KND3080B 30V80A N 沟道 MOSFET 低阻高效力
信息来历：本站 日期：2026-05-11
| 参数称号 | 标记 | 测试前提 | 最小值 | 典范值 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源泄电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.0 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=15A | - | 4.1 | 6 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=10A | - | 7.0 | 10 | mΩ |
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 5.8 | - | Ω |
| 正向跨导 | gfs | VDS=5V, ID=20A | - | 25 | - | S |
| 输出电容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1510 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 200 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 180 | - | pF |
| 开启提早时候 | td(on) | VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A | - | 9 | - | ns |
| 回升时候 | tr | VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A | - | 40 | - | ns |
| 关断提早时候 | td(off) | VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A | - | 90 | - | ns |
| 降落时候 | tf | VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A | - | 50 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=24V, VGS=10V, ID=20A | - | 34 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=24V, VGS=10V, ID=20A | - | 6 | - | nC |
| 栅泄电荷 | Qgd | VDS=24V, VGS=10V, ID=20A | - | 8 | - | nC |
| 持续二极管正向电流 | Is | - | - | - | 80 | A |
| 脉冲二极管正向电流 | IsM | - | - | - | 320 | A |
| 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, Is=20A | - | - | 1.2 | V |
| 反向规复时候 | trr | VGS=0V, Is=15A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ | - | 18 | - | ns |
| 反向规复电荷 | Qrr | VGS=0V, Is=15A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ | - | 10 | - | nC |
| 名目 | 参数概况 |
|---|---|
| 产物型号 | KND3080B（KIA3080B） |
| 产物范例 | N-Channel Trench MOSFET（硅沟槽工艺） |
| 封装情势 | TO-252 |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 焦点特色 |
? 低导通电阻：RDS(ON)=4.1mΩ(典范值 @ VGS=10V) ? 低栅极电荷（Low gate charge） ? 低输出电容（Low Ciss） ? 疾速开关特征（Fast switching） |
| 典范利用 |
? PWM利用电路 ? 负载开关（Load switch） ? 电源办理（Power Management） |
| 引脚号 | 功效界说 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 产物型号 | 封装情势 | 品牌 |
|---|---|---|
| KND3080B | TO-252 | KIA |
KND3080B 是一款接纳进步前辈沟槽工艺制作的 N 沟道加强型功率 MOSFET，具有超低导通电阻、疾速开关、低栅极电荷等优良特征，专为高机能电源办理、大电流开关利用设想。
产物耐压 30V，持续漏极电流高达 80A，典范导通电阻仅 4.1mΩ，可大幅下降体系消耗、晋升转换效力，普遍合用于 PWM 节制器、负载开关、电池掩护、DC-DC 转换器、机电驱动等高靠得住性利用处景。
KND3080B 接纳产业规范 TO-252 封装，引脚界说通用，可间接替换同规格国际/国际品牌竞品，完成本钱优化与机能进级两重代价，是电源与工控范畴的抱负挑选。
| 品牌 | 竞品型号 | 规格 | 封装 | 替换干系 |
|---|---|---|---|---|
| KIA | KIA3080B | 30V 80A N | TO-252 | 完整兼容 |
| Infineon | IRL3803 | 30V 74A N | TO-252 | 间接替换 |
| Infineon | IRLHS8030 | 30V 80A N | TO-252 | 间接替换 |
| VISHAY | SI7140DP | 30V 80A N | TO-252 | 间接替换 |
| ON | NTD4960N | 30V 75A N | TO-252 | 间接替换 |
| TI | CSD16323Q5A | 30V 76A N | TO-252 | 间接替换 |
| FAIRCHILD | FDD8447 | 30V 80A N | TO-252 | 间接替换 |
| 华瑞 | CRSM3080 | 30V 80A N | TO-252 | 间接替换 |
| 新洁能 | NCE3080 | 30V 80A N | TO-252 | 间接替换 |
| 韦尔 | WSD3080 | 30V 80A N | TO-252 | 间接替换 |
| 富鼎 | APM3080 | 30V 80A N | TO-252 | 间接替换 |
| 万代 | WTD3080 | 30V 80A N | TO-252 | 间接替换 |
| 型号 |
VDS (V) |
ID (A) |
RDS(ON) mΩ@10V |
封装 | 上风 |
|---|---|---|---|---|---|
| KND3080B | 30 | 80 | 4.1(典范) | TO-252 | 低阻、低消耗、性价比高 |
| IRL3803 | 30 | 74 | 5.5 | TO-252 | 电阻更高、电流更小 |
| NCE3080 | 30 | 80 | 5.0 | TO-252 | 电阻略高 |
| WSD3080 | 30 | 80 | 4.8 | TO-252 | 电阻略高 |
| FDD8447 | 30 | 80 | 4.5 | TO-252 | 电阻略高 |
| 参数称号 | 标记 | 额外值 | 单元 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 30 | V | - |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V | - |
| 持续漏极电流 | ID | 80 | A | Tc=25℃ |
| 持续漏极电流 | ID | 50 | A | Tc=100℃ |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 320 | A | - |
| 总功耗 | PD | 70 | W | Tc=25℃ |
| 总功耗 | PD | 2.8 | W | Ta=25℃ |
| 雪崩能量 | EAS | 110 | mJ | L=0.5mH, VD=24V, Tc=25℃ |
| 任务/存储温度规模 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ | - |
| 参数称号 | 标记 | 典范值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 结到情况热阻 | RθJA | 44 | ℃/W |
| 结到壳热阻 | RθJC | 1.95 | ℃/W |
接洽体例：邹师长教师
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手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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