手机锂电池掩护板,单节锂电池掩护电路-KIA MOS管

单节锂电池掩护电路道理

1. 过充电状况：电池电压回升到过充掩护电压后，以上并延续了一段过充掩护延时时候， CO 端子的输入就会反转，将充电节制 充电 MOS 管关断，遏制充电，这就称 为过充电状况。电池电压下降到过充电消除电压 以下并延续了一段过放掩护时候，就会消除过充电状况，规复为一般状况。

2.过放电状况：电池电压下降到 过放电压， 以下并延续了一段过放延时时候 ， DO 端子的输入就会反转，将放电节制 MOS 管关断，遏制放电，这就称 为过放电状况。电池电压回升到过放电消除电压 以上并延续了一段时候 就会消除过放电状况，规复为一般状况。

3.过放电流掩护状况：电池处于放电状况时，VM 端电压跟着放电电流的增大而增大，当 VM 端电压高于 VEC 并延续了一段时候 放电过流掩护电压，芯片以为出 现了放电过流；当 VM 端电压高于 短路掩护电压， 并延续了一段短路延时时候 ，芯片以为呈现了短路。上述 2 种状况肆意一种状况呈现 后，DO 端子的输入就会反转，将放电节制 MOS 管关断，遏制放电。

4.充电过流检测：一般任务状况下的电池，在充电进程中，若是 VM 端子电压低于充电过流检测电压，并且这类状况延续的时候跨越充 电过流检测提早时候，则封闭充电节制用的 MOSFET，遏制充电，这个状况称为充电过流状况。进入充电过流检测状况 后，若是断开充电器使 VM 端子电压高于充电过流检测电压时，充电过流状况被消除，规复到一般任务状况。

5. 0V 充电功效：此功效用于对已自放电到 0V 的电池遏制再充电。当毗连在电池正极(P+)和电池负极(P-)之间的充电器电压，高于向 0V 电池充电的充电器肇端电压时，充电节制用 MOSFET 的门极牢固为 VDD 端子的电位，因为充电器电压使 MOSFET 的 门极和源极之间的电压差高于其导通电压，充电节制用 MOSFET 导通(CO 端子翻开)，起头充电。这时候，放电节制 MOSFET 仍 然是关断的，充电电流经由过程其内部寄生二极管流过。当电池电压高于过放电检测电压(VOD)时，IC 进入一般任务状况。

手机锂电池掩护电路图

下图是单节锂电池掩护电路，T1为节制IC，T2为双场效应管。节制IC的“Cout”为充电节制脚，“Dout”为放电节制脚。

为便于懂得把双场效应管分隔来画以下图：一般状况下节制IC的“Cout”与“Dout”脚都输入高电压，两个场效应管都导通，电路可自在充电和放电，此状况为一般任务状况。

当充电过充时，锂电池端电压跨越4.28V（该值由节制IC设定），“Cout”脚输入低电平，使Q2断开，虽二极管D1及Q1导通，但Q2遏制及二极管D2反偏，迫使充电遏制，防止了过充，因为有D2的存在，使放电不受影响。

当放电回路短路时，Q2的S2端压降会变大，当大于0.9V时，经由过程R2反应至节制IC的2脚，节制IC的“Dout”输入低电平，关断MOSFET管Q1，使放电敏捷遏制，掩护了锂电池。

过流掩护取样也是反应至2脚，只是掩护逻辑与短路掩护稍有差别，当U>0.9V时敏捷关断，延时极短，当U>0.1V时，需延续一段时候再关断，延时稍长防止了误触发。

当过放电时，锂电池端电压<2.3V，“Dout”脚输入低电平，Q1关断，放电遏制，因为有二极管D1的存在不影响充电。短路、过流、过放，关断的是Q1。

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