KIA2904A 系列 MOS 管 40V130A 低内阻多封装国产替换
信息来历：本站 日期：2026-06-01
KNY/KND/KNB/KNP2904A N 沟道大功率 MOSFET
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| 名目 | 参数申明 |
|---|---|
| 型号 | 2904A（KNY/KND/KNB/KNP系列） |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 范例 | N-Channel MOSFET |
| 额外电流 | 130A |
| 额外电压 | 40V |
| RDS(ON)=2.0mΩ@VGS=10V(DFN5×6) |
| RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V(TO-252/263/220) |
| 极低导通电阻RDS(ON) |
| 低Crss，疾速开关特征 |
| 100%雪崩测试，靠得住性高 |
| 改良的dv/dt抗搅扰才能 |
| PWM利用电路 |
| 负载开关 |
| 电源办理模块 |
| 型号 | 封装 | 引脚功效申明 |
|---|---|---|
| KNY2904A | DFN5×6 | 4:Gate 5/6/7/8:Drain 1/2/3:Source |
| KND2904A | TO-252 | 1:Gate 2:Drain 3:Source |
| KNB2904A | TO-263 | 1:Gate 2:Drain 3:Source |
| KNP2904A | TO-220 | 1:Gate 2:Drain 3:Source |
| 参数项 | 标记 | DFN5×6 | TO-252 | TO-263/TO-220 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 40 | 40 | 40 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±20 | ±20 | ±20 | V |
| 持续泄电流(25℃) | ID | 130 | 130 | 130 | A |
| 持续泄电流(100℃) | ID | 84 | 84 | 84 | A |
| 脉冲泄电流 | IDM | 400 | 400 | 400 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 250 | 250 | 250 | mJ |
| 功耗(25℃) | PD | 54 | 130 | 328 | W |
| 焊接温度(5秒) | TL | 300 | 300 | 300 | ℃ |
| 任务/存储温度 | TJ/TSTG | -55~150 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| 参数项 | 标记 | DFN5×6 | TO-252 | TO-263/TO-220 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 2.3 | 0.96 | 0.38 | ℃/W |
| 参数项 | 标记 | 测试前提 | Min | Typ | Max | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 40 | - | - | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=40V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源泄电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250uA | >1.0 | 1.5 | 2.3 | V |
| 导通电阻(DFN5×6) | RDS(ON) | VGS=10V,ID=20A | - | 2.0 | 2.7 | mΩ |
| VGS=4.5V,ID=15A | - | 2.6 | 3.5 | mΩ | ||
| 导通电阻(其余封装) | RDS(ON) | VGS=10V,ID=20A | - | 2.5 | 3.2 | mΩ |
| VGS=4.5V,ID=15A | - | 3.1 | 4.2 | mΩ | ||
| 栅极串连电阻 | RG | f=1MHz | - | 1.3 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | - | 6260 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 580 | - | pF | |
| 输入电容 | Coss | - | 570 | - | pF | |
| 守旧提早时候 | td(on) | VGS=10V,VDS=20V,RL=3Ω,ID=10A,TJ=25℃ | - | 18 | - | ns |
| 回升时候 | tr | - | 20 | - | ns | |
| 关断提早时候 | td(off) | - | 50 | - | ns | |
| 降落时候 | tf | - | 16 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=15V,ID=20A,VGS=10V | - | 135 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 30 | - | nC | |
| 栅泄电荷 | Qgd | - | 19 | - | nC | |
| 体二极管持续电流 | IS | - | - | - | 130 | A |
| 体二极管脉冲电流 | ISM | - | - | - | 400 | A |
| 体二极管正向电压 | VSD | ISD=20A,VGS=0V,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 型号 | 封装 | 范例 |
|---|---|---|
| KNY2904A | DFN5×6 贴片 | N沟道MOSFET |
| KND2904A | TO-252 贴片 | N沟道MOSFET |
| KNB2904A | TO-263 贴片 | N沟道MOSFET |
| KNP2904A | TO-220 直插 | N沟道MOSFET |
| 参数项 | 规格 |
|---|---|
| 漏源耐压 VDSS | 40V |
| 持续漏极电流 ID | 130A |
| 导通电阻 RDS(on) | 2.0~2.5mΩ @VGS=10V |
| 栅源耐压 VGSS | ±20V |
| 任务结温 | -55℃ ~ +150℃ |
| 特点上风 | 超低内阻、疾速开关、雪崩测试 |
| 超低内阻，发烧更低，转换效力更高 |
| 130A超大电流，知足大功率驱动需要 |
| 疾速开关特征，低消耗，适配高频电路 |
| 100%雪崩测试，高靠得住，不易炸管 |
| 多封装可选，适配各种PCB布局设想 |
| 产业级宽温，不变运转，寿命更长 |
| ? 国产原厂，交期不变，性价比更高 |
四、全行业竞品对标型号
| 品牌 | 平替产物型号 | 封装 | 对标参数 |
|---|---|---|---|
| 万代/AOS | AON6414/AO4407 | DFN/TO-252 | 40V 130A 对标 |
| 英飞凌 | IRL3803/IRL4040 | TO-252/220 | 40V 大电流对标 |
| 安森美 | NTD4960N/NTD3055 | TO-252 | 40V 低内阻对标 |
| 新洁能 | NCE40H120/NCE4080 | 全封装 | 40V 120A+ 间接替换 |
| 士兰微 | SVF40120P/SVF4080 | 全封装 | 40V 大电流替换 |
| 扬杰科技 | YJ40120/YJ4080 | 全封装 | 40V 低内阻替换 |
| 华羿微 | HY40120/HY3803 | 全封装 | 40V 120A+ 替换 |
| 捷捷微 | JJM40120/JJM4080 | 全封装 | 40V 大电流替换 |
| 东微半导 | TDM40120 | 全封装 | 40V 低内阻替换 |
| 【KIA2904A系列】40V 130A 超低内阻MOS管 |
| 内阻低至2.0mΩ，大电流低发烧，效力更高 |
| DFN/TO-252/263/220全封装，适配全场景 |
| 100%雪崩测试，高靠得住，产业级品德 |
| 开关速率快，消耗低，完善替换入口型号 |
| 电源办理、机电驱动、大功率电路首选 |
| 国产原厂现货，交期稳，性价比行业抢先 |
| 大功率电源办理模块、能源电池掩护板 |
| 机电驱动、无刷机电节制器、电开东西 |
| 光伏逆变器、储能电源、大功率放电回路 |
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| 汽车电子、产业节制、智能装备驱动 |
接洽体例：邹师长教师
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