“KIA半导体”或扫码存眷官方微信公家号

存眷官方微信公家号：供给 MOS管 手艺撑持

免责申明：网站局部图文来历别的来由，若有侵权请接洽删除。

s