逆变mos管,60v80amos管,KCD3406A场效应管参数-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2025-03-12
逆变器公用mos管KCD3406A漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，接纳进步前辈的LVMOS工艺手艺出产，SGT MOSFET经由过程布局改良晋升机能，在降落导通电阻和开关消耗方面表现超卓，最大限制地降落导通电阻，RDS(开启) =8.5mΩ；具备低栅电荷、低反应电容、开关速率快、改良的dvdt功效，高效不变；普遍利用于二次同步整流、逆变器电源办理，封装情势：TO-252。
漏源电压：60V
漏极电流：80A
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：240A
雪崩能量单脉冲：81MJ
总功耗：63W
阈值电压：2.0V
总栅极电荷：16.8nC
输入电容：1065PF
输入电容：430PF
反向传输电容：22PF
守旧提早时候：8nS
关断提早时候：19nS
回升时候：54ns
降落时候：8.8ns
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜刮微信公家号:“KIA半导体”或扫码存眷官方微信公家号
存眷官方微信公家号：供给 MOS管 手艺撑持
免责申明：网站局部图文来历别的来由，若有侵权请接洽删除。
