KCM3650参数

高电压MOSFET接纳进步前辈的停止计划，供给加强的电压。不随时候下降机能的梗阻才能。另外，这类进步前辈的MOSFET设想可以或许蒙受高能量的雪崩和弛刑情势。新的节能设想还供给了一个疾速规复时候二极管源漏。高电压设想，高速开关电源，转换器和PWM机电节制中的利用法式，这些装备出格合用于桥式电路，二极管速率和换向宁静操纵地区。关头和供给额定的和宁静边沿对不测电压瞬变。

KCM3650特色

壮大的高压停止

雪崩能量

源漏二极管规复时候相称于分立快规复二极管

二极管的特色是用于桥式电路

IDSS和VDS（上）指定低温

断绝装置孔削减装置硬件

KCM3650参数目标

产物型号：KIA3650

任务体例：60A/500V

漏源电压：500V

栅源电压：±20V

泄电留连续：60A

脉冲漏极电流：180A

雪崩能量：1280mJ

耗散功率：54W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：500V

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：3180 PF

输入电容:4400 PF

回升时候：52 ns

封装情势：TO-220F、TO-247

	KCM3650（60A 500V）
产物编号	KCM3650A
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	高电压MOSFET接纳进步前辈的停止计划，供给加强的电压。不随时候下降机能的梗阻才能。另外，这类进步前辈的MOSFET设想可以或许蒙受高能量的雪崩和弛刑情势。新的节能设想还供给了一个疾速规复时候二极管源漏。高电压设想，高速开关电源，转换器和PWM机电节制中的利用法式。
产物特色	壮大的高压停止雪崩能量源漏二极管规复时候相称于分立快规复二极管二极管的特色是用于桥式电路 IDSS和VDS（上）指定低温断绝装置孔削减装置硬件
合用规模	首要合用于桥式电路，二极管速率和换向宁静操纵地区。关头和供给额定的和宁静边沿对不测电压瞬变。
封装情势	TO-220F、TO-247
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
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