KIA6140A 10A/400V MOSFET｜TO-220/TO-220F 双封装低消耗高压管

信息来历：本站　日期：2026-05-07　

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1. 产物特征

工艺手艺	Proprietary New Planar Technology（专有新型立体工艺）
导通电阻(RDS(ON))	典范值0.35Ω @ VGS=10V，最大值0.5Ω
栅极电荷特征	Low Gate Charge Minimize Switching Loss（低栅极电荷，降落开关消耗）
体二极管特征	Fast Recovery Body Diode（快规复体二极管）

2. 典范利用处景

镇流器与照明装备	Ballast and Lighting
DC-AC逆变器	DC-AC Inverter
其余产业利用	Other Applications

KIA6140A 产物先容

KIA6140A（KNP6140A/KNF6140A）是一款高机能 10A/400V N沟道高压功率MOSFET，接纳新型立体工艺制作，具有低导通电阻、低栅极电荷、快规复体二极管、高雪崩能量等焦点上风，专为高压照明、逆变器、产业电源、开关电源等装备设想。

产物有用处理高压体系发烧高、开关消耗大、不变性缺乏等痛点，产业级宽温任务，双封装适配差别设想需要，可间接替换国际/国际同规格竞品，是高压电源装备的高性价比优选计划。

焦点上风亮点

1. 400V高耐压，10A持续电流，知足高压产业装备需要

2.超低导通电阻，典范值0.35Ω，最大仅0.5Ω，消耗更低

3. 低栅极电荷，开关速率快，明显晋升体系转换效力

4.内置快规复体二极管，抗打击才能强，dv/dt机能优良

5. TO-220 / TO-220F 双封装可选，绝缘/非绝缘矫捷适配

6. 高雪崩能量650mJ，靠得住性远超行业规范

7. 任务温度-55℃~150℃，产业级不变耐用

9.合适RoHS环保规范，绿色宁静

KIA6140A

KIA6140A 间接竞品型号一览表

品牌	竞品型号	规格婚配	封装
英飞凌	SPA10N40	10A 400V N沟道	TO-220/TO-220F
意法半导体	STP10NK40	10A 400V N沟道	TO-220/TO-220F
安森美	NTNL10N40	10A 400V N沟道	TO-220F
威世	SiHF10N40	10A 400V N沟道	TO-220
东芝	TK10A40	10A 400V N沟道	TO-220F
士兰微	SVF10N40	10A 400V N沟道	TO-220/TO-220F
新洁能	NCE10TD40	10A 400V N沟道	TO-220F
扬杰	YJ10N40	10A 400V N沟道	TO-220/TO-220F
华微	HM10N40	10A 400V N沟道	TO-220F

KIA6140A VS 竞品焦点参数对照

参数	KIA6140A	国际品牌竞品	国际品牌竞品
耐压 Vdss	400V	400V	400V
持续电流 Id	10A	10A	10A
导通电阻	0.35Ω(典范)	0.4~0.6Ω	0.45~0.65Ω
栅极电荷	28nC	30~38nC	32~40nC
雪崩能量	650mJ	550~620mJ	500~580mJ
封装	TO-220/TO-220F	TO-220/TO-220F	TO-220F
上风	内阻更低、消耗更小、靠得住性更高	价钱高贵、交期长	分歧性普通、消耗偏高

型号与封装选型

完全型号	封装	合用处景
KNP6140A	TO-220	大功率散热优先、产业电源、逆变器
KNF6140A	TO-220F	绝缘需要、照明装备、开关电源、通用工控

典范利用处景

电子镇流器 & LED照明驱动

DC-AC逆变器、不中断电源UPS

高压开关电源、产业节制电源

大功率适配器、充电器

其余高压产业驱动装备

3. 引脚界说（TO-220/TO-220F封装）

引脚号	功效界说
1	Gate（栅极）
2, 4	Drain（漏极）
3	Source（源极）

4. 型号与封装信息

型号	封装	品牌
KNP6140A	TO-220	KIA
KNF6140A	TO-220F	KIA

5. 相对最大额外值 (Tc=25℃)

