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锂电池掩护板,​85v100aMOS管,KNB3208A场效应管​参数-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2024-10-09 

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锂电池掩护板,85v100aMOS管,KNB3208A场效应管参数-KIA MOS管


85v100aMOS管,KNB3208A参数引脚图

KNB3208A场效应管漏源击穿电压85V,漏极电流100A,RDS(ON),typ.=6.5mΩ@VGS=10V,接纳专有新沟槽手艺,超低电阻削减导电消耗,最小化开关消耗;低门电荷、快规复体二极管供给出色机能,不变靠得住;是10串-16串锂电池掩护板公用MOS管;封装情势:TO-263。

85v100aMOS管,KNB3208A


85v100aMOS管,KNB3208A参数

漏源电压:85V

持续漏极电流:100A

输入电容:3420pF

输入电容:400pF

反向转移电容:120pF

栅极串连电阻:2.0Ω

脉冲源电流:400A

脉冲雪崩能量:612MJ

最大功耗:224W

阈值电压:2.0V

守旧提早时候:22nS

关断提早时候:100nS

回升时候:24ns

降落时候:32ns


85v100aMOS管,KNB3208A规格书

85v100aMOS管,KNB3208A

85v100aMOS管,KNB3208A


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