4n65场效应管,650v4a mos,KIA4N65HF参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2026-02-26
KIA4N65HF场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流4A，接纳KIA进步前辈立体条纹DMOS手艺制作，可明显降落导通电阻、晋升开关机能，并在雪崩情势和换向情势下具备优良的高能脉冲耐受才能；具备低导通电阻RDS(开启) 2.5Ω，低栅极电荷16nC，高效低耗；和高坚忍性、疾速开关、100%雪崩测试、改良的dv/dt才能，不变靠得住；很是合适高效开关电源及功率因数校订体系等利用；封装情势：TO-220F。
具体参数：
漏源电压：650V
漏极电流：4A
导通电阻：2.5Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：12A
雪崩能量单脉冲：180MJ
功率耗散：34W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：16nC
输入电容：560PF
输入电容：55PF
反向传输电容：7PF
守旧提早时候：10nS
关断提早时候：40nS
回升时候：40ns
降落时候：50ns
接洽体例：邹师长教师
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