KNF4665参数目标

功率MOSFET接纳起亚的高等立体条形DMOS工艺出产。这类进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的开关机能，在雪崩和换流情势下蒙受高能量脉冲。这些装备很是合适于高效力开关电源，有源功率因数校订的根本上半桥拓扑。

KNF4665特点

7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V

低栅极电荷（典范的25nc）

高耐用性

疾速切换

100%雪崩测试

改良的dv / dt的才能

KNF4665参数

产物型号：KNF4665

任务体例：7A/650V

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

泄电留连续：7.5A

脉冲漏极电流：30A

雪崩能量：21mJ

耗散功率：147W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：650V

温度系数：0.65V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：970 PF

输入电容:40 PF

回升时候：21 ns

封装情势：TO-220、TO-220F

	KNF4665
产物编号	KNF4665（7A 650V）
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	功率MOSFET接纳起亚的高等立体条形DMOS工艺出产。这类进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的开关机能，在雪崩和换流情势下蒙受高能量脉冲。这些装备很是合适于高效力开关电源，有源功率因数校订的根本上半桥拓扑
产物特点	7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V 低栅极电荷（典范的25nc）高耐用性疾速切换 100%雪崩测试改良的dv / dt的才能
合用规模	首要合适于高效力开关电源，有源功率因数校订的根本上半桥拓扑
封装情势	TO-220、TO-220F
PDF文件	【间接在线预览】
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
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