KIA3004B 40V/120A MOSFET｜DFN5*6 封装 超低内阻大电流管
信息来历：本站 日期：2026-05-07
| 工艺手艺 | Advanced Trench technology（进步前辈沟槽工艺） |
| 导通电阻(RDS(ON)) | 典范值2.4mΩ @ VGS=10V，最大值3.2mΩ |
| 栅极电荷特征 | Super Low Gate Charge（超低栅极电荷） |
| 环保特征 | Green Device Available（绿色环保器件） |
| EMI机能 | Excellent CdV/dt effect decline（超卓的CdV/dt效应按捺） |
| 靠得住性测试 | 100% ΔVds TESTED（100%电压变更测试）、100% UIS TESTED（100%非钳位理性开关测试） |
| 引脚号 | 功效界说 |
|---|---|
| 4 | Gate（栅极） |
| 5, 6, 7, 8 | Drain（漏极） |
| 1, 2, 3 | Source（源极） |
KIA3004B（KNY3004B）是一款接纳进步前辈沟槽工艺制作的**40V 120A 超低内阻N沟道MOSFET**，DFN5×6小型化大功率封装，具有超低导通电阻、超低栅极电荷、超强散热才能，专为大电流、高密度、高效力电源体系设想。
产物完善处理大电流装备发烧高、内阻大、体积受限、效力缺乏等痛点，普遍用于能源电池掩护、大功率机电驱动、快充电源、无人机、储能模块等高请求场景，机能对标国际一线品牌，是大电流高压MOS的优选计划。
1. 40V耐压 + 120A超大电流，知足大功率大电流需要
2.超低导通电阻，典范值2.4mΩ，最大仅3.2mΩ
3. 超低栅极电荷，开关速率快、消耗极低
4.DFN5×6超薄封装，体积小、散热强、密度高
5. 100%经由过程UIS雪崩测试，靠得住性拉
6. 优良dv/dt按捺才能，EMI机能更强
7. 任务温度-55℃~150℃，产业级高不变
8.绿色环保器件，合适行业规范
| 品牌 | 竞品型号 | 规格婚配 | 封装 |
|---|---|---|---|
| 英飞凌 | BSC010N04LS | 40V 120A N沟道 | DFN5×6 |
| 安森美 | FDMS0304S | 40V 120A N沟道 | DFN5×6 |
| 威世 | SiS410DN | 40V 120A N沟道 | DFN5×6 |
| 东芝 | TPN1R404 | 40V 120A N沟道 | DFN5×6 |
| 士兰微 | SVF120N04D | 40V 120A N沟道 | DFN5×6 |
| 新洁能 | NCE3004BG | 40V 120A N沟道 | DFN5×6 |
| 华之鹏 | HP3004B | 40V 120A N沟道 | DFN5×6 |
| 扬杰 | YJ120N04D | 40V 120A N沟道 | DFN5×6 |
| 参数 | KIA3004B | 国际品牌竞品 | 国际品牌竞品 |
|---|---|---|---|
| 耐压 Vdss | 40V | 40V | 40V |
| 持续电流 Id | 120A | 100~120A | 100~120A |
| 导通电阻 | 2.4mΩ(典范) | 2.5~3.5mΩ | 2.8~4.0mΩ |
| 封装 | DFN5×6 | DFN5×6 | DFN5×6 |
| 栅极电荷 | 110nC | 115~130nC | 120~140nC |
| 上风 | 内阻更低、发烧更小、分歧性更好 | 价钱高贵、交期不不变 | 内阻偏高、靠得住性普通 |
| 完全型号 | 封装 | 合用处景 |
|---|---|---|
| KNY3004B | DFN5×6 | 大电流电源、电池掩护、机电驱动、快充、无人机 |
| 能源电池掩护板 |
| 大功率快充电源 & 挪动电源 |
| 无人机能源体系 & 航模电调 |
| 直流机电驱动 / 无刷机电节制 |
| 储能装备、大电流负载开关 |
| 小型化高密度电源模块 |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNY3004B | DFN5*6 | KIA |
| 参数 | 标记 | 规格 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 (VGS=0V) | VDS | 40 | V |
| 栅源电压 (VDS=0V) | VGS | ±20 | V |
| 持续漏极电流 | ID | 120 (Tc=25℃) | A |
| 77 (Tc=100℃) | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IDM | 480 | A |
| 总耗散功率 (Tc=25℃) | PD | 88.2 | W |
| 雪崩能量 | EAS | 361 | mJ |
| 任务与存储温度规模 | TJ & TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 参数 | 标记 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 1.7 | ℃/W |
| 参数种别 | 参数称号 | 标记 | 测试前提 | 最小值 | 典范值 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断特征 | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 40 | - | - | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=40V, VGS=0V | - | - | 1 | μA | |
| 栅源泄电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| 导通特征 | 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250μA | 1.0 | 1.6 | 2.5 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=30A | - | 2.4 | 3.2 | mΩ | |
| VGS=4.5V, ID=20A | - | 3.0 | 4.2 | mΩ | |||
| 静态特征 | 栅极电阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 1.4 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=20V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 5020 | - | pF | |
| 输入电容 | Coss | - | 415 | - | pF | ||
| 反向传输电容 | Crss | - | 350 | - | pF | ||
| 开关特征 | 守旧提早时候 | td(on) | VDS=20V, VGS=10V, RG=2.0Ω, ID=30A | - | 13 | - | ns |
| 回升时候 | tr | - | 15 | - | ns | ||
| 关断提早时候 | td(off) | - | 48 | - | ns | ||
| 降落时候 | tf | - | 20 | - | ns | ||
| 栅极电荷特征 | 总栅极电荷 | Qg | VDS=20V, VGS=10V, ID=30A | - | 110 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 8.2 | - | nC | ||
| 栅泄电荷 | Qgd | - | 26 | - | nC | ||
| 体二极管特征 | 持续源极电流 | ISD | - | - | - | 120 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V, ISD=30A, Tj=25℃ | - | - | 1.2 | V | |
| 反向规复时候 | trr | Tj=25℃, IF=30A, diF/dt=100A/μs | - | 42 | - | ns | |
| 反向规复电荷 | Qrr | - | 46 | - | nC | ||
| 固有守旧时候 | ton | - | Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS + LD) | - | - | - | - |
注：以上数据基于TA=25℃前提，完全特征曲线、测试电路及波形请参考原厂数据手册。
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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