高频开关电源/UPS公用 KIA 4360A MOS管 多封装适配 原厂现货直供
信息来历：本站 日期：2026-04-27
以下为 KIA 半导体 4360A 系列 N 沟道 MOSFET（4.0A 600V）的完整规格申明，一切内容可间接复制粘贴到网站背景，表格为 HTML 格局，可间接嵌入。
KIA 4360A系列MOS管，凭仗优良的机能表现，完善适配三大支流利用处景，经万千客户批量考证，不变靠得住，
口碑出众：
? 高频开关电源场景适配产业节制、5G基站配套电源等高频开关电源，疾速开关特征优良，导通消耗低，助力电源产物能效达标，小型化设想更具上风，批量供货不变，适配每个月5000+台的产能需要。
? UPS电源场景适配数据中间、智能制作等关头场景的UPS电源，高靠得住性与雪崩耐受才能，确保装备7×24小时不中断不变运转，无宕机危险，同时大幅降落出产本钱，躲避入口断供隐患。
? 电子镇流器场景适配产业、贸易照明用电子镇流器，处理频闪困难，输入高频不变电流，晋升照明休会；小型化封装适配嵌入式照明、小型灯箱等多种场景，参数分歧性高，批量及格率晋升至99.5%以上。
国产气力·品德保证，挑选KIA 4360A的四大来由品德靠谱：全批次100%参数测试，经由进程ISO9001、ISO14001认证，合适RoHS环保规范，机能媲美入口，不变性远超行业均匀程度。高性价比：国产原厂直供，
本钱可控，无需为品牌溢价买单，用亲民价钱享用入口级品德与办事。矫捷适配：多封装、全规格笼盖，可按照客户需要供给定制化适配计划，间接替换原有型号，无需额外投入研发本钱。办事知心：现货供给、
疾速交期，24小时手艺撑持，从选型到售后全程跟进，处理协作全流程挂念。
产物：KNX6180B范例：N 沟道高压 MOSFET规格：800V / 10A / Rds(on)≈1.05Ω封装：TO-220F用处：开关电源、适配器、充电桩、产业电源、AC-DC 反激电源
可完整替换 / 竞品型号
? 国产替换：SVF10N80F、HJ10N80F、YJG10N80A、JJW10N80、FMV10N80、SIT10N80
? 台系竞品：AP10N80GI、MD10N80、NCE10N80、TD10N80
? 入口替换：FQP10N80、SPA10N80C3、STW10N80K5、TK10A80W
4360A 系列是 KIA 半导体推出的4.0A 600V N 沟道加强型功率 MOSFET，接纳进步前辈工艺制作，具有低导通电阻、疾速开关特征，专为高频开关电源、UPS、电子镇流器等场景设想。
低导通电阻：RDS (ON)=1.9Ω(典范值) @ VGS=10V, ID=2A
疾速开关机能
100% 雪崩能量测试考证
优化的 dv/dt 抗扰才能
3. 典范利用（Application）
高频开关电源（High frequency switching mode power supply）
不中断电源（UPS, Uninterruptible Power Supply）
电子镇流器（Electronic ballast）
4. 引脚设置装备摆设（Pin Configuration）
4.1 封装情势
TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
|
引脚号 |
功效 |
|
1 |
Gate（栅极） |
|
2 |
Drain（漏极） |
|
3 |
Source（源极） |
|
4 |
Drain（漏极，局部封装共用散热端） |
| Part Number | Package | Brand |
|---|---|---|
| KND4360A | TO-252 | KIA |
| KNU4360A | TO-251 | KIA |
| KNP4360A | TO-220 | KIA |
| KNF4360A | TO-220F | KIA |
| Parameter | Symbol | TO220 | TO220F | TO251 | TO252 | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Drain-source voltage | VDSS | 600 | 600 | 600 | 600 | V |
| Gate-source voltage | VGSS | ±30 | ±30 | ±30 | ±30 | V |
| Continuous drain current ID | TC=25℃ | 4.0 | 4.0* | 4.0* | 4.0* | A |
| TC=100℃ | 2.78 | 2.78* | 2.78* | 2.78* | A | |
| Pulsed drain current (note1) | IDM | 16 | 16* | 16* | 16* | A |
| Avalanche energy (Single pulse, note2) | EAS | 180 | 180 | 180 | 180 | mJ |
| Peak diode recovery dv/dt (note3) | dv/dt | 4.8 | 4.8 | 4.8 | 4.8 | V/ns |
| Total power dissipation PD | TC=25℃ | 100 | 44.6 | 44.6 | 44.6 | W |
| Derate above 25℃ | 0.8 | 0.357 | 0.357 | 0.357 | W/℃ | |
| Thermal Resistance Junction to Case RθJC | - | 1.25 | 3.75 | 2.8 | 2.8 | ℃/W |
| Storage temperature range | TSTG | -55~+150 | -55~+150 | -55~+150 | -55~+150 | ℃ |
*Drain current limited by maximum junction temperature.
