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KND/KNP/KNF41100A 1000V2A MOSFET

信息来历：本站　日期：2026-05-22　

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KND/KNP/KNF41100A 1000V2A MOSFET

9.6Ω低内阻 | 三种封装可选，高压电源公用

KND41100A/ KNP41100A/ KNF41100A

9.6Ω低内阻 | 三种封装可选，高压电源公用

KIA41100A 2A/1000V N沟道MOSFET

1. 产物焦点特征
特征名目 申明
环保合规 RoHS规范，无铅工艺
导通电阻 RDS(ON)=9.6Ω(typ.)@VGS=10V
开关消耗 低栅极电荷，降落开关消耗
体二极管 快规复体二极管，反向规复快
2. 典范利用处景
电源适配器（Adaptor）
充电器（Charger）
开关电源待电机源（SMPS Standby）
9.6Ω低内阻 | 三种封装可选，高压电源公用
一、产物官方先容
KND41100A、KNP41100A、KNF41100A为KIA原厂高机能MOS管， 笼盖大功率逆变与高压小电流两大利用处景， 内阻低、开关快、靠得住性强，处理电源发烧、炸管、搅扰等痛点。
供给TO-252、TO-220、TO-220F全封装，知足贴片、直插、绝缘须要， 宽温产业级、RoHS环保、分歧性优良，可间接替换入口型号， 合用于逆变器、电机驱动、高压电源、适配器、充电器、待电机源。 原厂直供，交期不变、性价比高，是产业与花费电源优选计划。
二、型号与封装信息
产物型号 封装 范例 焦点参数 合用处景
KND41100A
 TO-252贴片 N沟道 MOSFET 200V 130A 9mΩ 大功率逆变、DC-DC、电机驱动
KNP41100A TO-220 直插 N沟道 MOSFET 1000V 2A 9.6Ω 高压电源、适配器、充电器
KNF41100A TO-220F 绝缘 N沟道 MOSFET 1000V 2A 9.6Ω 高压绝缘电源、待电机源、工控
三、焦点卖点参数
型号 耐压 电流 内阻 焦点上风
KND41100A 200V 130A 9.0mΩ 大电流、低发烧、高雪崩、耐炸管
KNP41100A 1000V 2A 9.6Ω 超高压、低消耗、合适高压小电流
KNF41100A 1000V 2A 9.6Ω 塑封绝缘、抗搅扰、宁静不变


四、同级间接平替型号

KND41100A/ KNP41100A/ KNF41100A

型号 品牌 竞品型号 对标参数
KND41100A Infineon/VISHAY/国产 IRFB4310、Si4120、HY2920 200V 大电流低内阻MOS
KNP41100A Infineon/ST/ON/国产 IRF830、STK1000V2A、10N10 1000V 2A 高压MOS管
KNF41100A Infineon/ST/国产 IRF830NS、FQP10N10、10N10F 1000V 2A 绝缘塑封MOS


五、VS竞品 焦点上风
对照项 KIA系列MOS管 同类竞品
内阻机能 内阻更低，发烧更少 内阻偏高，发烧大
靠得住性 高雪崩、耐打击、不炸管 易过流破坏、分歧性差
封装挑选 贴片/直插/绝缘齐备 局部封装缺货
性价比 原厂不变、价优 入口价高、交期长
合用规模 大功率+高压全笼盖 场景单一
六、客户痛点与处理计划
客户痛点 处理计划
大功率电源发烧严峻、炸管 KCB2920A 低内阻+高雪崩
高压电源耐压缺乏、不不变 KNP41100A 1000V超高压
电源须要绝缘、抗搅扰 KNF41100A 塑封绝缘设想
PCB空间无限、须要贴片 KCB2920A TO-263小体积
入口货期长、本钱高 国产原厂，现货不变价优
七、典范利用范畴
大功率逆变器、光伏逆变、储能电源
DC-DC转换器、电机驱动、产业节制器
高压电源、适配器、充电器、待电机源
开关电源、UPS、工控装备、照明电源
高密度PCB、绝缘型电源、宁静型装备
3. 引脚界说（TO-252/TO-220/TO-220F）
引脚号 功效界说
1 Gate（栅极）
2 Drain（漏极）
3 Source（源极）
4. 型号与封装信息
产物型号 封装情势 品牌
KND41100A TO-252 KIA
KNP41100A TO-220 KIA
KNF41100A TO-220F KIA
5. 相对最大额外值（Tc=25℃）
参数称号 标记 额外值 单元
漏源电压（Tj=25℃） Vdss 1000 V
栅源电压 Vgss ±30 V
持续漏极电流（Tc=25℃） Id 2.0 A
脉冲漏极电流（VGS=10V） Idm 8.0 A
单脉冲雪崩能量（VDD=50V） EAS 80 mJ
功耗 Pd 60 W
最高结温 Tjmax 150 ℃
存储温度规模 Tstg -55~150 ℃
6. 热特征参数
参数称号 标记 额外值 单元
结-壳热阻 RθJC 2.08 ℃/W
结-情况热阻 RθJA 75 ℃/W
7. 电气特征（Tj=25℃）
参数称号 标记 测试前提 最小值 典范值 最大值 单元
漏源击穿电压 BVdss Vgs=0V, Id=250μA 1000 - - V
漏源泄电流 Idss Vds=1000V, Vgs=0V - - 1 μA
栅源泄电流 Igss Vgs=±30V, Vds=0V -100 - 100 nA
漏源导通电阻 Rds(on) Vgs=10V, Id=1.0A - 9.6 12 Ω
栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 2.0 - 4.0 V
输出电容 Ciss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz - 370 - pF
反向传输电容 Crss - 4.0 - pF
输出电容 Coss - 40 - pF
总栅极电荷 Qg VDD=500V, Id=2.0A, Vgs=10V - 15 - nC
栅源电荷 Qgs - 2.1 - nC
栅泄电荷(Miller) Qgd - 6.0 - nC
守旧提早时候 td(on) VDD=500V, Id=2.0A, Rg=12Ω, Vgs=10V（阻性负载） - 8.0 - ns
回升时候 trise - 6.0 - ns
关断提早时候 td(off) - 36 - ns
降落时候 tfall - 15 - ns
持续源极电流 Isd - - - 2 A
二极管正向电压 Vsd Is=2.0A, Vgs=0V - - 1.5 V
反向规复时候 trr Vgs=0V, If=2.0A, di/dt=-100A/μs, Tj=25℃ - 320 - ns
反向规复电荷 Qrr - 1.0 - uC
8. 典范特征曲线申明
曲线编号 曲线称号 申明
Fig.1/2/3 输出特征曲线 差别温度/电压下的Id-Vds干系
Fig.4/5 Rds(on)归一化曲线 导通电阻随结温/电流变更
Fig.6 最大漏极电流-壳温 Id随Tc降低的衰减曲线
Fig.7 输出导纳曲线 Id随Vgs变更，差别结温对照
Fig.8 跨导曲线 Gfs随Id变更特征
Fig.9 体二极管正向特征 Is随Vsd变更，差别结温对照
Fig.10 栅极电荷曲线 Vgs随Qg变更，差别Vdd对照
Fig.11 电容特征曲线 Ciss/Coss/Crss随Vds变更
Fig.12 瞬态热阻抗曲线 归一化热呼应与脉冲宽度干系


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