17N10场效应管,259a100v,KCX017N10N参数材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2025-07-02
KCX017N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流259A ，接纳进步前辈的MOS手艺制作，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，出色的QgxRDS（on）产物（FOM），削减开关消耗，进步效力；合适JEDEC规范，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保靠得住性和不变性，在机电节制和驱动、电池办理、不中断电源（UPS）中普遍利用；封装情势：TO-263、TOLL，散热杰出。
漏源电压：100V
漏极电流：259A
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：1036A
单脉冲雪崩能量：1365MJ
功率耗散：250W
阈值电压：3V
总栅极电荷：176nC
输入电容：10120PF
输入电容：1360PF
反向传输电容：50PF
守旧提早时候：85nS
关断提早时候：92nS
回升时候：137ns
降落时候：98ns
接洽体例：邹师长教师
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