KNP2404N 40V/190A TO-220 4mΩ低内阻 可替换IRF3803
信息来历：本站 日期：2026-05-25
怕炸管？KNP2404N 40V大电流MOSFET 低消耗不发烫 直插TO-220
品牌：KIA（KMOS Semiconductor）| 封装：TO-220 | 范例：N-Channel MOSFET
| 名目 | 参数申明 |
|---|---|
| RDS(ON) | 典范值4mΩ @ VGS=10V |
| 工艺手艺 | 专有新型沟槽工艺 |
| 上风特征 | 低栅极电荷，降落开关消耗 |
| 内置二极管 | 快规复体二极管 |
| 利用处景 |
|---|
| DC-DC 转换器 |
| DC-DC 逆变器 |
| 开关电源（Power Supply） |
KNP2404N N沟道功率MOSFET（TO-220）官方先容
| 上风名目 | 卖点申明 |
|---|---|
| 超低内阻 | 10V驱动下，典范导通电阻仅4mΩ |
| 超大电流 | 持续漏极电流190A，脉冲电流可达480A |
| 高效低消耗 | 栅极电荷低，开关速率快，体系效力更高 |
| 高靠得住性 | 内置快规复二极管，雪崩能量达1200mJ |
| 通用封装 | TO-220直插封装，兼容支流设想，易替换 |
| 品牌 | 竞品型号 | 规格婚配 | 封装 |
|---|---|---|---|
| Infineon | IRL3803、IRF3803 | 40V N沟道 | TO-220 |
| VISHAY | SI4800、SI7800 | 40V N沟道 | TO-220 |
| ON | NTD4800、NTD5800 | 40V N沟道 | TO-220 |
| TI | CSD18537Q5B | 40V N沟道 | TO-220 |
| FAIRCHILD | FDB3803、FQP3803 | 40V N沟道 | TO-220 |
| 华微电子 | HM40N190、40N180 | 40V N沟道 | TO-220 |
| 新洁能 | NCEP40N18、NCE40H18 | 40V N沟道 | TO-220 |
| 扬杰科技 | YJQ40N190、40N180 | 40V N沟道 | TO-220 |
| 型号 | 耐压 | 电流 | 导通电阻 | 封装 |
|---|---|---|---|---|
| KNP2404N | 40V | 190A | 4mΩ(典范) | TO-220 |
| IRF3803 | 40V | 190A | 4.5mΩ(典范) | TO-220 |
| SI4800 | 40V | 180A | 5.0mΩ(典范) | TO-220 |
| NTD4800 | 40V | 180A | 4.8mΩ(典范) | TO-220 |
| FDB3803 | 40V | 190A | 4.6mΩ(典范) | TO-220 |
| DC-DC电源转换器 |
| 高频开关电源体系 |
| 产业逆变器装备 |
| 机电驱动与节制模块 |
| 大功率LED驱动电源 |
| 电池掩护与充放电模块 |
| 参数 | 标记 | 数值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 40 | V |
| 持续漏极电流 | ID | 190 | A |
| 导通电阻 | RDS(ON) | 4 | mΩ |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 耗散功率 | PD | 333 | W |
| 任务温度 | TJ | -55~150 | ℃ |
| 封装情势 | - | TO-220 | - |
| 引脚号 | 功效界说 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNP2404N | TO-220 | KIA |
| 参数称号 | 标记 | 额外值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 40 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 持续漏极电流（Tc=25℃） | ID | 190 | A |
| 持续漏极电流（Tc=100℃） | ID | 80 | A |
| 脉冲漏极电流（VGS=10V） | IDM | 480 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1200 | mJ |
| 二极管规复峰值dv/dt | dv/dt | 5 | V/ns |
| 耗散功率（Tc=25℃） | PD | 333 | W |
| 25℃以上降额系数 | PD | 2 | W/℃ |
| 焊接引脚最高温度（10s） | TL | 300 | ℃ |
| 封装本体焊接温度（10s） | TPAK | 260 | ℃ |
| 任务/存储温度规模 | TJ&TSTG | -55~150 | ℃ |
| 参数称号 | 标记 | 典范值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 0.45 | ℃/W |
| 结-情况热阻 | RθJA | 62 | ℃/W |
| 参数称号 | 标记 | 测试前提 | 参数值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 关断特征 | ||||
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 40（min） | V |
| 漏源泄电流 IDSS | IDSS | VDS=40V, VGS=0V | ≤1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=125℃ | ≤100 | uA | ||
| 栅源泄电流 IGSS | IGSS | VGS=+20V, VDS=0V | ≤100 | nA |
| VGS=-20V, VDS=0V | ≥-100 | nA | ||
| 导通特征 | ||||
| 导通电阻 RDS(ON) | RDS(ON) | VGS=10V, ID=80A | 4（typ）/5（max） | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 2~4 | V |
| 静态特征（f=1.0MHz） | ||||
| 输入电容 Ciss | Ciss | VGS=0V, VDS=25V | 3850（typ） | pF |
| 输入电容 Coss | Coss | VGS=0V, VDS=25V | 1750（typ） | pF |
| 反向传输电容 Crss | Crss | VGS=0V, VDS=25V | 420（typ） | pF |
| 栅极串连电阻 | Rg | f=1.0MHz | 1.5（typ） | Ω |
| 总栅极电荷 Qg | Qg | VDD=20V, ID=80A, VGS=0→10V | 97（typ） | nC |
| 栅源电荷 Qgs | Qgs | 同上 | 18（typ） | nC |
| 栅泄电荷 Qgd | Qgd | 同上 | 37（typ） | nC |
| 开关特征（VDD=20V, ID=50A, VGS=10V, RG=10Ω） | ||||
| 守旧提早时候 | td(ON) | 同上 | 32（typ） | ns |
| 回升时候 trise | trise | 同上 | 90（typ） | ns |
| 关断提早时候 | td(OFF) | 同上 | 100（typ） | ns |
| 降落时候 tfall | tfall | 同上 | 72（typ） | ns |
| 体二极管特征 | ||||
| 持续源极电流 | ISD | 集成PN二极管 | 190（max） | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | 同上 | 480（max） | A |
| 二极管正向电压 | VSD | IS=80A, VGS=0V | ≤1.3 | V |
| 反向规复时候 trr | trr | VGS=0V, IF=80A, diF/dt=100A/us | 76（typ） | ns |
| 反向规复电荷 Qrr | Qrr | 同上 | 35（typ） | nC |
注：以上参数均来自KIA官方规格书，利用时请以原厂数据手册为准。
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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