掩护板公用mos管,40v100a,KND3204A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-09-27
KND3204A场效应管接纳专有新型沟槽手艺，漏源电压40V，漏极电流100A，是锂电池掩护板公用MOS管，RDS（ON），典范值=VGS=10V时为4mΩ（典范值），极低导通电阻削减导通消耗，低栅极电荷最小化开关消耗，疾速规复体二极管，进步不变性和靠得住性；封装情势：TO-252。
漏源电压：40V
漏极电流：100A
漏源通态电阻：4mΩ
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：480A
雪崩能量单脉冲：500MJ
功率耗散：137W
总栅极电荷：51nC
输入电容：3000PF
输入电容：425PF
守旧提早时候：15nS
关断提早时候：75nS
回升时候：60ns
降落时候：40ns
接洽体例：邹师长教师
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