KCB3310A/KCY3310A 100V90A MOSFET
信息来历：本站 日期：2026-05-22
5mΩ超低内阻 | 双封装可选，大功率电源公用
| 特征名目 | 申明 |
|---|---|
| 工艺手艺 | 接纳进步前辈SGT沟槽工艺 |
| 导通电阻 | RDS(ON)=5.0mΩ(typ.)@VGS=10V |
| 开关消耗 | 极低开关消耗，高频效力高 |
| 体二极管 | 疾速开关与软规复特征 |
| 机能目标 | 低RDS(on)与优良FOM值 |
| 不变性 | 优良的不变性与参数分歧性 |
| 电源开关电路（Power switching） |
| 硬开关与高频电路 |
| 不中断电源（UPS） |
| 低导通电阻大功率电源体系 |
| 产物型号 | 封装情势 | 范例 | 合用处景 |
|---|---|---|---|
| KCB3310A | TO-263（贴片） | N沟道MOSFET | 惯例大功率、通用电源、逆变器 |
| KCY3310A | DFN5×6（微型超薄） | N沟道MOSFET | 高密度PCB、超薄电源、小型化装备 |
| 参数名目 | 规格值 | 上风申明 |
|---|---|---|
| 漏源电压 | 100V | 高压不变，耐打击不炸管 |
| 持续电流 | 90A | 超大电流，大功率场景公用 |
| 导通电阻 | 5.0mΩ@VGS=10V | 超低内阻，发烧低、效力高 |
| 雪崩能量 | 529mJ | 高靠得住性，抗过载才能强 |
| 开关速率 | 低Qg低消耗 | 高频任务更不变、温升更低 |
| 任务温度 | -55~150℃ | 宽温产业级，顺应卑劣情况 |
四、同级间接竞品型号
| 型号 | 封装 | 品牌 | 竞品型号 |
|---|---|---|---|
| KCB3310A | TO-263 | Infineon / VISHAY / 国产 | IRL3806、IRFB4110、SI7136、HY3310 |
| KCY3310A | DFN5×6 | Infineon / VISHAY / 国产 | BSC010N10LS、SI7136DP、100V06N |
| 对照名目 | KCB/KCY3310A | 行业同类竞品 |
|---|---|---|
| 导通电阻 | 5.0mΩ 更低消耗 | 遍及 6~12mΩ |
| 开关机能 | 低Qg，高频效力更高 | 电荷大，消耗偏高 |
| 封装挑选 | TO-263 + DFN5×6 齐备 | 微型封装型号少 |
| 分歧性 | 原厂晶圆，分歧性强 | 品德整齐不齐 |
| 性价比 | 高靠得住、低本钱 | 入口价高、交期长 |
| 客户罕见痛点 | KCB/KCY3310A 处理计划 |
|---|---|
| 电源发烧严峻、温升快 | 5mΩ超低内阻，大幅降落发烧 |
| 高频任务炸管、不不变 | 高雪崩+快规复二极管，更耐用 |
| 装备体积受限、须要超薄 | KCY3310A DFN5×6微型封装 |
| 效力低、功耗大 | 低栅电荷，开关消耗更低 |
| 入口货期长、本钱高 | 国产原厂，现货不变、价更优 |
| 大功率开关电源、DC-DC转换器 |
| 机电驱动、无刷机电节制器 |
| 高频逆变、UPS不中断电源 |
| 超薄电源、高密度PCB模块 |
| 硬开关电路、低内阻大功率体系 |
| 储能电源、车载电源、产业装备 |
| 引脚功效 | TO-263引脚号 | DFN5×6引脚号 |
|---|---|---|
| Gate（栅极） | 1 | 4 |
| Drain（漏极） | 2 | 5,6,7,8 |
| Source（源极） | 3 | 1,2,3 |
| 产物型号 | 封装情势 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCB3310A | TO-263 | KIA |
| KCX3310A | TO-263/DFN5×6 | KIA |
| KCY3310A | DFN5×6 | KIA |
| 参数称号 | 标记 | 前提 | TO-263 | DFN5×6 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | Vdss | - | 100 | 100 | V |
| 持续漏极电流 | Id | Tc=25℃ | 90 | 85 | A |
| Tc=100℃ | 57 | 56 | A | ||
| 脉冲漏极电流 | Idm | - | 360 | 340 | A |
| 雪崩能量 | EAS | - | 529 | 529 | mJ |
| 栅源电压 | Vgs | - | ±20 | ±20 | V |
| 功耗 | Pd | Tc=25℃ | 166 | 90 | W |
| Tc=100℃ | 66.4 | 36 | W | ||
| 任务/存储温度 | Tj,Tstg | - | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| 参数称号 | 标记 | 前提 | TO-263 | DFN5×6 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|
| 结-情况热阻 | RθJA | t≤10S | 15 | 20 | ℃/W |
| 稳态 | 60 | 50 | ℃/W | ||
| 结-壳热阻 | RθJC | 稳态 | 0.75 | 1.38 | ℃/W |
| 参数称号 | 标记 | 测试前提 | 最小值 | 典范值 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V, Id=250μA | 100 | - | - | V |
| 零栅压漏源电流 | Idss | Vds=100V, Vgs=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs, Id=250μA | 2 | 2.8 | 4 | V |
| 栅极泄电流 | Igss | Vgs=±20V, Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V, Id=20A | - | 5.0 | 5.8 | mΩ |
| 栅极电阻 | Rg | F=1MHz, 开路漏极 | - | 0.9 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | Vds=50V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 4600 | - | pF |
| 输入电容 | Coss | - | 1250 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 43 | - | pF | |
| 守旧提早时候 | td(on) | Vdd=50V, Id=20A, Vgs=10V, Rg=2.2Ω | - | 17.6 | - | ns |
| 回升时候 | trise | - | 30.2 | - | ns | |
| 关断提早时候 | td(off) | - | 33.6 | - | ns | |
| 降落时候 | tfall | - | 39.6 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | Vds=50V, Id=20A, Vgs=10V, f=1MHz | - | 66 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 23 | - | nC | |
| 栅泄电荷(Miller) | Qgd | - | 6.6 | - | nC | |
| 二极管正向电压 | Vsd | Vgs=0V, Is=20A | - | - | 1.3 | V |
| 体二极管持续电流 | Is | - | - | - | 90 | A |
| 反向规复时候 | trr | If=20A, di/dt=100A/μs | - | 65 | - | ns |
| 反向规复电荷 | Qrr | - | 90 | - | nC |
| 曲线编号 | 曲线称号 | 申明 |
|---|---|---|
| Figure 1 | 输入特征曲线 | 差别Vgs下的Id-Vds干系 |
| Figure 2 | 转移特征曲线 | Id-Vgs干系，差别结温对照 |
| Figure 3 | 电容特征曲线 | Ciss/Coss/Crss随Vds变更 |
| Figure 4 | 栅极电荷曲线 | Vgs随Qg变更特征 |
| Figure 5 | Rds(on) vs Id/Vgs | 导通电阻随电流和栅压变更 |
| Figure 6 | 归一化Rds(on)-结温 | 导通电阻随温度变更趋向 |
| Figure 7 | 漏极电流-壳温曲线 | Id随Tc降低的衰减特征 |
| Figure 8 | 宁静任务区(SOA)曲线 | 差别脉宽下的Id-Vds宁静区 |
| Figure 9 | 瞬态热阻抗曲线 | TO-263/DFN5×6热呼应对照 |
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