KIA2803AB 30V 150A MOSFET TO-263 低内阻现货
信息来历：本站 日期：2026-05-21
2.2mΩ超低导通电阻 | 机电驱动公用贴片MOS管
| 产物描写 | KIA2803A接纳沟槽工艺，完成极低导通电阻。 结温150℃，开关速率快，雪崩才能强。 合用于机电驱动等多种高效、靠得住场景。 |
| 特征名目 | 申明 |
|---|---|
| RDS(on)典范值 | 2.2mΩ @ VGS=10V |
| 低导通电阻 | 削减导通消耗，晋升效力 |
| 疾速开关 | 合适高频利用处景 |
| 100%雪崩测试 | 反复雪崩才能强 |
| 环保认证 | 无铅、RoHS合规 |
二、同级竞品型号对照表（30V 150A N沟道MOSFET）
| 封装范例 | 品牌 | 竞品型号 | 关头参数对标 |
|---|---|---|---|
|
TO-263 (KIA2803AB) |
Infineon |
IRL3803 IRF3703 |
30V N沟道 大电流低内阻 |
| TO-263 | VISHAY |
Si7140DP SiR166DP |
30V 低RDS(on) 大电流 |
| TO-263 | ON |
NTMT350N NTD3055L |
30V 产业级功率MOS |
| TO-263 | 国产替换 |
HY3803 IRL3803国产版 AOD3803 |
同规格通用替换型号 |
|
TO-220 (KIA2803AP) |
Infineon |
IRF3203 IRL3803PBF |
30V 直插大电流MOS |
| TO-220 | ST |
STB36N30 STD30NF03L |
30V 大电流 直插封装 |
| TO-220 | 国产替换 |
HY3803P CS3803 AP3803 |
直插30V支流竞品 |
| 产物型号 | 封装情势 | 合用处景 |
|---|---|---|
| KIA2803AB | TO-263（贴片） | 贴片PCB、高密度电源、机电驱动板 |
| KIA2803AP | TO-220（直插） | 直插PCB、大功率模组、产业节制器 |
| 对照名目 | KIA2803系列 | 行业同类竞品 |
|---|---|---|
| 导通电阻 | 2.2mΩ（行业极低） | 遍及2.5~3.5mΩ |
| 雪崩才能 | 100%全检 625mJ | 局部无雪崩测试 |
| 任务结温 | -50~150℃ | 大都125℃下限 |
| 开关速率 | 高频疾速呼应 | 惯例开关速率 |
| 靠得住性 | 车规级工艺规范 | 产业/花费级规范 |
| 性价比 | 原厂直供 高性价比 | 入口品牌价钱偏高 |
| 供货才能 | 不变批量现货 | 局部型号缺货/交期长 |
| 无刷/有刷机电驱动模块 |
| 大功率电池掩护板（BMS） |
| DC-DC电源转换器、降压/升压模块 |
| 高压大电流开关电源、适配器 |
| 电开东西、均衡车、储能电源 |
| 产业节制器、汽车电子帮助体系 |
| 引脚号 | 功效界说 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KIA2803AB | TO-263 | KIA |
| KIA2803AP | TO-220 | KIA |
| 参数称号 | 标记 | 额外值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | Vdss | 30 | V |
| 栅源电压 | Vgss | ±20 | V |
| 持续漏极电流 | Id | 150 | A |
| 脉冲漏极电流 | Idm | 600 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 625 | mJ |
| 功耗（Tc=25℃） | Pd | 160 | W |
| 最高结温 | Tj | 150 | ℃ |
| 存储温度规模 | Tstg | -50~+150 | ℃ |
| 二极管正向电流 | Is | 150 | A |
| 参数称号 | 标记 | 额外值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 结到壳热阻 | RθJC | 0.8 | ℃/W |
| 参数称号 | 标记 | 前提 | 典范值 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|
| 关断特征 | |||||
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V, Id=250μA | - | - | V(Min:30) |
| 漏源泄电流 | Idss | Vds=24V, Vgs=0V | - | 1 | μA |
| 漏源泄电流(125℃) | Idss | Vds=24V, Vgs=0V, Tc=125℃ | - | 100 | μA |
| 栅源泄电流 | Igss | Vgs=20V, Vds=0V | - | 100 | nA |
| 栅源泄电流 | Igss | Vgs=-20V, Vds=0V | - | -100 | nA |
| 导通特征 | |||||
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs, Id=250μA | 1.3 | 2.0 | V(Min:0.8) |
| 导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V, Id=40A | 2.2 | 3.0 | mΩ |
| 导通电阻 | Rds(on) | Vgs=4.5V, Id=40A | 2.8 | 4.0 | mΩ |
| 静态特征 | |||||
| 输入电容 | Ciss | Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz | 5350 | - | pF |
| 输入电容 | Coss | Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz | 715 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz | 605 | - | pF |
| 总栅极电荷 | Qg | Vds=15V, Id=20A, Vgs=4.5V | 110 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=15V, Id=20A, Vgs=4.5V | 35 | - | nC |
| 栅泄电荷(Miller) | Qgd | Vds=15V, Id=20A, Vgs=4.5V | 14 | - | nC |
| 开关特征 | |||||
| 守旧提早时候 | Td(on) | Vdd=15V, Id=10A, Vgs=4.5V, Rg=6.8Ω | 19 | - | ns |
| 回升时候 | trise | Vdd=15V, Id=10A, Vgs=4.5V, Rg=6.8Ω | 50 | - | ns |
| 关断提早时候 | Td(off) | Vdd=15V, Id=10A, Vgs=4.5V, Rg=6.8Ω | 20 | - | ns |
| 降落时候 | tfall | Vdd=15V, Id=10A, Vgs=4.5V, Rg=6.8Ω | 26 | - | ns |
| 体二极管特征(Tj=25℃) | |||||
| 二极管正向电压 | Vsd | Vgs=0V, Isd=20A | - | 1.3 | V |
| 反向规复时候 | trr | Isd=30A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ | 32 | - | ns |
| 反向规复电荷 | Qrr | Isd=30A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ | 33 | - | nC |
| 曲线编号 | 曲线称号 | 申明 |
|---|---|---|
| Fig1 | 输入特征曲线 | Id与Vds干系，差别Vgs下的导通特征 |
| Fig2 | 最大漏极电流-壳温 | 电流随壳温升高的衰减曲线 |
| Fig3 | 转移特征曲线 | Id与Vgs干系，差别结温对照 |
| Fig4 | 归一化导通电阻-结温 | Rds(on)随温度变更趋向 |
| Fig5 | 正向跨导-漏极电流 | Gfs随Id变更特征 |
| Fig6 | 宁静任务区(SOA) | 差别脉宽下的Id-Vds宁静边境 |
| Fig7 | 体二极管正向电压 | Vsd与Isd干系，差别结温对照 |
| Fig8 | 栅极电荷-栅源电压 | Vgs随Qg变更曲线，差别Vds对照 |
| Fig9 | 阈值电压-结温 | Vgs(th)随温度变更趋向 |
| Fig10 | 电容-漏源电压 | Ciss/Coss/Crss随Vds变更曲线 |
| Fig11 | 无钳位理性测试电路 | 雪崩能量测试电路与波形 |
| Fig12 | 开关时候测试电路 | 开关特征测试电路与波形 |
| 机电驱动、DC-DC转换器、电源办理、 开关电源、电池掩护、高压大电流场景 |
接洽体例：邹师长教师
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