锂电池掩护板,85v100aMOS管,KNB3208A场效应管参数-KIA MOS管
信息来历:本站 日期:2024-10-09
KNB3208A场效应管漏源击穿电压85V,漏极电流100A,RDS(ON),typ.=6.5mΩ@VGS=10V,接纳专有新沟槽手艺,超低电阻削减导电消耗,最小化开关消耗;低门电荷、快规复体二极管供给出色机能,不变靠得住;是10串-16串锂电池掩护板公用MOS管;封装情势:TO-263。
漏源电压:85V
持续漏极电流:100A
输入电容:3420pF
输入电容:400pF
反向转移电容:120pF
栅极串连电阻:2.0Ω
脉冲源电流:400A
脉冲雪崩能量:612MJ
最大功耗:224W
阈值电压:2.0V
守旧提早时候:22nS
关断提早时候:100nS
回升时候:24ns
降落时候:32ns
接洽体例:邹师长教师
座机:0755-83888366-8022
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QQ:2880195519
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