5n50,5n50场效应管,500v5a,to252,KIA5N50HD现货-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2026-03-31
原厂优良现货KIA5N50HD场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流5A，用进步前辈的沟槽手艺出产，低导通电阻RDS(导通) 1.0Ω，最大限制地削减导电消耗，最小化开关消耗，进步效力；具备低栅极电荷，开关速率快和在峰值电流或脉冲宽度方面表现出超卓的机能，高效不变，合适RoHS环保请求，公用于HD安靖器、适配器、充电器和SMPS备用电源中，封装情势：TO-252，散热超卓。
具体参数：
漏源电压：500V
漏极电流：5A
导通电阻：1.0Ω
栅源电压：±20V
单脉冲雪崩能量：260MJ
功率耗散：100W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：14nC
输入电容：525PF
输入电容：64PF
反向传输电容：12PF
守旧提早时候：9nS
关断提早时候：30nS
回升时候：11ns
降落时候：16ns
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
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