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KIA4590A 900V6A MOS管|适配器充电器公用现货

信息来历：本站　日期：2026-04-29　

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KIA4590A 900V6A MOS管|适配器充电器公用现货


一、KIA4590A 完全替换竞品清单（900V/6A/TO-220/TO-220F）

1. 国际品牌间接替换（Pin to Pin 兼容）

英飞凌：FQP6N90C、FQA6N90C

意法 ST：STP6NK90Z、STP6NK90ZFP、STB6NK90ZT4

ON 安森美：NDF6N90、NTGF6N90

Vishay 威世：SUP6N90、SIHP6N90

东芝：TK6A90E、2SK4005

2. 国产物牌同参数替换

新洁能：NCE690F、NCE6N90

华润微：CR6N90、CRS6N90

士兰微：SVT6N90、SL6N90

微碧：VBM6N90、VBL6N90

东微 / 瑞森 / 飞虹：OSG6N90、RS6N90、FHP6N90



KIA4590A 900V/6A 高压 MOS 管｜适配器 / 充电器 / 待电机源公用 零改板替换

还在为高压电源炸管、发烧大、效力不达标、供货不稳忧愁？KIA4590A 专为适配器、充电器、

开关电源待电机源打造，900V 高耐压 + 6A 大电流 + 1.6Ω 低内阻 + 疾速规复体二极管，完善处理小功率高压电源的四大焦点痛点：

1. 适配器 / 充电器场景（最焦点）

痛点：高压尖峰击穿、发烧严峻、温升超标、体积受限

? 900V 足额耐压：无惧 AC-DC 母线高压尖峰，根绝炸管击穿

? 1.6Ω 低导通电阻：导通消耗更低，温升降落较着，散热更轻松

? 疾速规复体二极管：反向规复清洁，EMI 更好过，无需额外缓冲电路

? TO-220F 绝缘封装：宁静不短路，小体积电源也能安心用

2. 开关电源 / 待电机源场景

痛点：待机消耗高、效力低、持久任务不不变

? 超低栅极电荷 Qg=38nC：开关消耗小，零件效力晋升更较着

? 低泄电流 I_DSS≤1μA：待机功耗更低，轻松知足六级能效

? 150℃宽温不变：7×24 小时持续任务不衰减，靠得住性拉满

? RoHS 无铅环保：环球认证齐备，出口产物无忧

3. 替换进级场景（客户最关怀）

痛点：入口贵、交期长、国产参数虚标、分歧性差

? Pin to Pin 完善兼容：间接替换 FQP6N90/STP6NK90Z 等，零改板、零重测

? 参数实打实不虚标：RDS (on)=1.6Ω 典范值，6A 持续电流足额不虚标

? 全批次品控不变：分歧性好，量产不翻车，售后本钱大幅降落

? 现货不变 + 性价比高：辞别入口断供跌价，本钱直降 30%+

三、冗长营销标语（海报 / Banner 用）

KIA4590A｜900V 高压 MOS 管，适配器 / 充电器稳用之选

不炸管、低发烧、高效力｜KIA4590A 高压电源公用 MOS

900V/6A 足额参数，间接替换入口，零改板更费心

小功率高压电源优选：耐压足、消耗低、供货稳

KIA4590A


KNF4590A

1. Features 产物特征

  • 漏源导通电阻 RDS(ON)=1.6Ω(典范值) @ VGS=10V
  • RoHS Compliant 合适RoHS环保指令，无铅环保
  • Low Gate Charge Minimize Switching Loss 低栅极电荷，有用降落开关消耗
  • Fast Recovery Body Diode 内置疾速规复体二极管

2. Applications 利用处景

  • Adaptor 适配器
  • Charger 充电器
  • SMPS Standby Power 开关电源待电机源

3. Symbol 标记与引脚设置装备摆设

本产物供给两种封装情势：TO-220、TO-220F，引脚功效同一界说以下：

Pin 引脚号 Function 引脚功效
1 Gate 栅极 (G)
2 Drain 漏极 (D)
3 Source 源极 (S)


 器件外部集成体二极管，规范N沟道MOSFET电路布局，撑持惯例开关电源、适配器等电路利用。

KIA4590A

4. Ordering Information 订购信息

Part Number 产物型号 Package 封装情势 Brand 品牌
KNF4590A TO-220F KIA
KNP4590A TO-220 KIA

5. Absolute maximum ratings 相对最大额外值

(TC=25℃ unless otherwise noted 除出格申明外，壳温均为25℃)

Parameter 参数 Symbol 标记 Rating 额外值 Units 单元
TO-220F TO-220
Drain-source voltage 漏源电压 VDSS 900 V
Gate-to-Source Voltage 栅源电压 VGSS ±30 V
Continuous drain current 持续漏极电流 ID 6 A
Pulsed Drain Current at VGS=10V 脉冲漏极电流 IDM 24 A
Single pulse avalanche energy 单脉冲雪崩能量 EAS 700 mJ
Power dissipation 功耗 TC=25℃ PD 45 120 W
Derate above 25℃ 25℃以上降额 0.29 0.96 W/℃
Soldering Temperature (Distance of 1.6mm from case for 10 seconds) 焊接温度（距壳体1.6mm，10秒） TL 300 ℃
Operating junction and storage temperature range 任务与存储温度规模 TJ,TSTG -55 to 150 ℃

