bms mos管,80a40v场效应管,KNY3404D参数规格书-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2025-03-11
bms mos管KNY3404D漏源击穿电压40V，漏极电流80A，接纳进步前辈的沟槽手艺，极低导通电阻RDS(开启) 5.2mΩ，最大限制地削减导电消耗，晋升效力；具备开关速率快，内阻低，耐打击特征好的特色；低栅极电荷、低反向传输电容、改良的dv/dt才能、100%雪崩测试，不变靠得住、机能优胜；普遍利用于PWM利用法式、电源办理、负载开关等；封装情势：DFN5*6。
漏源电压：40V
漏极电流：80A
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：320A
单脉冲雪崩能量：210MJ
功率耗散：64W
阈值电压：1.5V
总栅极电荷：58nC
输入电容：2680PF
输入电容：250PF
反向传输电容：225PF
守旧提早时候：7.3nS
关断提早时候：22nS
回升时候：16ns
降落时候：13ns
接洽体例：邹师长教师
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