KNP6140S/KNF6140S 400V 11A 0.53Ω低内阻可替换SPA11N40

信息来历：本站　日期：2026-05-25　

分享到：

KNP6140S/KNF6140S 400V 11A MOSFET 0.53Ω低内阻可替换SPA11N40

0.53Ω低内阻｜15.7nC低栅荷｜365mJ高雪崩｜TO-220/TO-220F双封装

KNP6140S/KNF6140S

KNP6140S / KNF6140S (6140S) N沟道MOSFET 规格参数

品牌：KIA（KMOS Semiconductor） | 封装：KNP6140S=TO-220；KNF6140S=TO-220F | 范例：N-Channel MOSFET

一、产物描写

KNX6140S为N沟道加强型硅栅功率MOSFET，专为高压、高速开关利用设想，如开关稳压器、转换器、电磁阀、机电驱动器、继电器驱动器等场景。

二、产物特征

名目	参数申明
RDS(ON)	0.53Ω(typ.) @ VGS=10V, ID=5A
电流/电压	11A, 400V N沟道MOSFET
栅极电荷	低栅极电荷，典范值15.7nC
开关特征	疾速开关、改良的dv/dt才能
靠得住性	100%雪崩测试，高抗打击性

KNP6140S/KNF6140S 400V 11A N沟道MOSFET

TO-220/TO-220F封装｜低内阻｜疾速开关｜高雪崩才能

产物先容 & 产物先容

KNP6140S/KNF6140S

KNP6140S/KNF6140S是高压加强型N沟道MOSFET，接纳进步前辈立体工艺。

产物具有400V耐压、11A大电流、0.53Ω超低内阻，开关速率快。

内置快规复二极管，100%经由过程雪崩测试，不变性强、寿命更长。

普遍用于开关电源、适配器、机电驱动、电磁阀节制等高压场景。

可间接PIN-PIN替换同规格国际/国产型号，无需改板，性价比更高。

焦点上风

上风名目	产物特色
高压耐压	400V漏源击穿电压，高压场景更宁静
超低内阻	0.53Ω典范导通电阻，发烧更低
疾速开关	低栅极电荷，开关消耗小、效力高
高靠得住性	365mJ雪崩能量，抗打击、防炸管
双封装可选	TO-220/TO-220F，知足绝缘/非绝缘需要

全系列间接平替（可PIN-PIN替换）

品牌	竞品型号	封装	规格
Infineon英飞凌	SPA11N40、FQP11N40	TO-220/F	400V 11A
ON安森美	NTD4960、NTGD11N40	TO-220/F	400V 11A
ST意法	STP11N40、STP11NM40	TO-220/F	400V 11A
VISHAY威世	SIHP11N40、SUP11N40	TO-220	400V 11A
新洁能	NCE40H11、NCE11N40	TO-220/F	400V 11A
扬杰科技	YJQ11N40、40N11	TO-220/F	400V 11A
士兰微	SVF11N40、SVF11N40F	TO-220/F	400V 11A
华润微	CR11N40、CRS11N40	TO-220/F	400V 11A

型号与封装

型号	封装	范例
KNP6140S	TO-220	N沟道MOSFET
KNF6140S	TO-220F	N沟道MOSFET

相对最大额外值（Tc=25℃）

参数	标记	TO-220	TO-220F	单元
漏源电压	VDSS	400	400	V
栅源电压	VGS	±30	±30	V
持续漏极电流	ID	11	11	A
脉冲漏极电流	IDM	44	44	A
单脉冲雪崩能量	EAS	365	365	mJ
耗散功率	PD	194.5	40.2	W
任务温度	TJ	-55~150	-55~150	℃

焦点电气参数（TJ=25℃）

参数	标记	测试前提	数值	单元
漏源击穿电压	BVDS	VGS=0V	400(min)	V
栅极阈值电压	VGS(th)	ID=250μA	2.0~4.0	V
导通电阻	RDS(ON)	VGS=10V,ID=5A	0.53(typ)	Ω
输入电容	Ciss	VDS=25V	980	pF
总栅极电荷	Qg	VDS=320V	15.7	nC
体二极管电压	VSD	IS=11A	≤1.4	V

