KNY2904A 40V130A N 沟道 MOSFET
信息来历：本站 日期：2026-05-11
| 名目 | 参数概况 |
|---|---|
| 产物型号 | 2904A系列（KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A） |
| 产物范例 | N沟道加强型功率MOSFET |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 焦点规格 | 40V / 130A N沟道MOSFET |
| 封装情势 | DFN5*6 / TO-252 / TO-263 / TO-220 |
| 焦点特色 |
? 极低导通电阻： DFN5*6：RDS(ON)=2.0mΩ(典范值 @ VGS=10V) TO-252/TO-263/TO-220：RDS(ON)=2.5mΩ(典范值 @ VGS=10V) ? 低反向传输电容（Low Crss） ? 疾速开关特征（Fast switching） ? 100%雪崩测试（100% avalanche tested） ? 改良的抗dv/dt搅扰才能 |
| 典范利用 |
? PWM利用电路 ? 负载开关（Load Switch） ? 电源办理（Power Management） |
| 名目 | 参数概况 |
|---|---|
| 产物型号 | 2904A系列（KNY2904A/KND2904A/KNB2904A/KNP2904A） |
| 产物范例 | N沟道加强型功率MOSFET |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 焦点规格 | 40V / 130A N沟道MOSFET |
| 封装情势 | DFN5*6 / TO-252 / TO-263 / TO-220 |
| 焦点特色 |
? 极低导通电阻： DFN5*6：RDS(ON)=2.0mΩ(典范值 @ VGS=10V) TO-252/TO-263/TO-220：RDS(ON)=2.5mΩ(典范值 @ VGS=10V) ? 低反向传输电容（Low Crss） ? 疾速开关特征（Fast switching） ? 100%雪崩测试（100% avalanche tested） ? 改良的抗dv/dt搅扰才能 |
| 典范利用 |
? PWM利用电路 ? 负载开关（Load Switch） ? 电源办理（Power Management） |
产物简介：KNY2904A是一款DFN5×6封装、40V/130A高机能N沟道MOSFET，具有超低导通电阻、疾速开关、低功耗、高雪崩才能等上风，专为电源办理、机电驱动、负载开关、能源电池、快充等场景设想，可完善替换国际/国产同规格竞品，性价比与靠得住性行业抢先。
焦点上风：超低Rds(on)=2.0mΩ@VGS=10V，低栅极电荷，低消耗高效力，DFN5×6小体积高散热，100%雪崩测试，抗搅扰才能强，任务温度-55~150℃，知足产业级、车规级利用情况。
利用处景：同步整流电源、能源电池掩护板、快充和谈芯片、机电驱动模块、负载开关、PWM节制器、便携式电源、产业节制装备。
| 竞品范例 | 竞品型号 |
|---|---|
| 国际品牌 | AO4403、SI4403、AO4404、SI4404、NTD4960、CSD16402 |
| 国产替换 | NCE4403、WSD40P13、AP4403、HY4403、IRLMS4403、SM4403 |
| 同规格对标 | KNB2904A、KND2904A、KNP2904A、2904A全系列 |
| 参数 | KNY2904A | AO4403 | SI4403 | NCE4403 |
|---|---|---|---|---|
| 范例 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| VDS | 40V | 30V | 30V | 30V |
| ID | 130A | 5.5A | 6.1A | 5.7A |
| Rds(on) | 2.0mΩ | 42mΩ | 40mΩ | 42mΩ |
| 封装 | DFN5×6 | SOP-8 | SOP-8 | SOP-8 |
| 上风 | 耐压更高、电流更大、电阻更低、体积更小、机能周全抢先 | 惯例通用 | 惯例通用 | 惯例通用 |
| 参数名目 | 规格值 |
|---|---|
| 产物型号 | KNY2904A |
| 通道范例 | N沟道加强型 |
| 漏源电压 VDS | 40V |
| 持续漏极电流 ID | 130A @25℃ |
| 导通电阻 RDS(ON) | 2.0mΩ @VGS=10V |
| 栅极阈值电压 | 1.0~2.3V |
| 封装情势 | DFN5×6 |
| 任务温度 | -55℃ ~ +150℃ |
| 电源办理模块 | 能源电池掩护板 |
| 快充/适配器 | 机电驱动节制 |
| 负载开关 | PWM逆变电路 |
| 产业节制装备 | 便携式电子装备 |
| 封装 | 引脚号 | 功效界说 |
|---|---|---|
| DFN5*6 | 4 | Gate（栅极） |
| DFN5*6 | 5,6,7,8 | Drain（漏极） |
| DFN5*6 | 1,2,3 | Source（源极） |
| TO-252/TO-263/TO-220 | 1 | Gate（栅极） |
| TO-252/TO-263/TO-220 | 2 | Drain（漏极） |
| TO-252/TO-263/TO-220 | 3 | Source（源极） |
| 产物型号 | 封装情势 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNY2904A | DFN5*6 | KIA |
| KND2904A | TO-252 | KIA |
| KNB2904A | TO-263 | KIA |
| KNP2904A | TO-220 | KIA |
| 参数称号 | 标记 | 额外值 | 单元 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 40 | V | - |
| 栅源电压 | VGSS | ±20 | V | - |
| 持续漏极电流 | ID | 130 | A | Tc=25℃ |
| 持续漏极电流 | ID | 84 | A | Tc=100℃ |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 400 | A | VGS=10V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 250 | mJ | - |
| 总功耗 | PD | 54 | W | DFN5*6, Tc=25℃ |
| 总功耗 | PD | 130 | W | TO-252, Tc=25℃ |
| 总功耗 | PD | 328 | W | TO-263/TO-220, Tc=25℃ |
| 引脚最高焊接温度 | TL | 300 | ℃ | 1/8" from case for 5 seconds |
| 任务/存储温度规模 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ | - |
| 参数称号 | 标记 | 封装 | 典范值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 结到壳热阻 | RθJC | DFN5*6 | 2.3 | ℃/W |
| 结到壳热阻 | RθJC | TO-252 | 0.96 | ℃/W |
| 结到壳热阻 | RθJC | TO-263/TO-220 | 0.38 | ℃/W |
| 参数称号 | 标记 | 测试前提 | 最小值 | 典范值 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=40V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源正向泄电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.3 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A, DFN5*6 | - | 2.0 | 2.7 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A, 其余封装 | - | 2.5 | 3.2 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=15A, DFN5*6 | - | 2.6 | 3.5 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=15A, 其余封装 | - | 3.1 | 4.2 | mΩ |
