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KND/KNP/KNF41100A 1000V 2A MOSFET 国产替换

信息来历：本站　日期：2026-05-20　

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KND/KNP/KNF41100A 1000V 2A MOSFET 国产替换

TO-252/TO-220/TO-220F 适配器 / 充电器公用

?? 产物根本信息

名目 概况
产物系列 41100A系列（N沟道MOSFET）
产物型号 KND41100A / KNP41100A / KNF41100A
封装情势 TO-252 / TO-220 / TO-220F
品牌 KIA（KMOS Semiconductor）
焦点规格 2.0A/1000V，Rds(on)=9.6Ω（典范值）

? 产物焦点特征

特征项 申明
合规规范 RoHS Compliant（环保无铅）
导通电阻 Rds(on)=9.6Ω（典范值）@VGS=10V
开关消耗 低栅极电荷设想，降落开关消耗
体二极管 快规复体二极管，按捺反向尖峰

?? 产物根本信息

型号 封装 品牌 焦点规格
KND41100A TO-252（贴片） KIA（KMOS） N沟道 1000V 2A
KNP41100A TO-220（直插） KIA（KMOS） N沟道 1000V 2A
KNF41100A TO-220F（绝缘） KIA（KMOS） N沟道 1000V 2A

? 焦点特征

特征 参数/申明
耐压 VDSS 1000V（最小值）
电流 ID 2A（持续）
导通电阻 Rds(on) 9.6Ω（典范值）@VGS=10V
栅极电荷 Qg 15nC（典范值）
体二极管 快规复，按捺反向尖峰
环保品级 RoHS Compliant

?? 竞品对标（可间接替换）

国产型号 入口对标 封装 参数分歧性
KND41100A IXFN4N100 TO-252 1000V/2A 分歧
KNP41100A IXFP4N100/2SK1119 TO-220 1000V/2A 分歧
KNF41100A IXFP4N100F/STW2N100F TO-220F 1000V/2A 分歧

?? 典范利用处景

利用范畴 利用处景申明
适配器电源 家电/手机适配器、小功率开关电源
充电器电路 快充充电器、小功率充电模块
SMPS帮助电源 高压待电机源、产业帮助电源
LED驱动 高压LED驱动、照明电源

?? 相对最大额外值

参数 标记 数值 单元
漏源电压 VDSS 1000 V
栅源电压 VGSS ±30 V
持续漏极电流 ID 2 A
脉冲漏极电流 IDM 8 A
功耗 PD 60 W
结温规模 Tj -55~150 ℃

?? 电气特征

参数 测试前提 典范值 单元
击穿电压 BV VGS=0V,ID=250μA 1000 V
导通电阻 Rds(on) VGS=10V,ID=1A 9.6 Ω
栅极阈值 Vgs(th) VDS=VGS,ID=250μA 2~4 V
输入电容 Ciss VGS=0V,VDS=25V 370 pF
反向规复时候 trr IF=2A,di/dt=100A/μs 320 ns

?? 典范利用处景

利用范畴 申明
适配器电源 手机/家电适配器、开关电源
充电器电路 快充充电器、小功率充电模块
SMPS待电机源 开关电源待电机路、帮助电源

?? 引脚界说申明

引脚号 功效界说
1 Gate（栅极）
2 Drain（漏极）
3 Source（源极）

?? 相对最大额外值（Tc=25℃）

参数项 标记 额外值 单元
漏源电压 VDSS 1000 V
栅源电压 VGSS ±30 V
持续漏极电流 ID 2.0 A
脉冲漏极电流@VGS=10V IDM 8.0 A
单脉冲雪崩能量（VDD=50V） EAS 80 mJ
功耗@25℃ PD 60 W
最高结温 TJmax 150 ℃
存储温度规模 TSTG -55~150 ℃

??? 热特征参数

参数项 标记 额外值 单元
结-壳热阻 RθJC 2.08 ℃/W
结-情况热阻 RθJA 75 ℃/W

?? 电气特征参数（Tj=25℃）

参数项 标记 测试前提 典范值/规模 单元
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 1000（Min） V
漏源泄电流 IDSS VDS=1000V, VGS=0V ≤1（Max） uA
栅源泄电流 IGSS VGS=±30V, VDS=0V ±100（Max） nA
导通电阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=1.0A 9.6（Typ）/≤12（Max） Ω
栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 2.0~4.0 V
输入电容 Ciss VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz 370（Typ） pF
反向传输电容 Crss 同上前提 4.0（Typ） pF
输入电容 Coss 同上前提 40（Typ） pF
总栅极电荷 Qg VDD=500V, ID=2.0A, VGS=0~10V 15（Typ） nC
栅源电荷 Qgs 同上前提 2.1（Typ） nC
栅漏（米勒）电荷 Qgd 同上前提 6.0（Typ） nC
守旧提早时候 td(ON) VDD=500V, ID=2.0A, RG=12Ω 8.0（Typ） ns
回升时候 trise 同上前提 6.0（Typ） ns
关断提早时候 td(OFF) 同上前提 36（Typ） ns
降落时候 tfall 同上前提 15（Typ） ns
持续源极电流 ISD 体二极管电流 2（Typ） A
二极管正向压降 VSD IS=2.0A, VGS=0V ≤1.5（Max） V
反向规复时候 trr VGS=0V, IF=2.0A, diF/dt=100A/μs 320（Typ） ns
反向规复电荷 Qrr 同上前提 1.0（Typ） uC

?? 测试电路申明

测试名目 电路范例
开关特征测试 带电阻负载的开关测试电路
栅极电荷测试 带帮助电容的栅极电荷测试电路
输入特征测试 差别VGS前提下的输入特征曲线
热阻抗测试 瞬态热阻抗测试电路


接洽体例：邹师长教师

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