机电驱动mos管,KIA35P10AD场效应管参数,TO-252-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-10-11
KIA35P10AD场效应管接纳进步前辈的沟槽MOSFET手艺，在机电节制和驱动、电池办理、UPS不中断电源中热销，漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ，RDS（ON）值为32mΩ，供给超卓的RDS（ON）和栅极电荷，最大限制地削减导通消耗，最小化开关消耗；优异的QgxRDS（on）产物（FOM），供给超卓的开关机能，合适JEDEC规范，机能不变靠得住；封装情势：TO-252。
任务体例：-35A/ -100V
栅源电压：±20V
脉冲泄电流:-135A
单脉冲雪崩能量:95mJ
最大功耗：94W
操纵和贮存温度规模：-55℃至+150℃
漏源击穿电压：-100V
栅源泄电流:±100nA
输入电容：5700pF
输入电容：170pF
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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