dc直流转换器,320a40v,1004mos管,KCT1004M参数-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2025-06-25
KCT1004M场效应管漏源击穿电压40V, 漏极电流320A ，接纳进步前辈的SGT手艺，高压器件新手艺，低导通电阻和低传导消耗，机能优胜；极低导通电阻RDS(开启) 0.62mΩ，超低栅极电荷，降落驱动需要，最小化开关消耗；100%颠末雪崩测试，靠得住坚忍，在DC直流转换器、机电节制与驱动、电池办理中普遍利用；封装情势：TOLL-8，小体积、低封装电阻，进步效力。
漏源电压：40V
漏极电流：320A
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：1200A
单脉冲雪崩能量：564MJ
功率耗散：300W
阈值电压：1.2-2.5V
总栅极电荷：160nC
输入电容：9530PF
输入电容：2050PF
守旧提早时候：24nS
关断提早时候：98nS
回升时候：15ns
降落时候：18ns
接洽体例：邹师长教师
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