KCY2704B 替换入口 40V MOSFET 高性价比计划
信息来历：本站 日期：2026-05-26
160A, 40V 疾速开关功率MOSFET，封装：DFN5*6，品牌：KIA
| 接纳进步前辈SGT工艺手艺 |
| RDS(ON) 典范值1.5mΩ @ VGS=10V |
| 极低栅极电荷，开关机能优良 |
| 供给环保无铅版本可选 |
| 优良的抗dV/dt搅扰才能 |
| 100% ΔVDS测试考证 |
| 100% UIS非钳位理性开关测试 |
| KCY2704B - 40V/160A N沟道疾速开关功率MOSFET（DFN5*6封装） |
| 焦点产物上风 | |
|---|---|
| 进步前辈SGT工艺 | 接纳KIA自研SGT沟槽手艺，完成超低导通电阻与优良开关机能均衡 |
| 超低导通电阻 | RDS(ON)典范值仅1.5mΩ @ VGS=10V，大幅降落导通消耗，晋升体系效力 |
| 超低栅极电荷 | Qg典范值仅63nC，撑持高频开关利用，降落驱动消耗 |
| 高靠得住性设想 | 100% ΔVDS & UIS测试，优良的Cdv/dt按捺才能，适配庞杂工况 |
| 松散封装 | DFN5*6封装，散热机能优良，助力装备小型化设想 |
| 关头电气参数（TA=25℃） | ||
|---|---|---|
| 参数称号 | 参数值 | 单元 |
| 漏源击穿电压 VDS | 40 | V |
| 延续漏极电流 ID (TC=25℃) | 160 | A |
| 延续漏极电流 ID (TC=100℃) | 110 | A |
| 脉冲漏极电流 IDM | 640 | A |
| 导通电阻 RDS(ON) @10V | 1.5（典范）/1.8（最大） | mΩ |
| 栅极电荷 Qg典范值 | 63 | nC |
| 雪崩能量 EAS | 441 | mJ |
| 热阻 RθJC（结到壳） | 1.35 | ℃/W |
|
支流平替产物对标对照
|
||||
|---|---|---|---|---|
| 型号 | 品牌 | 封装 | 焦点参数 | KCY2704B上风 |
| STL160N4F8 | ST（意法半导体） | PowerFLAT 5x6 | 40V/154A, RDS(ON)≈2.1mΩ | 更低RDS(ON)，更高电流品级，本钱上风明显 |
| NCEP40T15AGU | NCE（新洁能） | DFN5X6-8L | 40V/150A, RDS(ON)≈1.5mΩ | 更高脉冲电流（640A vs 600A），更强抗雪崩才能 |
| HYG015N04LS1C2 | HUAYI（华羿微） | PDFN5x6 | 40V/150A, RDS(ON)≈2.0mΩ | 更低导通电阻，更低开关消耗，适配高频场景 |
| JMSL0401BG | JJW（捷捷微） | PDFN5x6-8L | 40V/243A, RDS(ON)≈1.0mΩ | 更高性价比，参数冗余公道，无过分设想 |
| 典范利用处景 | |
|---|---|
| BLDC机电驱动 | 电开东西、产业吸尘器、无人机机电驱动桥，撑持大电流延续输入 |
| DC/DC转换器 | 同步整流电源、办事器电源、车载充电器，高频高效转换 |
| 电池掩护与办理 | 能源电池包掩护板、BMS体系，低消耗大电流途径开关 |
| 负载开关与配电 | 产业电源分派模块、汽车电子负载开关，高靠得住性配电 |
| 快充适配器 | 多口PD快充、氮化镓适配器同步整流管，晋升转换效力 |
| 封装与引脚界说 | |
|---|---|
| 封装情势 | DFN5*6（8引脚，底部散热片设想） |
| 引脚功效 | 引脚4：栅极(Gate) 引脚5/6/7/8：漏极(Drain) 引脚1/2/3：源极(Source) |
| 散热特征 | 底部大面积散热焊盘，RθJC仅1.35℃/W，优良热传导机能 |
| 订购信息 | ||
|---|---|---|
| 型号 | 封装 | 品牌 |
| KCY2704B | DFN5*6 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 靠得住性保证 | |
|---|---|
| 测试规范 | 100% 静态雪崩(UIS)、ΔVDS测试，合适AEC-Q100产业级靠得住性规范 |
| 任务温度规模 | -55℃ ~ +150℃，宽温域适配各种严苛情况 |
| 环保特征 | 无铅、无卤绿色器件，合适RoHS规范，知足环保设想请求 |
| 引脚号 | 功效界说 |
|---|---|
| 4 | 栅极（Gate） |
| 5, 6, 7, 8 | 漏极（Drain） |
| 1, 2, 3 | 源极（Source） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCY2704B | DFN5*6 | KIA |
| 参数 | 标记 | 额外值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源极电压 (VGS=0V) | VDS | 40 | V |
| 栅源极电压 (VDS=0V) | VGS | ±20 | V |
| 延续漏极电流 (TC=25℃) | ID | 160 | A |
| 延续漏极电流 (TC=100℃) | ID | 110 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 640 | A |
| 总功耗 (TC=25℃) | PD | 111.1 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 441 | mJ |
| 结温/存储温度规模 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数 | 标记 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 结到壳热阻 | RθJC | 1.35 | ℃/W |
| 参数 | 标记 | 测试前提 | 最小 | 典范 | 最大 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 40 | - | - | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=40V, VGS=0V, TC=25℃ | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=30A | - | 1.5 | 1.8 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=20A | - | 2.0 | 2.6 | mΩ | ||
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 2.0 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=20V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 3250 | - | pF |
| 输入电容 | Coss | - | 1570 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 60 | - | pF | |
| 守旧提早时候 | Td(on) | VDS=20V, VGS=10V, RG=2.0Ω, ID=30A | - | 17 | - | ns |
| 回升时候 | Tr | - | 9 | - | ns | |
| 关断提早时候 | Td(off) | - | 58 | - | ns | |
| 降落时候 | Tf | - | 30 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=20V, VGS=10V, ID=30A | - | 63 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 8.5 | - | nC | |
| 栅泄电荷 | Qgd | - | 10 | - | nC | |
| 体二极管源泄电流 | ISD | - | - | - | 160 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V, ISD=30A, TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向规复时候 | trr | TJ=25℃, IF=30A, di/dt=100A/μs | - | 53 | - | ns |
| 反向规复电荷 | Qrr | - | 70 | - | nC |
注：以上参数基于原厂datasheet清算，测试前提以文档申明为准。
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜刮微信公家号:“KIA半导体”或扫码存眷官方微信公家号
存眷官方微信公家号：供给 MOS管 手艺撑持
