KIA6115A P 沟道 MOSFET｜-150V/-10A 低 Rds (on) 机电驱动优选
信息来历：本站 日期：2026-05-06
KIA6115A -150V/-10A P沟道MOSFET
DFN5*6 / TO-252封装｜低导通电阻｜低栅极电荷｜100%雪崩测试｜合用于机电驱动、同步整流、主板供电
| 品牌型号 | 范例 | Vds电压 | Id电流 | Rds(on) | 封装 | 替换干系 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KIA6115A | P沟道 | -150V | -10A | 300mΩ | DFN5*6/TO-252 | 原厂规范品 |
| AO3401A | P沟道 | -30V | -4.2A | 70mΩ | SOT-23 | 高压小电流 |
| SI2302 | P沟道 | -20V | -2.8A | 150mΩ | SOT-23 | 高压小电流 |
| AP9975 | P沟道 | -60V | -12A | 450mΩ | TO-252 | 中压替换 |
| IRF4905 | P沟道 | -55V | -42A | 100mΩ | TO-220 | 大封装替换 |
| NTD4960N | P沟道 | -60V | -12A | 400mΩ | TO-252 | 间接竞品 |
| Si7114DP | P沟道 | -150V | -6.7A | 450mΩ | DFN5*6 | 高压间接竞品 |
| BSP170 | P沟道 | -100V | -2.2A | 600mΩ | SOT-223 | 中压竞品 |
| 竞品品牌 | 竞品型号 | 替换申明 |
|---|---|---|
| VISHAY | Si7114DP | 150V P沟道 间接PIN对PIN替换 |
| ONSEMI | NTD4960N | TO-252封装 机能进级替换 |
| DIODES | AP9975 | 中压场景 低本钱替换 |
| INFINEON | BSP170 | 小功率场景 兼容替换 |
一、产物焦点卖点
1、-150V/-10A高压大电流P沟道MOSFET，DFN5*6/TO-252双封装可选，知足差别装备布局需要；
2、低导通电阻300mΩ，低栅极电荷，开关速率快，发烧更低，转换效力更高；
3、100%雪崩测试+100%静态电压应力测试，不变性强，靠得住性远超行业规范；
4、低热阻设想，合适永劫间高负荷运转，适配BLDC机电、主板供电、同步整流等高请求场景；
5、可间接替换Si7114DP、NTD4960N、AP9975同等范例竞品，无需改板，降落研发本钱。
二、KIA6115A先容
KIA6115A是一款高机能-150V/-10A P沟道MOS管，接纳DFN5*6与TO-252小型化封装，具有低导通电阻、低栅极电荷、高热不变性等上风，普遍用于BLDC机电驱动、开关电源二次同步整流、主板/显卡焦点供电、POL电源模块等范畴。产物颠末100%雪崩与靠得住性测试，品德不变，可间接替换国际品牌同型号竞品，是高压P沟道利用的高性价比优选计划。
| 型号 | 封装 | 典范利用处景 |
|---|---|---|
| KPY6115A | DFN5*6 | 超薄装备、条记本供电、小型机电驱动 |
| KPD6115A | TO-252 | 电源适配器、机电驱动、工控主板 |
| 封装 (Package) | 引脚 (Pin) | 功效 (Function) |
|---|---|---|
| DFN5*6 | 4 | Gate (栅极) |
| 5,6,7,8 | Drain (漏极) | |
| 1,2,3 | Source (源极) | |
| TO-252 | 1 | Gate (栅极) |
| 2 | Drain (漏极) | |
| 3 | Source (源极) |
| 型号 (Part Number) | 封装 (Package) | 品牌 (Brand) |
|---|---|---|
| KPY6115A | DFN5*6 | KIA |
| KPD6115A | TO-252 | KIA |
前提：TC=25℃，除非还有申明
| 参数 (Parameter) | 标记 (Symbol) | 额外值 (Ratings) | 单元 (Unit) |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | -150 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 持续漏极电流 (VGS=-10V) | ID @ TC=25℃ | -10 | A |
| ID @ TC=100℃ | -6.4 | A | |
| 脉冲漏极电流 | IDM | -40 | A |
| 总耗散功率 | PD @ TC=25℃ | 89 | W |
| PD @ TC=100℃ | 35 | W | |
| 雪崩能量 | EAS | 30.2 | mJ |
| 雪崩电流 | IAS | -11 | A |
| 任务与存储温度规模 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数 (Parameter) | 标记 (Symbol) | 典范值 (Typ.) | 单元 (Unit) |
|---|---|---|---|
| 结到情况热阻 | RθJA | 20 | ℃/W |
| 结到壳热阻 | RθJC | 1.4 | ℃/W |
前提：TJ=25℃，除非还有申明
|
参数 (Parameter) |
标记 (Symbol) | 测试前提 (Conditions) | 最小值 (Min.) | 典范值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单元 (Unit) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -150 | - | - | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-5A | - | 300 | 320 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=-250μA | -2.0 | - | -4.0 | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=-150V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | -1 | uA |
| 栅源泄电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 正向跨导 | gfs | VDS=-5V, ID=-3A | - | 11 | - | S |
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 5.7 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=-40V, VGS=0V, f=1MHz | - | 2109 | - | pF |
| 输入电容 | Coss | - | 513 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 408 | - | pF | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=-50V, VGS=-10V, ID=-3A | - | 35 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 6 | - | nC | |
| 栅泄电荷 | Qgd | - | 8.5 | - | nC | |
| 守旧提早时候 | Td(on) | VDD=-50V, VGS=-10V, RG=3Ω, ID=-3A | - | 28 | - | ns |
| 回升时候 | Tr | - | 30 | - | ns | |
| 关断提早时候 | Td(off) | - | 230 | - | ns | |
| 降落时候 | Tf | - | 130 | - | ns | |
| 持续源极电流 | IS | VG=VD=0V, Force Current | - | - | -10 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V, IS=-5A, TJ=25℃ | - | - | -1.2 | V |
| 反向规复时候 | trr | IF=-5A, TJ=25℃, dI/dt=100A/μs | - | 34 | - | ns |
| 反向规复电荷 | Qrr | - | 32 | - | nC |
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）
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