KIA7115A 贴片 MOS 管 -150V20A 原装现货
信息来历：本站 日期：2026-05-09
机电驱动、BLDC 无刷机电、开关电源二次侧整流、负载开关、电池掩护板、主板供电、LED 驱动、工控模块、汽车电子帮助电路
| KIA7115A (KPD7115A) 焦点参数总览 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | KIA7115A / KPD7115A | 通道范例 | P沟道加强型功率MOSFET |
| 封装情势 | TO-252 (DPAK) | 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 漏源电压 VDS | -150V | 持续漏极电流 ID | -20A @ TC=25℃ |
| 导通电阻 RDS(on) | 153mΩ (典范值) @ VGS=-10V, ID=-10A | 栅极电荷 Qg | 30nC (典范值) @ VDS=-50V, VGS=-10V |
| KIA7115A 产物信息 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | KIA7115A / KPD7115A | 范例 | P沟道加强型MOSFET |
| 封装 | TO-252 (DPAK) | 品牌 | KIA |
| 漏源电压 VDS | -150V | 持续电流 ID | -20A |
| 导通电阻 RDS(on) | 153mΩ(典范) | 任务温度 | -55℃ ~ +150℃ |
| 焦点电气参数 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数 | 标记 | 测试前提 | 参数值 | 单元 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | ID=-250μA | -150 | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | ID=-250μA | -2.0 ~ -4.0 | V |
| 静态导通电阻 | RDS(on) | VGS=-10V, ID=-10A | 153(典范)/200(最大) | mΩ |
| 总栅极电荷 | Qg | VGS=-10V | 30 | nC |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 30.2 | mJ |
KIA7115A / KPD7115A
P 沟道大电流：-150V/-20A，知足大功率负电压驱动
超低内阻：153mΩ 典范值，发烧小、效力高
贴片 TO-252：体积小、易贴装、合适高密度 PCB
疾速开关：低栅极电荷 30nC，高频电路更不变
高靠得住性：100% 雪崩测试，产业级 - 55~150℃宽温
完善替换：间接兼容国际品牌型号，无需改板
性价比高：原装 KIA，机能对标国际品牌，本钱更优
| 可间接替换竞品型号 | |
|---|---|
| 品牌 | 型号 |
| 英飞凌 | IRL40SC228、IPD150P204 |
| 安森美 | FQP17P15、NTD20P15 |
| 意法 | STP20P15LF |
| 威世 | SI7115DP、SI7115DN |
| 仙童 | FDD20P15 |
| 国产通用 | AP20P15、HY20P15、WSD20P15 |
| 产物特色 | 利用范畴 |
|---|---|
|
? P沟道 -150V/-20A 大电流 ? 超低内阻 低消耗 低发烧 ? TO-252 贴片易贴装 ? 疾速开关 低栅极电荷 ? 100%雪崩测试 高靠得住 ? 宽温产业级 不变性强 ? 完善替换国际品牌型号 |
? BLDC无刷直流机电驱动 ? 开关电源二次侧同步整流 ? 电池掩护板 / 负载开关 ? 主板/显卡供电模块 ? LED驱动电源 ? 产业节制 / 汽车电子 |
| 产物特色 | 典范利用处景 |
|---|---|
|
? 进步前辈高密度沟槽工艺 ? 低导通电阻，降落传导消耗 ? 低栅极电荷，完成疾速开关 ? 低热阻设想，散热机能优良 ? 100%雪崩测试，靠得住性高 ? 100%漏源电压测试，品德不变 |
? 主板/显卡焦点供电 (MB/VGA Vcore) ? SMPS二次侧同步整流 ? POL（点负载）电源利用 ? BLDC无刷直流机电驱动 ? 电池掩护电路、负载开关 |
| 引脚设置装备摆设 (TO-252封装) | ||
|---|---|---|
| 引脚号 | 功效 | 申明 |
| 1 | Gate (栅极) | 节制MOSFET开关状况的节制端 |
| 2 | Drain (漏极) | 功率回路高压端（P沟道中为电源正极度） |
| 3 | Source (源极) | 功率回路高压端（P沟道中为负载/地端） |
| 订购信息 | ||
|---|---|---|
| 型号 | 封装 | 品牌 |
| KPD7115A | TO-252 (DPAK) | KIA |
| 相对最大额外值 (TC=25℃) | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数称号 | 标记 | 额外值 | 单元 | 备注 |
| 漏源电压 | VDS | -150 | V | - |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V | - |
| 持续漏极电流 (VGS@-10V) | TC=25℃ | -20 | A | - |
| TC=100℃ | -12 | A | - | |
| 脉冲漏极电流 | IDM | -60 | A | - |
| 总功耗 | TC=25℃ | 104 | W | - |
| TC=100℃ | 42 | W | - | |
| 雪崩能量 (单脉冲) | EAS | 30.2 | mJ | - |
| 雪崩电流 | IAS | -11 | A | - |
| 任务/存储温度规模 | TJ, TSTG | -55 ~ +150 | ℃ | - |
| 热特征 (典范值) | |||
|---|---|---|---|
| 参数称号 | 标记 | 典范值 | 单元 |
| 结到情况热阻 | RθJA | 20 | ℃/W |
| 结到壳热阻 | RθJC | 1.4 | ℃/W |
| 电气特征 (TJ=25℃) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 参数称号 | 标记 | 测试前提 | Min | Typ | Max | 单元 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -150 | - | - | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=-10V, ID=-10A | - | 153 | 200 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -2.0 | - | -4.0 | V |
| 零栅压泄电流 | IDSS | VDS=-150V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | -1 | μA |
| 栅源泄电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 输入电容 | Ciss | VDS=-40V, VGS=0V, f=1MHz | - | 2109 | - | pF |
| 输入电容 | Coss | - | 515 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 410 | - | pF | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=-50V, VGS=-10V, ID=-3A | - | 30 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 6 | - | nC | |
| 栅泄电荷 | Qgd | - | 8.1 | - | nC | |
| 守旧提早时候 | Td(on) | VDD=-50V, VGS=-10V, RG=3Ω, ID=-3A | - | 28 | - | ns |
| 回升时候 | Tr | - | 30 | - | ns | |
| 关断提早时候 | Td(off) | - | 230 | - | ns | |
| 降落时候 | Tf | - | 120 | - | ns | |
| 持续源极电流 | IS | VG=VD=0V, 强迫电流 | - | - | -20 | A |
| 漏源二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, ISD=-5A, TJ=25℃ | - | - | -1.2 | V |
| 反向规复时候 | trr | IF=-5A, dI/dt=100A/μs, TJ=25℃ | - | 34 | - | ns |
| 反向规复电荷 | Qrr | - | 32 | - | nC | |
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
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