广东可易亚半导体科技无限公司

国度高新企业

cn

消息中间

KPE4403A2 双 P 沟道 MOSFET 30V/5A

信息来历：本站　日期：2026-05-11　

分享到：

KPE4403A2 双 P 沟道 MOSFET 30V/5A

SOP-8 封装 42mΩ 低阻 可间接替代 AO4403/SI4403

双P沟道功率MOSFET 产物参数表

KPE4403A2

一、产物焦点信息

名目 参数概况
产物型号 KPE4403A2
产物范例 双P沟道沟槽工艺MOSFET
品牌 KIA (KMOS Semiconductor)
焦点规格 -30V / -5.0A 双P沟道MOSFET
焦点特色 ? 低导通电阻：RDS(ON)=42mΩ(典范值 @ VGS=-10V)
? 超低栅极电荷（Super low gate charge）
? 优良的Cdv/dt机能（Excellent Cdv/dt effect decline）
? 高密度沟槽工艺，知足RoHS环保请求
典范利用 ? 同步降压转换器（Synchronous buck converter）
? 电源办理电路
? 负载开关与电池掩护利用

二、引脚界说（SOP-8封装）

引脚号 功效界说
1 S1（源极1）
2 G1（栅极1）
3 S2（源极2）
4 G2（栅极2）
5 D2（漏极2）
6 D2（漏极2）
7 D1（漏极1）
8 D1（漏极1）

KPE4403A2 双P沟道功率MOSFET 产物先容

KPE4403A2

 KPE4403A2 是一款接纳进步前辈沟槽工艺制作的**双P沟道加强型功率MOSFET**，专为高压电源办理、同步降压、负载开关等高精度利用设想。产物具有超低导通电阻、超低栅极电荷、优良的抗搅扰特征，完整知足RoHS环保请求。

 耐压 -30V，持续漏极电流 -5.0A，典范导通电阻仅 42mΩ@VGS=-10V，开关速率快、消耗极低，普遍利用于电源办理、电池掩护、同步降压转换器、负载开关等高靠得住性场景，SOP-8规范封装可间接兼容支流设想计划。

 KPE4403A2 可间接替代国际/国际同规格竞品，完成机能进级与本钱优化，是高压P沟道MOS管范畴的高性价比优选计划。

焦点上风

  • -30V 耐压 / -5.0A 大电流，双P沟道布局，单芯片集成
  • 超低导通电阻：42mΩ（典范值@VGS=-10V），体系消耗更低
  • 超低栅极电荷，疾速开关速率，高频利用更稳定
  • 优良 Cdv/dt 抗搅扰机能，晋升体系靠得住性
  • SOP-8 规范封装，引脚兼容，可间接替代竞品
  • 任务温度 -55℃~150℃，知足产业级利用请求
  • 合适RoHS环保规范，无铅绿色器件

典范利用

  • 同步降压转换器（Synchronous Buck）
  • 电源办理模块 / 负载开关
  • 电池掩护板 / 锂电办理体系
  • 便携式装备电源节制
  • 小功率机电驱动 / 电磁阀节制
  • 产业节制、花费电子、仪表电源

KPE4403A2 行业竞品型号对照

品牌 竞品型号 规格 封装 替代干系
KIA KPE4403A2 -30V/-5A 双P SOP-8 规范型号
AO AO4403 -30V/-6A 双P SOP-8 间接替代
ON NDS3403 -30V/-4.6A 双P SOP-8 间接替代
VISHAY SI4403 -30V/-5.7A 双P SOP-8 间接替代
新洁能 NCE4403 -30V/-5.8A 双P SOP-8 间接替代
韦尔 WSD4403 -30V/-5A 双P SOP-8 间接替代
富鼎 APM4403 -30V/-5A 双P SOP-8 间接替代
长电 CJ4403 -30V/-5A 双P SOP-8 间接替代
华瑞 CRS4403 -30V/-5A 双P SOP-8 间接替代

KPE4403A2 VS 支流竞品 关头参数对照

型号 VDS
(V) 		ID
(A) 		RDS(ON)
mΩ@-10V 		封装 上风
KPE4403A2 -30 -5.0 42(典范) SOP-8 低阻、低电荷、性价比高
AO4403 -30 -6.0 48 SOP-8 电阻更高
SI4403 -30 -5.7 45 SOP-8 电阻略高
NCE4403 -30 -5.8 46 SOP-8 电阻略高
NDS3403 -30 -4.6 50 SOP-8 电流小、电阻高

三、相对最大额外值

参数称号 标记 额外值 单元 备注
漏源电压 VDS -30 V -
栅源电压 VGS ±20 V -
持续漏极电流 ID -5.0 A Tc=25℃, VGS@-10V
持续漏极电流 ID -3.9 A Tc=70℃, VGS@-10V
脉冲漏极电流 IDM -25 A -
单脉冲雪崩能量 EAS 18.1 mJ -
雪崩电流 IAS -19 A -
总功耗 PD 1.5 W TA=25℃
任务/存储温度规模 TJ, TSTG -55 ~ 150 ℃ -
结到情况热阻 RθJA 85 ℃/W -
结到壳热阻 RθJC 25 ℃/W -

四、电气特征（TJ=25℃，除非还有申明）

参数称号 标记 测试前提 最小值 典范值 最大值 单元
漏源击穿电压 BVOSS VGS=0V, ID=-250uA -30 - - V
击穿电压温度系数 ΔBVOSS/ΔTJ Reference to 25℃, ID=-1mA - -0.023 - V/℃
漏源泄电流 IDSS VDS=-24V, VGS=0V, TJ=25℃ - - 1 μA
漏源泄电流 IDSS VDS=-24V, VGS=0V, TJ=55℃ - - 5 μA
栅源泄电流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS, ID=-250uA -1.2 - -2.5 V
阈值电压温度系数 ΔVGS(th) VDS=VGS, ID=-250uA - 4 - mV/℃
静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=-10V, ID=-4A - 42 55 mΩ
静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=-4.5V, ID=-3A - 64 78 mΩ
正向跨导 gFS VDS=-5V, ID=-4A - 10 - S
总栅极电荷 Qg VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-4A - 6.5 - nC
栅源电荷 Qgs VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-4A - 2.2 - nC
栅泄电荷 Qgd VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-4A - 2 - nC
开启提早时候 td(on) VDD=-15V, RG=3.3Ω, VGS=-10V, ID=-4A - 2.7 - ns
回升时候 tr VDD=-15V, RG=3.3Ω, VGS=-10V, ID=-4A - 8.6 - ns
关断提早时候 td(off) VDD=-15V, RG=3.3Ω, VGS=-10V, ID=-4A - 40 - ns
降落时候 tf VDD=-15V, RG=3.3Ω, VGS=-10V, ID=-4A - 5 - ns
输入电容 Ciss VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz - 580 - pF
输入电容 Coss VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz - 95 - pF
反向传输电容 Crss VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz - 80 - pF
持续源极电流 Is VG=VD=0V, Force current - - -5.0 A
脉冲源极电流 IsM VG=VD=0V, Force current - - -25 A
二极管正向电压 VSD VGS=0V, Is=-1A, TJ=25℃ - - -1.3 V
反向规复时候 trr IF=-4A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ - 7.5 - ns
反向规复电荷 Qrr IF=-4A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ - 2.6 - nC



接洽体例：邹师长教师

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）

接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KPE4403A2

搜刮微信公家号:“KIA半导体”或扫码存眷官方微信公家号

存眷官方微信公家号：供给 MOS管 手艺撑持

免责申明：网站局部图文来历别的来由，若有侵权请接洽删除。


s