KIA半导体推出超结场效应管(Super Junction MOSFET)
信息来历：本站 日期：2016-03-19
接纳进步前辈的耐压道理和优化的设想布局,全新600～900V SJ-MOS Ⅱ系列产物为体系利用供给充沛的耐压余量，简化体系设想难度，进步体系靠得住性，知足客户对高耐压、低导通电阻和高效力超结MOSFET的需要。
特征：
- 更高的耐压为体系设想和利用供给更充沛的余量
- 更低的导通电阻，利于下降导通消耗
- 极低的栅极电荷，供给更快的开关速率
- 同规格下更小的封装体积，使体系更简便
- 100% 雪崩才能测试，确保产物品质靠得住
利用范畴：
- 正激电路
- 准谐振反激电路
- 适配器
- 太阳能逆变器
- 产业整流
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
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接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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