KNM61100A TO-247 封装｜高压电源公用 N 沟道 MOSFET 原厂直供
信息来历：本站 日期：2026-05-07
| 环保合规 | RoHS Compliant（合适RoHS规范） |
| 导通电阻(RDS(ON)) | 典范值1.0Ω @ VGS=10V，最大值1.25Ω |
| 栅极电荷特征 | 低栅极电荷，降落开关消耗 |
| 体二极管特征 | Fast Recovery Body Diode（快规复体二极管） |
| 适配器/电源适配器 | Adaptor |
| 充电器 | Charger |
| 开关电源待电机源 | SMPS Standby Power |
KIA61100A（KNM61100A）是一款高机能 10A / 1000V N沟道高压功率MOSFET，接纳高压立体工艺打造，具有超低导通消耗、低栅极电荷、快规复体二极管、高雪崩能量等焦点上风，专为高压开关电源、适配器、充电器、待电机源等场景设想。
产物具有产业级高靠得住性，任务温度规模宽，耐压不变、消耗低，完善替换国际品牌及国际同规格竞品，在高压电源体系中完成更高效力、更低发烧、更强不变性。
1. 1000V超高耐压，知足各种高压电源体系需要
2. 10A持续任务电流，脉冲电流可达40A，带载才能强
3.超低导通电阻，典范值1.0Ω，开关消耗更低
4.低栅极电荷，晋升开关速率与体系转换效力
5. 内置快规复体二极管，抗打击、抗搅扰才能优良
6.TO-247规范大功率封装，散热机能超卓
7. 任务温度 -55℃ ~ +150℃，知足产业级严苛情况
8.合适RoHS环保规范，绿色宁静靠得住
| 品牌 | 竞品型号 | 规格婚配 | 封装 |
|---|---|---|---|
| 英飞凌 | SPA11N100 | 10A 1000V N沟道 | TO-247 |
| 意法半导体 | STP10NK100Z | 10A 1000V N沟道 | TO-247 |
| 安森美 | NTNL10N100 | 10A 1000V N沟道 | TO-247 |
| 威世 | SiHF10N100 | 10A 1000V N沟道 | TO-247 |
| 东芝 | TK10A100 | 10A 1000V N沟道 | TO-247 |
| 士兰微 | SVF10N100 | 10A 1000V N沟道 | TO-247 |
| 新洁能 | NCE10TD100 | 10A 1000V N沟道 | TO-247 |
| 华微 | HM10N100 | 10A 1000V N沟道 | TO-247 |
| 扬杰 | YJ10N100 | 10A 1000V N沟道 | TO-247 |
| 参数 | KIA61100A | 国际品牌竞品 | 国际品牌竞品 |
|---|---|---|---|
| 耐压(Vdss) | 1000V | 1000V | 1000V |
| 持续电流(Id) | 10A | 10A | 10A |
| 导通电阻 | 1.0Ω (典范) | 1.1~1.4Ω | 1.2~1.5Ω |
| 总栅极电荷 | 71nC | 75~85nC | 80~95nC |
| 雪崩能量 | 900mJ | 700~850mJ | 600~800mJ |
| 封装 | TO-247 | TO-247 | TO-247 |
| 上风 | 更低消耗、更高靠得住性、更快规复 | 价钱高、交期长 | 分歧性普通、消耗偏高 |
| 完全型号 | 封装 | 合用处景 |
|---|---|---|
| KNM61100A | TO-247 | 高压开关电源、适配器、充电器、产业电源 |
| 高压AC-DC开关电源 |
| 电源适配器 & 充电器 |
| 开关电源待电机源 |
| 产业节制高压驱动 |
| LED驱动电源、通讯电源 |
| 引脚号 | 功效界说 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNM61100A | TO-247 | KIA |
| 参数 | 标记 | 规格 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 1000 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | V |
| 持续漏极电流 | ID | 10 | A |
| 脉冲漏极电流 (VGS=10V) | IDM | 40 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 900 | mJ |
| 耗散功率 | PD | 298 | W |
| 25℃以上降额系数 | - | 2.38 | W/℃ |
| 焊接温度 (间隔外壳1.6mm处10秒) | TL | 300 | ℃ |
| 任务与存储温度规模 | TJ & TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 参数 | 标记 | 规格 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 0.42 | ℃/W |
| 结-情况热阻 | RθJA | 55 | ℃/W |
| 参数种别 | 参数称号 | 标记 | 测试前提 | 最小值 | 典范值 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断特征 | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 1000 | - | - | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=1000V/800V, VGS=0V; Tj=25℃/125℃ | - | - | 1/100 | μA | |
| 栅源正向泄电流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| 导通特征 | 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=5A | - | 1.0 | 1.25 | Ω |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V | |
| 正向跨导 | gfs | VDS=15V, ID=5A | - | 7.0 | - | S | |
| 电容特征 | 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 2800 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 46 | - | pF | ||
| 输入电容 | Coss | - | 248 | - | pF | ||
| 栅极电荷特征 | 总栅极电荷 | Qg | VDD=500V, ID=10A, VGS=0~10V | - | 71 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 15 | - | nC | ||
| 栅泄电荷 | Qgd | - | 30 | - | nC | ||
| 开关特征 | 守旧提早时候 | td(on) | VDD=500V, VGS=10V, RG=9.1Ω, ID=10A | - | 46 | - | ns |
| 回升时候 | tr | - | 49 | - | ns | ||
| 关断提早时候 | td(off) | - | 58 | - | ns | ||
| 降落时候 | tf | - | 54 | - | ns | ||
| 体二极管特征 | 持续源极电流 | ISD | MOSFET内集成PN二极管 | - | - | 10 | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | - | - | 40 | A | ||
| 二极管正向压降 | VSD | IS=10A, VGS=0V | - | - | 1.5 | V | |
| 反向规复时候 | trr | VGS=0V, IF=10A, diF/dt=100A/μs | - | 850 | - | ns | |
| 反向规复电荷 | Qrr | - | 4.4 | - | μC |
注：以上数据基于Tj=25℃前提，完全特征曲线、测试电路及波形请参考原厂数据手册。
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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