KNS5610A 100V 7A MOSFET SOT-89 低内阻现货
信息来历：本站 日期：2026-05-21
98mΩ超低导通电阻 | 高频DC-DC公用贴片MOS管
| 特征名目 | 申明 |
|---|---|
| RDS(ON)典范值 | 98mΩ @ VGS=10V |
| 工艺手艺 | 高密度沟槽工艺 |
| 栅极电荷 | 超低栅极电荷，开关消耗低 |
| 抗搅扰机能 | 优良的Cdv/dt按捺结果 |
| 环保合规 | 绿色器件，RoHS规范 |
| 高频负载点同步降压转换器 |
| 收集装备DC-DC电源体系 |
| 负载开关电路 |
| 名目 | 上风申明 |
|---|---|
| 耐压/电流 | 100V / 7A，小体积大才能 |
| 导通电阻 | 98mΩ@VGS=10V，发烧更低 |
| 开关机能 | 超低栅极电荷，高频更不变 |
| 封装上风 | SOT-89贴片，体积小、易规划 |
| 靠得住性 | 宽温任务，抗搅扰才能强 |
| 环保认证 | RoHS合规，无铅环保 |
三、KNS5610A同级平替型号对照表
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 对标参数 |
|---|---|---|---|
| Infineon |
IRLML2803 IRLML6402 |
SOT-89 | 100V N沟道 小功率MOS |
| ON |
NTD4960 NTD3055 |
SOT-89 | 100V 高压小体积MOS |
| VISHAY |
Si2310 Si2312 |
SOT-89 | 100V 低功耗 小电流 |
| 国产替换 |
SMK100N7 APM2310 HX100N7 |
SOT-89 | 100V/7A 间接替换型号 |
| 对照项 | KNS5610A | 同类竞品 |
|---|---|---|
| 导通电阻 | 98mΩ，更低消耗 | 遍及120~200mΩ |
| 栅极电荷 | 超低Qg，开关更快 | 电荷偏高，消耗大 |
| 抗搅扰 | 优良Cdv/dt按捺 | 惯例机能 |
| 分歧性 | 原厂晶圆，分歧性高 | 整齐不齐 |
| 性价比 | 高靠得住、低本钱 | 入口价高、交期不稳 |
| 产物型号 | 封装 | 范例 | 合用处景 |
|---|---|---|---|
| KNS5610A | SOT-89 | N沟道MOSFET | 高频DC?DC、收集电源、负载开关 |
| 高频同步降压DC?DC转换器 |
| 收集装备电源办理体系 |
| 便携式电子负载开关 |
| 小型电源模块、适配器 |
| 家电节制、产业高压节制板 |
| 高密度PCB空间受限装备 |
| 客户痛点 | 处理计划 |
|---|---|
| 电源发烧严峻、效力低 | 超低Rds(on)，降落导通消耗 |
| PCB空间小、没法规划 | SOT-89小封装，节流空间 |
| 开关搅扰大、体系不不变 | 低栅电荷+强抗搅扰设想 |
| 低温情况易生效 | 宽温-55~150℃，高靠得住性 |
| 入口货期长、本钱高 | 国产原厂，现货不变价优 |
| 引脚号 | 功效界说 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 产物型号 | 封装情势 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNS5610A | SOT-89 | KIA |
| 参数称号 | 标记 | 前提 | 额外值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | Vdss | - | 100 | V |
| 栅源电压 | Vgs | - | 20 | V |
| 持续漏极电流 | Id | Tc=25℃, VGS@10V | 7 | A |
| Id | Tc=100℃, VGS@10V | 5.2 | A | |
| Id | Ta=25℃, VGS@10V | 2 | A | |
| Id | Ta=100℃, VGS@10V | 1.4 | A | |
| 脉冲漏极电流 | Idm | - | 14 | A |
| 功耗 | Pd | Tc=25℃ | 22.7 | W |
| Pd | Ta=25℃ | 2 | W | |
| 雪崩电流 | Ias | - | 6 | A |
| 任务/存储温度 | Tj, Tstg | - | -55~150 | ℃ |
| 参数称号 | 标记 | 典范值 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | - | 2.6 | ℃/W |
| 结-情况热阻 | RθJA | - | 48 | ℃/W |
| 参数称号 | 标记 | 测试前提 | 最小值 | 典范值 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V, Id=250μA | 100 | - | - | V |
| BVdss温度系数 | ΔBVdss/ΔTj | 参考25℃, Id=1mA | - | 0.098 | - | V/℃ |
| 漏源导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V, Id=5A | - | 98 | 115 | mΩ |
