KIA4750SD/KIA4750SP 500V9A MOS 管 低内阻国产替换
信息来历：本站 日期：2026-06-01
0.7Ω 低内阻低栅电荷 开关电源充电器公用 MOSFE
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| 名目 | 参数 |
|---|---|
| 型号 | 4750S |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 范例 | N-Channel MOSFET |
| 额外电流 | 9A |
| 额外电压 | 500V |
| ? 合适RoHS环保规范 |
| ? RDS(ON)=0.7Ω@VGS=10V（典范值） |
| ? 低栅极电荷，降落开关消耗 |
| ? 内置快规复体二极管 |
| ? 适配器、充电器 |
| ? SMPS待电机源 |
| ? 各种开关电源与电源模块 |
| 引脚号 | 功效 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2/4 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 封装 | TO-252 / TO-220 |
| 参数 | 标记 | TO-252 | TO-220 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 500 | 500 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | ±30 | V |
| 持续漏极电流 | ID | 9.0 | 9.0 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 28 | 32 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 400 | 400 | mJ |
| 二极管规复dv/dt | dv/dt | 5.5 | 5.5 | V/ns |
| 功耗 | PD | 120 | 120 | W |
| 功耗降额系数 | - | 0.96 | 0.96 | W/℃ |
| 任务温度规模 | TJ&TSTG | -55 ~ +150 | ℃ | |
| 参数 | 标记 | TO-252 | TO-220 | 单元 |
|---|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | θJC | 1.04 | 1.04 | ℃/W |
| 结-情况热阻 | θJA | 75 | 62 | ℃/W |
| 参数 | 标记 | 测试前提 | 典范值 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 500 | - | V |
| 栅源击穿电压 | VGSO | IGS=±1mA(开漏) | ±30 | - | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=500V, VGS=0V | - | 1 | μA |
| 栅源泄电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | ±10 | μA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | - | 4.0 | V |
| 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=4A | 0.7 | 0.9 | Ω |
| 跨导 | gfs | VDS=15V, ID=3A | 8.5 | - | S |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz | 960 | - | pF |
| 输入电容 | Coss | 110 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 10 | - | pF | |
| 栅极电阻 | Rg | - | 1.3 | - | Ω |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=30V, VGS=0~10V, ID=8/9A | 24 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 4.0 | - | nC | |
| 栅泄电荷 | Qgd | 10 | - | nC | |
| 守旧提早时候 | td(ON) | VDD=250V, VGS=10V, RG=12Ω, ID=8/9A | 11 | - | nS |
| 回升时候 | trise | 17 | - | nS | |
| 关断提早时候 | td(OFF) | 46 | - | nS | |
| 降落时候 | tfall | 22 | - | nS | |
| 体二极管正向电压 | VSD | IS=8/9A, VGS=0V | - | 1.5 | V |
| 反向规复时候 | trr | IF=8/9A, diF/dt=100A/μs | 175 | - | ns |
| 反向规复电荷 | Qrr | IF=8/9A, diF/dt=100A/μs | 750 | - | nC |
| 型号 | 封装 | 范例 |
|---|---|---|
| KIA4750SD | TO-252 贴片 | N沟道高压MOSFET |
| KIA4750SP | TO-220 直插 | N沟道高压MOSFET |
| 参数项 | 规格 |
|---|---|
| 漏源耐压 VDSS | 500V |
| 持续漏极电流 ID | 9A |
| 导通电阻 RDS(on) | 0.7Ω@VGS=10V（典范值） |
| 栅极阈值电压 | 2.0~4.0V |
| 任务结温 | -55℃ ~ +150℃ |
| 栅源耐压 VGSS | ±30V |
| 功耗 PD | 120W |
| 特点 | 低栅电荷 + 快规复体二极管 |
| ? 500V高耐压，开关电源更宁静 |
| ? 0.7Ω低内阻，发烧小、效力高 |
| ? 低栅极电荷，开关速率快、消耗低 |
| ? 内置快规复二极管，抗打击才能强 |
| ? 双封装可选，适配贴片与直插计划 |
| ? 宽温任务，产业级不变不炸管 |
| ? 国产原厂，交期稳、性价比高 |
四、全行业间接平替型号对标
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 对标规格 |
|---|---|---|---|
| 英飞凌 | SPA05N50C3 | TO-252/TO-220 | 500V 4.5A 对标 |
| 安森美 | NTD4950N | TO-252 | 500V 6A 对标 |
| 万代/AOS | AOT5N50 | TO-252 | 500V 5A 对标 |
| 新洁能 | NCE50N08 | TO-252 | 500V 8A 间接对标 |
| 士兰微 | SVF5N50D | TO-252 | 500V 5A 对标 |
| 扬杰科技 | YJ50N06 | TO-252 | 500V 6A 对标 |
| 华羿微 | HY05N50A | TO-252 | 500V 5A 对标 |
| 东微半导 | TDM5N50 | TO-252 | 500V 5A 对标 |
| 捷捷微 | JJM5N50 | TO-252 | 500V 5A 对标 |
| 【KIA4750SD/KIA4750SP】500V高压MOS，低内阻高靠得住 |
| 专为开关电源、适配器、充电器打造 |
| 低消耗、低发烧、高效力，持久不变不掉链 |
| TO-252贴片/TO-220直插，矫捷适配各种PCB |
| 产业级品德，国产替换优选，性价比之王 |
| 快规复二极管+低栅电荷，开关机能更超卓 |
| 500V高耐压，9A大电流，知足大功率场景 |
| 开关电源、电源适配器、LED驱动电源 |
| 手机/电动车充电器、SMPS待电机源 |
| 电子镇流器、DC-AC逆变器、UPS电源 |
| 产业节制、家电节制板、各种电源模块 |
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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