KNG/KNY/KND/KNB3403C 30V 80A MOSFET 国产替换
信息来历：本站 日期：2026-05-20
DFN/TO 全封装，低至 4.3mΩ，快充 / 电源公用
| 名目 | 概况 |
|---|---|
| 产物系列 | 3403C系列 N沟道MOSFET |
| 产物型号 | KNG3403C/KNY3403C/KND3403C/KNB3403C |
| 封装情势 | DFN3*3/DFN5*6/TO-252/TO-263 |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 焦点规格 | 80A/30V，低Rds(on)大电流MOSFET |
| 特征项 | 申明 |
|---|---|
| 低导通电阻 | DFN封装4.3mΩ/TO封装4.5mΩ典范值 |
| 低反向传输电容 | Low Crss，降落开关消耗 |
| 疾速开关特征 | Fast switching，合适高频利用 |
| 高靠得住性测试 | 100% avalanche tested |
| 抗搅扰才能强 | Improved dv/dt capability |
| 系列 | 3403C 系列 N沟道功率MOSFET |
|---|---|
| 型号 | KNG3403C / KNY3403C / KND3403C / KNB3403C |
| 封装 | DFN3×3 / DFN5×6 / TO?252 / TO?263 |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 焦点规格 | 30V / 80A，超低Rds(on)大电流MOSFET |
| 上风项 | 申明 |
|---|---|
| 超低导通电阻 | 典范4.3mΩ（10V），消耗低、发烧小 |
| 大电流才能 | 持续80A，脉冲320A，合适大功率场景 |
| 开关速率快 | 低Qg、低Crss，高频效力高 |
| 高靠得住性 | 100%雪崩测试，抗打击、耐浪涌 |
| 全封装笼盖 | 贴片/直插齐备，适配差别PCB规划 |
| 国产替换 | 可间接替换IRL3803/FDB8860/SI7140DP等 |
| 利用范畴 | 典范用处 |
|---|---|
| 快充电源 | 适配器、充电器、PD快充、车载快充 |
| 电源办理 | DC?DC、降压/升压模块、产业电源 |
| 电池掩护 | 锂电池BMS、掩护板、电开东西电池 |
| 机电驱动 | 电扇、水泵、小型马达、H桥节制 |
| 负载开关 | 大电流配电、智能装备电源开关 |
| 参数 | 标记 | 数值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 30 | V |
| 持续漏极电流 | ID | 80 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 320 | A |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 功耗（DFN） | PD | 70 | W |
| 功耗（TO） | PD | 83 | W |
| 任务温度 | TJ | ?55~+150 | ℃ |
| 参数 | 标记 | 测试前提 | 典范值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 30 | V |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=20A | 4.3~4.5 | mΩ |
| 栅极电荷 | Qg | VDS=15V,ID=30A | 37.2 | nC |
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V,f=1MHz | 1972 | pF |
| 反向规复时候 | trr | IF=80A,di/dt=100A/μs | 32 | ns |
| 封装 | KIA型号 | 入口竞品 | 国产竞品 |
|---|---|---|---|
| DFN3×3 | KNG3403C | ? | SVG034R3NL5 |
| DFN5×6 | KNY3403C | PH5030AL | MSK80N03NF |
| TO?252 | KND3403C | IRL3803/FDB8860 | NCE3080K |
| TO?263 | KNB3403C | BUZ111SLE3045A | KNB3080B |
| 利用范畴 | 申明 |
|---|---|
| PWM利用 | 机电驱动、高频开关电源 |
| 电源办理 | DC-DC转换器、电池掩护板 |
| 负载开关 | 电子负载、智能装备电源开关 |
| DFN3*3/DFN5*6引脚 | TO-252/TO-263引脚 | 功效界说 |
|---|---|---|
| 4 | 1 | Gate（栅极） |
| 5,6,7,8 | 2 | Drain（漏极） |
| 1,2,3 | 3 | Source（源极） |
| 参数项 | 标记 | 额外值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 30 | V |
| 持续漏极电流@25℃ | ID | 80 | A |
| 持续漏极电流@100℃ | ID | 45 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 320 | A |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 306 | mJ |
| 功耗（DFN封装） | PD | 70 | W |
| 功耗（TO封装） | PD | 83 | W |
| 任务/存储温度规模 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ |
| 焊接温度（1/8英寸，5秒） | TL | 300 | ℃ |
| 参数项 | 标记 | DFN封装值 | TO封装值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 1.8 | 1.5 | ℃/W |
| 参数项 | 标记 | 测试前提 | 典范值/规模 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 30（Min） | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | ≤1（Max） | uA |
| 栅源泄电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | ±100（Max） | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250uA | 1.0~2.2 | V |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=20A,DFN封装 | 4.3~6.0 | mΩ |
| VGS=10V,ID=20A,TO封装 | 4.5~6.0 | mΩ | ||
| VGS=4.5V,ID=20A,DFN封装 | 6.7~9.2 | mΩ | ||
| VGS=4.5V,ID=20A,TO封装 | 7.5~9.2 | mΩ | ||
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | 1972 | pF |
| 输入电容 | Coss | 214 | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 176 | pF | |
| 守旧提早时候 | td(ON) | VGS=10V,VDS=15V,RG=2.7Ω,ID=30A | 21 | ns |
| 回升时候 | tr | 16 | ns | |
| 关断提早时候 | td(OFF) | 62 | ns | |
| 降落时候 | tf | 12 | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=15V,ID=30A,VGS=10V | 37.2 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 5.7 | nC | |
| 栅泄电荷 | Qgd | 7.6 | nC | |
| 体二极管正向电流 | IS | - | 80 | A |
| 体二极管脉冲电流 | ISM | - | 320 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | ISD=30A,VGS=0V | ≤1.2（Max） | V |
| 反向规复时候 | trr | IF=80A,di/dt=100A/μs,Tj=25℃ | 32 | ns |
| 反向规复电荷 | Qrr | 同上前提 | 12 | nC |
| 测试名目 | 电路范例 |
|---|---|
| 栅极电荷测试 | 带电流采样的栅极电荷测试电路 |
| 电阻负载开关测试 | 带电阻负载的开关特征测试电路 |
| 无钳位理性开关测试 | 带电感负载的无钳位开关测试电路 |
| 二极管规复测试 | 体二极管反向规复dv/dt测试电路 |
接洽体例：邹师长教师
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QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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