10n65场效应管参数,KIA10N65H参数引脚图,中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-09-04
KIA10N65H场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V，低导通电阻，低栅极电荷(典范48nC)，有用降落开关消耗，晋升效力；具备疾速互换功效、指定的雪崩能量和改良的DV/DT功效，不变靠得住，进步开关呼应速率，能够替换10n65型号利用在高压、高速功率开关利用中，如高效开关电源、LED驱动、储能电源；封装情势：TO-220F。
漏源电压：650V
漏极电流：10A
漏源通态电阻：0.65Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：40A
雪崩能量单脉冲：709MJ
功率耗散：52W
总栅极电荷：48nC
输入电容：1650PF
输入电容：1665PF
守旧提早时候：25nS
关断提早时候：140nS
回升时候：70ns
降落时候：80ns
接洽体例：邹师长教师
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