KIA半导体推出碳化硅二极管（SiC diode）
信息来历：KIA半导体 日期：2016-03-19
为了知足严酷的最新效力标准（动力之星、80Plus、欧洲动力效力）的请求，电源设想者必须斟酌操纵新型功率转换器拓扑和效力更高的电子元件，比方高压碳化硅（SiC）二极管。
KIA半导体的SiC二极管操纵了碳化硅超卓的物理特征，其静态反向规复特征比硅好4倍、正向导通电压VF比它低15%。
在硬开关操纵中，比方高端办事器和通信电源，SiC肖特基二极管大幅下降了功率消耗，并且获得了普遍操纵。它们还愈来愈多地被操纵到太阳能逆变器、机电驱动器、不中断电源（UPS）和电动车（EV）当中。
KIA半导体推出了全套SiC二极管，其电压规模为600 ~ 1700 V。这些产物供给多种封装选项，让设想者可以或许矫捷进步效力和靠得住性，加速产物面市步调，增添本钱。
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