7. 电气特征（Electrical Characteristics）
前提：除非还有申明，均在 Tj=25℃下测试
| Parameter | Symbol | Conditions | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Off characteristics | ||||||
| Drain-source breakdown voltage | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | - | - | V |
| Zero gate voltage drain current | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| VDS=480V, TC=125℃ | - | - | 10 | μA | ||
| Gate-body leakage current | Forward IGSS | VGS=30V, VDS=0V | - | - | 100 | nA |
| Reverse IGSS | VGS=-30V, VDS=0V | - | - | -100 | nA | |
| Breakdown voltage temperature coefficient | △BVDSS/△TJ | Reference to 25℃, ID=250μA | - | 0.65 | - | V/℃ |
| On characteristics | ||||||
| Gate threshold voltage (note4) | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| Static drain-source on-resistance | RDS(ON) | VGS=10V, ID=2.0A | - | 1.9 | 2.3 | Ω |
| Forward Transconductance | GFS | VDS=30V, ID=2.0A | - | 5.5 | - | S |
| Dynamic characteristics | ||||||
| Input capacitance | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 511 | - | pF |
| Output capacitance | COSS | - | 56.6 | - | pF | |
| Reverse transfer capacitance | CRSS | - | 5.55 | - | pF | |
| Switching characteristics | ||||||
| Turn-on delay time | td(ON) | VDD=300V, ID=4.0A, RG=10Ω, VGS=10V | - | 11.3 | - | ns |
| Rise time | tr | - | 14.7 | - | ns | |
| Turn-off delay time | td(OFF) | - | 37.6 | - | ns | |
| Fall time | tf | - | 10.4 | - | ns | |
| Total gate charge | QG | VDD=480V, ID=4.0A, VGS=10V | - | 15.3 | - | nC |
| Gate-source charge | QGS | - | 2.45 | - | nC | |
| Gate-drain charge | QGD | - | 6.56 | - | nC | |
| Drain-source diode characteristics | ||||||
| Drain-source diode forward voltage | VSD | VGS=0V, ISD=4.0A | - | - | 1.4 | V |
| Continuous drain-source current | ISD | - | - | - | 4 | A |
| Pulsed drain-source current | ISM | - | - | - | 16 | A |
| Reverse recovery time | trr | ISD=4.0A, VGS=0V, di/dt=100A/μs | - | 315 | - | ns |
| Reverse recovery charge | QRR | - | 1.83 | - | μC | |
Notes:
1. Repetitive rating: pulse width limited by maximum junction temperature
2. L=10mH, IAS=6.0A, VDD=50V, RG=25Ω, starting TJ=25℃
3. ISD≤4.0A, di/dt≤200A/μs, VDD≤BVDSS, starting TJ=25℃
4. Pulse test: pulse width≤300μs, duty cycle≤2%
8. 测试电路与波形申明
8.1 焦点测试电路 栅极电荷测试电路（Gate Charge Test Circuit）：用于丈量 QG、QGS、QGD，经由进程双管电路完成电荷波形收罗。
阻性开关测试电路（Resistive Switching Test Circuit）：丈量守旧 / 关断提早、回升 / 降落时候，VDD为电源，RL为负载电阻。
非钳位理性开关测试电路（Unclamped Inductive Switching Test Circuit）：用于考证雪崩能量 EAS耐受才能，公式：EAS = 1/2 × L × IAS2 × (BVDSS / (BVDSS - VDD))。
二极管规复 dv/dt 测试电路（Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit）：用于考证反向规复进程中的 dv/dt 抗扰才能，包罗驱动栅极电路与电流、电压波形收罗点。
8.2 典范特征曲线（申明）
输入特征曲线（Output Characteristics）：差别 VGS下，ID随 VDS的变更趋向 转移特征曲线（Transfer Characteristics）：
ID随 VGS的变更干系，含 25℃与 150℃对照 导通电阻与电流 / 栅压干系曲线：RDS(ON)随 ID、VGS的变更
体二极管正向电压曲线：VSD随 ISD与温度的变更 电容特征曲线：CISS、COSS、CRSS随 VDS的变更
栅极电荷特征曲线：VGS随 QG的变更干系 击穿电压 /
导通电阻与温度干系曲线：BVDSS、RDS(ON)随 TJ的变更 最大宁静任务区（SOA）曲线：差别脉冲宽度下 ID与 VDS的宁静任务边境
延续漏极电流与壳温干系曲线：ID随 TC的降落趋向 瞬态热阻抗曲线：ZθJC随脉冲延续时候的变更干系
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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