参数	标记	KNP6140A/TO-220	KNF6140A/TO-220F	单元
漏源电压 (VGS=0V)	V_DSS	400	400	V
栅源电压	V_GSS	±30	±30	V
持续漏极电流	I_D	10 (Tc=25℃)	10 (Tc=25℃)	A
持续漏极电流	I_D	见Figure3 (Tc=100℃)	见Figure3 (Tc=100℃)	A
脉冲漏极电流 (VGS=10V)	I_DM	见Figure6	见Figure6	A
单脉冲雪崩能量	E_AS	650	650	mJ
二极管规复峰值dv/dt	dv/dt	5.0	5.0	V/ns
耗散功率	P_D	140	45	W
25℃以上降额系数	-	1.12	0.37	W/℃
焊接温度	T_L	300 (引线1.6mm处10秒)	300 (引线1.6mm处10秒)	℃
焊接温度	T_PAK	260 (封装体10秒)	260 (封装体10秒)	℃
任务与存储温度规模	T_J & T_STG	-55 ~ +150	-55 ~ +150	℃

6. 热特征参数

参数	标记	KNP6140A/TO-220	KNF6140A/TO-220F	单元
结-壳热阻	R_θJC	0.89	2.7	℃/W
结-情况热阻	R_θJA	62	100	℃/W

7. 电气特征 (Tj=25℃)

参数种别	参数称号	标记	测试前提	最小值	典范值	最大值	单元
关断特征	漏源击穿电压	BV_DSS	V_GS=0V, I_D=250μA	400	-	-	V
	漏源泄电流	I_DSS	V_DS=400V/320V, V_GS=0V; Tj=25℃/125℃	-	-	1/100	μA
	栅源泄电流	I_GSS	V_GS=±30V, V_DS=0V	-	-	+100/-100	nA
导通特征	静态漏源导通电阻	R_DS(ON)	V_GS=10V, I_D=5A	-	0.35	0.5	Ω
	栅极阈值电压	V_GS(th)	V_DS=V_GS, I_D=250μA	2.0	-	4.0	V
	正向跨导	g_fs	V_DS=20V, I_D=10A	-	12	-	S
电容特征	输入电容	C_iss	V_GS=0V, V_DS=25V, f=1.0MHz	-	1254	-	pF
	反向传输电容	C_rss		-	21	-	pF
	输入电容	C_oss		-	150	-	pF
栅极电荷特征	总栅极电荷	Q_g	V_DD=200V, I_D=10A, V_GS=0 to 10V	-	28	-	nC
	栅源电荷	Q_gs		-	7.0	-	nC
	栅泄电荷	Q_gd		-	11	-	nC
开关特征	守旧提早时候	t_d(on)	V_DD=200V, I_D=10A, V_GS=10V, R_G=12Ω	-	14	-	ns
	回升时候	t_rise		-	25	-	ns
	关断提早时候	t_d(off)		-	44	-	ns
	降落时候	t_fall		-	28	-	ns
体二极管特征	持续源极电流	I_SD	MOSFET内集成PN二极管	-	-	10	A
	脉冲源极电流	I_SM	MOSFET内集成PN二极管	-	-	40	A
	二极管正向压降	V_SD	I_S=10A, V_GS=0V	-	-	1.5	V
	反向规复时候	t_rr	V_GS=0V, I_F=10A, di_F/dt=100A/μs	-	303	-	ns
	反向规复电荷	Q_rr	V_GS=0V, I_F=10A, di_F/dt=100A/μs	-	1.8	-	μC

注：以上数据基于Tj=25℃前提，完全特征曲线、测试电路及波形请参考原厂数据手册。

接洽体例：邹师长教师

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）

接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

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