 Caution: Stresses greater than those listed in the "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device. 注重：跨越上述相对最大额外值能够致使器件永远破坏。

6. Thermal characteristics 热特征

Parameter 参数 Symbol 标记 Rating 额外值 Unit 单元
TO-220F TO-220
Thermal resistance junction-case 结-壳体热阻 RθJC 2.78 1.04 ℃/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 结-情况热阻 RθJA 100 62 ℃/W

7. Electrical characteristics 电气特征

(TJ=25℃ unless otherwise noted 除出格申明外，结温均为25℃)

Parameter 参数 Symbol 标记 Test Conditions 测试前提 Min 最小值 Typ 典范值 Max 最大值 Units 单元
Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 900 - - V
Drain-source leakage current 漏源泄电流 IDSS VDS=900V, VGS=0V - - 1 uA
VDS=720V, TJ=125℃ - - 100 uA
Gate-source forward leakage 栅源正向泄电流 IGSS VGS=±30V, VDS=0V - - ±100 nA
Drain-source on-resistance 漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=3A - 1.6 2.0 Ω
Gate threshold voltage 栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 3.0 - 5.0 V
Forward Transconductance 正向跨导 gfs VDS=15V, ID=3A - 8.0 - S
Input capacitance 输入电容 Ciss VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz - 1462 - pF
Reverse transfer capacitance 反向传输电容 Crss - 24 -
Output capacitance 输入电容 Coss - 132 -
Total gate charge(10V) 总栅极电荷 Qg VDD=450V, ID=6A, VGS=0~10V - 38 - nC
Gate-source charge 栅源电荷 Qgs - 8.1 -
Gate-drain charge 栅泄电荷 Qgd - 15 -
Turn-on delay time 守旧提早时候 td(on) VDD=450V, VGS=10V, RG=9.1Ω, ID=6A - 23 - ns
Rise time 回升时候 tr - 46 -
Turn-off delay time 关断提早时候 td(off) - 32 -
Fall time 降落时候 tf - 38 -
Continuous Source Current 持续源极电流 ISD Integral PN-diode in MOSFET - - 6 A
Pulsed Source Current 脉冲源极电流 ISM - - 24 A
Diode forward voltage 二极管正向电压 VSD IS=6A, VGS=0V - - 1.5 V
Reverse Recovery Time 反向规复时候 trr VGS=0V, IS=IS, dlF/dt=100A/μs - - 390 nS
Reverse Recovery Charge 反向规复电荷 Qrr - 1.4 - nC

Note 备注:
1) TJ=+25℃ to +150℃
 2) Pulse width≤380us; duty cycles≤2% 脉冲测试：脉冲宽度≤380us，占空比≤2%

8. Typical operating characteristics 典范任务特征

本产物完全特征测试包罗以下名目，对应特征曲线申明以下：

  • Figure 1. Maximum Safe Operating Area 最大宁静任务区曲线
  • Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 持续漏极电流随壳温变更曲线
  • Figure 3.1. Maximum Power Dissipation vs Case Temperature (TO-220F) TO-220F功耗随壳温变更曲线
  • Figure 3.2. Max. Power Dissipation vs Case Temperature (TO-220) TO-220功耗随壳温变更曲线
  • Figure 4. Typical Output Characteristics 典范输入特征曲线
  • Figure 5. Maximum Transient Thermal Impedance 最大瞬态热阻抗曲线
  • Figure 6. Peak Current Capability 峰值电流才能曲线
  • Figure 7. Typical Transfer Characteristics 典范转移特征曲线
  • Figure 8. Typical Drain to Source ON Resistance vs Gate Voltage and Drain Current 导通电阻随栅极电压、漏极电流变更曲线
  • Figure 9. Typical Drain to Source ON Resistance vs Drain Current 导通电阻随漏极电流变更曲线
  • Figure 10. Typical Drain to Source ON Resistance vs Junction Temperature 导通电阻随结温变更曲线
  • Figure 11. Typical Threshold Voltage vs Junction Temperature 阈值电压随结温变更曲线
  • Figure 12. Typical Breakdown Voltage vs Junction Temperature 击穿电压随结温变更曲线
  • Figure 13. Capacitance vs Vds 电容随漏源电压变更曲线
  • Figure 14. Typical Gate Charge vs Gate to Source Voltage 栅极电荷随栅源电压变更曲线
  • Figure 15. Typical Body Diode Transfer Characteristics 体二极管转移特征曲线
  • Figure 16. Unclamped Inductive Switching Capability 无钳位理性开关才能曲线

9. Test Circuits and Waveforms 测试电路与波形

本产物完全测试电路与波形包罗以下名目：

  • Fig.1.1 Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit 二极管反向规复dv/dt测试电路
  • Fig.1.2 Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms 二极管反向规复dv/dt测试波形
  • Fig.2.1 Switching Test Circuit 开关特征测试电路
  • Fig.2.2 Switching Waveforms 开关特征测试波形
  • Fig.3.1 Gate Charge Test Circuit 栅极电荷测试电路
  • Fig.3.2 Gate Charge Waveform 栅极电荷测试波形
  • Fig.4.1 Unclamped Inductive Switching Test Circuit 无钳位理性开关测试电路
  • Fig.4.2 Unclamped Inductive Switching Waveforms 无钳位理性开关测试波形


接洽体例：邹师长教师

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519

接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

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