还在为 MOS 管发烧大、效力低忧愁?KIA9435 接纳 50mΩ 超低内阻设想,-30V/5....还在为 MOS 管发烧大、效力低忧愁?KIA9435 接纳 50mΩ 超低内阻设想,-30V/5.3A 电流规格,SOP-8 封装,低消耗高效力,是电源办理、负载开关的优选。
KNY2904A 是 40V/130A 高机能 N 沟道 MOSFET,DFN5×6 封装,Rds (on) 低至 2....KNY2904A 是 40V/130A 高机能 N 沟道 MOSFET,DFN5×6 封装,Rds (on) 低至 2.0mΩ,低消耗高效力,专为电源办理、快充、机电驱动设想,可间接替换 AO4403/SI4403...
KPE4403A2 双P沟道MOSFET,-30V耐压/-5A电流,SOP-8封装,典范Rds(on)=42mΩ,...KPE4403A2 双P沟道MOSFET,-30V耐压/-5A电流,SOP-8封装,典范Rds(on)=42mΩ,低栅极电荷、开关速率快,可间接替换AO4403/SI4403,合用于同步降压、电源办理,现货...
KND3080B N沟道MOSFET,30V耐压80A大电流,TO-252封装,典范Rds(on)仅4.1mΩ,...KND3080B N沟道MOSFET,30V耐压80A大电流,TO-252封装,典范Rds(on)仅4.1mΩ,低栅极电荷、开关速率快,可间接替换入口同规格型号,普遍用于电源办理、负载开关、...
KNX6165A 650V/10A N 沟道 MOSFET,TO-220/TO-220F 封装,Rds (on) 仅 0.7Ω,...KNX6165A 650V/10A N 沟道 MOSFET,TO-220/TO-220F 封装,Rds (on) 仅 0.7Ω,处理高压电源易烧管、发烧大、效力高等痛点,高雪崩抗打击,适配 PFC、LED 驱动、逆...
KIA7115A 是 TO-252 封装 P 沟道 MOS 管,耐压 - 150V、电流 - 20A,导通内阻仅...KIA7115A 是 TO-252 封装 P 沟道 MOS 管,耐压 - 150V、电流 - 20A,导通内阻仅 153mΩ,处理电路发烧大、易击穿、开关不稳等痛点。低栅极电荷、高雪崩抗打击,工...