| Rds(on) | Vgs=4.5V, Id=3A | - | 110 | 125 | mΩ | |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs, Id=250μA | 1 | 1.85 | 3 | V |
| Vgs(th)温度系数 | ΔVgs(th)/ΔTj | Vds=Vgs, Id=250μA | - | -4.57 | - | mV/℃ |
| 漏源泄电流 | Idss | Vds=80V, Vgs=0V, Tj=25℃ | - | - | 1 | μA |
| Idss | Vds=80V, Vgs=0V, Tj=55℃ | - | - | 5 | μA | |
| 栅源正向泄电流 | Igss | Vgs=±20V, Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 正向跨导 | gfs | Vds=5V, Id=10A | - | 13 | - | S |
| 栅极电阻 | Rg | Vds=0V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 1.8 | - | Ω |
| 总栅极电荷 | Qg | Vds=80V, Id=10A, Vgs=10V | - | 26.2 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=80V, Id=10A, Vgs=10V | - | 4.6 | - | nC |
| 栅泄电荷(Miller) | Qgd | Vds=80V, Id=10A, Vgs=10V | - | 5.1 | - | nC |
| 守旧提早时候 | td(on) | Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V | - | 4.2 | - | ns |
| 回升时候 | tr | Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V | - | 8.2 | - | ns |
| 关断提早时候 | td(off) | Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V | - | 35.6 | - | ns |
| 降落时候 | tf | Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V | - | 9.6 | - | ns |
| 输入电容 | Ciss | Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 1535 | - | pF |
| 输入电容 | Coss | Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 60 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 37 | - | pF |
| 持续源极电流 | Is | Vd=Vg=0V, 正向电流 | - | - | 7 | A |
| 最大脉冲源极电流 | Ism | - | - | - | 49 | A |
| 二极管正向电压 | Vsd | Is=1A, Vgs=0V, Tj=25℃ | - | - | 1.3 | V |
| 反向规复时候 | trr | If=10A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ | - | 37 | - | ns |
| 反向规复电荷 | Qrr | If=10A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ | - | 27.3 | - | nC |
| 曲线编号 | 曲线称号 | 申明 |
|---|---|---|
| Fig.1 | 典范输入特征曲线 | Id与Vds干系，差别Vgs下的导通特征 |
| Fig.2 | 导通电阻-栅源电压 | Rds(on)随Vgs变更的趋向 |
| Fig.3 | 反向二极管正向特征 | Is与Vsd干系，差别结温对照 |
| Fig.4 | 栅极电荷特征曲线 | Vgs随Qg变更，差别Vds对照 |
| Fig.5 | 归一化Vgs(th)-结温 | 阈值电压随温度变更趋向 |
| Fig.6 | 归一化Rds(on)-结温 | 导通电阻随温度变更趋向 |
| Fig.7 | 电容特征曲线 | Ciss/Coss/Crss随Vds变更 |
| Fig.8 | 宁静任务区(SOA) | 差别脉宽下的Id-Vds宁静边境 |
| Fig.9 | 瞬态热阻抗曲线 | 归一化热呼应与脉冲宽度干系 |
| Fig.10 | 开关时候波形 | 守旧/关断提早与回升降落时候波形 |
| Fig.11 | 栅极电荷波形 | Qg测试波形与雪崩能量公式 |
| 上风名目 | 申明 |
|---|---|
| 低导通消耗 | 98mΩ典范Rds(on)，削减发烧 |
| 高频机能优良 | 超低栅极电荷，开关速率快 |
| 抗搅扰才能强 | 优良Cdv/dt按捺，不变性高 |
| 小封装大电流 | SOT-89封装，节流PCB空间 |
| 产业级靠得住性 | 宽温-55~150℃，顺应庞杂情况 |
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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