2n65场效应管,650v2a mos,KIA2N65HU参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2026-02-11
2n65场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流2A，接纳KIA进步前辈立体条纹DMOS手艺制作，可明显降落导通电阻、晋升开关机能，并在雪崩情势和换向情势下具备优良的高能脉冲耐受才能；低导通电阻RDS(开启) 4.3Ω，低栅极电荷6.5nC，高效低耗；具备高抗搅扰才能、疾速开关、100%雪崩测试、改良的dv/dt才能，不变靠得住；合用于高效开关电源及功率因数校订体系等；封装情势：TO-251。
具体参数：
漏源电压：650V
漏极电流：2A
导通电阻：4.3Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：7.5A
单脉冲雪崩能量：100MJ
功率耗散：42W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：6.5nC
输入电容：275PF
输入电容：30PF
反向传输电容：2PF
守旧提早时候：10nS
关断提早时候：40nS
回升时候：30ns
降落时候：40ns
接洽体例：邹师长教师
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