| 栅极串连电阻 | RG | f=1MHz | - | 1.3 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 6260 | - | pF |
| 输入电容 | Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 580 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 570 | - | pF |
| 开启提早时候 | td(on) | VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ | - | 18 | - | ns |
| 回升时候 | tr | VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ | - | 20 | - | ns |
| 关断提早时候 | td(off) | VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ | - | 50 | - | ns |
| 降落时候 | tf | VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ | - | 16 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=15V, ID=20A, VGS=10V | - | 135 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=15V, ID=20A, VGS=10V | 30 | - | - | nC |
| 栅泄电荷 | Qgd | VDS=15V, ID=20A, VGS=10V | - | 19 | - | nC |
| 持续源极电流（二极管正向） | IS | - | - | - | 130 | A |
| 脉冲源极电流（二极管正向） | ISM | - | - | - | 400 | A |
| 漏源二极管正向电压 | VSD | ISD=20A, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 封装 | 引脚号 | 功效界说 |
|---|---|---|
| DFN5*6 | 4 | Gate（栅极） |
| DFN5*6 | 5,6,7,8 | Drain（漏极） |
| DFN5*6 | 1,2,3 | Source（源极） |
| TO-252/TO-263/TO-220 | 1 | Gate（栅极） |
| TO-252/TO-263/TO-220 | 2 | Drain（漏极） |
| TO-252/TO-263/TO-220 | 3 | Source（源极） |
| 产物型号 | 封装情势 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNY2904A | DFN5*6 | KIA |
| KND2904A | TO-252 | KIA |
| KNB2904A | TO-263 | KIA |
| KNP2904A | TO-220 | KIA |
| 参数称号 | 标记 | 额外值 | 单元 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 40 | V | - |
| 栅源电压 | VGSS | ±20 | V | - |
| 持续漏极电流 | ID | 130 | A | Tc=25℃ |
| 持续漏极电流 | ID | 84 | A | Tc=100℃ |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 400 | A | VGS=10V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 250 | mJ | - |
| 总功耗 | PD | 54 | W | DFN5*6, Tc=25℃ |
| 总功耗 | PD | 130 | W | TO-252, Tc=25℃ |
| 总功耗 | PD | 328 | W | TO-263/TO-220, Tc=25℃ |
| 引脚最高焊接温度 | TL | 300 | ℃ | 1/8" from case for 5 seconds |
| 任务/存储温度规模 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ | - |
| 参数称号 | 标记 | 封装 | 典范值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 结到壳热阻 | RθJC | DFN5*6 | 2.3 | ℃/W |
| 结到壳热阻 | RθJC | TO-252 | 0.96 | ℃/W |
| 结到壳热阻 | RθJC | TO-263/TO-220 | 0.38 | ℃/W |
| 参数称号 | 标记 | 测试前提 | 最小值 | 典范值 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=40V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源正向泄电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.3 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A, DFN5*6 | - | 2.0 | 2.7 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A, 其余封装 | - | 2.5 | 3.2 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=15A, DFN5*6 | - | 2.6 | 3.5 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=15A, 其余封装 | - | 3.1 | 4.2 | mΩ |
| 栅极串连电阻 | RG | f=1MHz | - | 1.3 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 6260 | - | pF |
| 输入电容 | Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 580 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 570 | - | pF |
| 开启提早时候 | td(on) | VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ | - | 18 | - | ns |
| 回升时候 | tr | VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ | - | 20 | - | ns |
| 关断提早时候 | td(off) | VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ | - | 50 | - | ns |
| 降落时候 | tf | VGS=10V, VDS=20V, RL=3Ω, ID=10A, TJ=25℃ | - | 16 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=15V, ID=20A, VGS=10V | - | 135 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=15V, ID=20A, VGS=10V | 30 | - | - | nC |
| 栅泄电荷 | Qgd | VDS=15V, ID=20A, VGS=10V | - | 19 | - | nC |
| 持续源极电流（二极管正向） | IS | - | - | - | 130 | A |
| 脉冲源极电流（二极管正向） | ISM | - | - | - | 400 | A |
| 漏源二极管正向电压 | VSD | ISD=20A, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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