1、250V高耐压+50A大电流，知足大功率电源、逆变器、机电驱动严苛请求；
2、超低导通电阻45mΩ，发烧更低、转换效力更高，持久运转更稳定；
3、内置快规复体二极管，开关消耗小，抗打击才能强；
4、TO-220F/TO-3P双封装可选，适配差别装备布局设想；
5、100%靠得住性测试，雪崩能量高达1250mJ，产业级品德；
6、可间接替换IRF460、FDP50N25、TK50N25同等规格型号，降落本钱。
KIA3725A｜250V/50A 大功率 MOSFET 低消耗逆变器优选
信息来历：本站 日期：2026-05-06
TO-220F / TO-3P 双封装｜低导通电阻45mΩ｜快规复体二极管｜合用于逆变器、开关电源、机电节制、DC-DC转换
| 品牌型号 | 范例 | Vds | Id | Rds(on) | 封装 | 替换干系 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KIA3725A | N沟道 | 250V | 50A | 45mΩ | TO-220F/TO-3P | 原厂规范品 |
| IRF460 | N沟道 | 250V | 46A | 85mΩ | TO-220 | 间接竞品 |
| FDP50N25 | N沟道 | 250V | 50A | 58mΩ | TO-220 | 间接竞品 |
| MTW50N25 | N沟道 | 250V | 50A | 55mΩ | TO-247 | 高压竞品 |
| SPW50N25 | N沟道 | 250V | 50A | 56mΩ | TO-247 | 间接竞品 |
| TK50N25 | N沟道 | 250V | 50A | 60mΩ | TO-220F | 可进级替换 |
| 品牌 | 型号 | 替换申明 |
|---|---|---|
| IR | IRF460 | 250V 间接PIN对PIN替换 |
| ONSEMI | FDP50N25 | 机能进级 无需改板 |
| TOSHIBA | TK50N25 | TO-220F 完善兼容 |
| 国产 | MTW50N25 | 大功率场景替换 |
| 引脚 (Pin) | 功效 (Function) |
|---|---|
| 1 | Gate (栅极) |
| 2 | Drain (漏极) |
| 3 | Source (源极) |
封装情势：TO-220F / TO-3P（引脚界说分歧）
| 型号 (Part Number) | 封装 (Package) | 品牌 (Brand) |
|---|---|---|
| KNF3725A | TO-220F | KIA |
| KNH3725A | TO-3P | KIA |
前提：TC=25℃，除非还有申明
| 参数 (Parameter) | 标记 (Symbol) | TO-220F | TO-3P | 单元 (Unit) |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 250 | 250 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±20 | ±20 | V |
| 持续漏极电流 @ TC=25℃ | ID | 50 | 50 | A |
| 持续漏极电流 @ TC=100℃ | ID | 25 | 25 | A |
| 脉冲漏极电流 @ VGS=10V | IDM | 200 | 200 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1250 | 1250 | mJ |
| 二极管峰值规复dV/dt | dv/dt | 5.0 | 5.0 | V/ns |
| 耗散功率 | PD | 125 | 278 | W |
| 降额系数（高于25℃） | 1.0 | 1.0 | W/℃ | |
| 焊接温度 | TL（引脚） | 300 | 300 | ℃ |
| TPAK（本体） | 260 | 260 | ℃ | |
| 任务与存储温度规模 | TJ & TSTG | -55 ~ 150 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数 (Parameter) | 标记 (Symbol) | TO-220F | TO-3P | 单元 (Unit) |
|---|---|---|---|---|
| 结到情况热阻 | RθJA | 100 | 50 | ℃/W |
| 结到壳热阻 | RθJC | 1.0 | 0.45 | ℃/W |
前提：TJ=25℃，除非还有申明
| 参数 (Parameter) | 标记 (Symbol) | 测试前提 (Conditions) | 最小值 (Min.) | 典范值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单元 (Unit) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 250 | - | - | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=250V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| VDS=200V, VGS=0V, TJ=125℃ | - | - | 100 | μA | ||
| 栅源泄电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=25A | - | 45 | 60 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| 正向跨导 | gfs | VDS=15V, ID=20A | - | 65 | - | S |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 3500 | - | pF |
| 输入电容 | Coss | - | 480 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 248 | - | pF | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=100V, ID=20A, VGS=0到10V | - | 72 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 25 | - | nC | |
| 栅泄电荷 | Qgd | - | 18 | - | nC | |
| 守旧提早时候 | td(on) | VDD=100V, ID=20A, VGS=10V, RG=3.9Ω | - | 18 | - | ns |
| 回升时候 | tr | - | 29 | - | ns | |
| 关断提早时候 | td(off) | - | 63 | - | ns | |
| 降落时候 | tf | - | 24 | - | ns | |
| 持续源泄电流 | ISD | 集成PN二极管 | - | - | 50 | A |
| 脉冲源泄电流 | ISM | 集成PN二极管 | - | - | 200 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V, IS=40A | - | - | 1.5 | V |
| 反向规复时候 | trr | VGS=0V, IF=20A, dIF/dt=100A/μs | - | 180 | - | ns |
| 反向规复电荷 | Qrr | - | 400 | - | μC |
接洽体例：邹师长教师
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手机：18123972950（微信同号）
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