典范利用处景

开关电源 & AC/DC适配器

机电驱动与电磁阀节制

产业节制与电源模块

LED驱动 & 照明电源

充电器与高压开关装备

注：产物可完整替换上表竞品，机能优良、供货不变、价钱上风较着。

三、引脚界说（TO-220 / TO-220F封装）

引脚号	功效界说
1	Gate（栅极）
2	Drain（漏极）
3	Source（源极）

四、型号与包装信息

型号	封装	品牌
KNP6140S	TO-220	KIA
KNF6140S	TO-220F	KIA

五、相对最大额外值（Tc=25℃）

参数称号	标记	TO-220	TO-220F	单元
漏源电压	VDSS	400	400	V
栅源电压	VGS	±30	±30	V
持续漏极电流(Tc=25℃)	ID	11	11	A
持续漏极电流(Tc=100℃)	ID	6.6	6.6	A
脉冲漏极电流	IDM	44	44	A
反复雪崩能量	EAR	19.50	19.50	mJ
单脉冲雪崩能量	EAS	365	365	mJ
雪崩电流	IAR	11	11	A
二极管规复峰值dv/dt	dv/dt	4.5	4.5	V/ns
耗散功率(Tc=25℃)	PD	194.5	40.2	W
25℃以上降额系数	PD	1.55	0.32	W/℃
任务/存储温度规模	TJ&TSTG	-55~+150	-55~+150	℃
焊接引脚最高温度(5s)	TL	300	300	℃
栅源ESD电压(HBM)	VESD(G-S)	2500	2500	V

六、热特征参数

参数称号	标记	TO-220	TO-220F	单元
结-壳热阻	RθJC	0.65	3.15	℃/W
结-情况热阻	RθJA	62.5	62.5	℃/W
壳-散热器热阻(典范)	RθJS	0.5	-	℃/W

七、电气特征参数（TJ=25℃）

参数称号	标记	测试前提	参数值	单元
关断特征
漏源击穿电压	BVDS	VGS=0V, ID=250μA	400（min）	V
零栅压泄电流 IDSS	IDSS	VDS=400V, VGS=0V	≤1	μA
零栅压泄电流 IDSS	IDSS	VDS=320V, TC=125℃	≤10	μA
栅极泄电流 IGSS	IGSS	VGS=20V, VDS=0V	≤1	nA
栅极泄电流 IGSS	IGSS	VGS=-20V, VDS=0V	≥-1	nA
击穿电压温度系数	ΔBVDS/ΔTJ	ID=250μA, 25℃参考	0.4	V/℃
导通特征
栅极阈值电压	VGS(th)	VDS=VGS, ID=250μA	2.0~4.0	V
导通电阻 RDS(ON)	RDS(ON)	VGS=10V, ID=5A	530(typ)/640(max)	mΩ
正向跨导	gFS	VDS=40V, ID=5A	8（typ）	S
静态特征（f=1.0MHz）
输入电容 Ciss	Ciss	VGS=0V, VDS=25V	980（typ）	pF
输入电容 Coss	Coss	VGS=0V, VDS=25V	140（typ）	pF
反向传输电容 Crss	Crss	VGS=0V, VDS=25V	2.6（typ）	pF
总栅极电荷 Qg	Qg	VDS=320V, ID=11A, VGS=10V	15.7（typ）	nC
栅源电荷 Qgs	Qgs	同上	4.6（typ）	nC
栅泄电荷 Qgd	Qgd	同上	4.5（typ）	nC
开关特征（VDD=200V, ID=11A, RG=20Ω）
守旧提早时候	td(ON)	同上	33.5（typ）	ns
回升时候 trise	trise	同上	31.5（typ）	ns
关断提早时候	td(OFF)	同上	83（typ）	ns
降落时候 tfall	tfall	同上	56（typ）	ns
体二极管特征
体二极管正向电压	VSD	VGS=0V, ISD=11A	≤1.4	V
持续源极电流	IS	-	11（max）	A
脉冲源极电流	ISM	-	44（max）	A
反向规复时候 trr	trr	VGS=0V, IS=11A, diF/dt=100A/μs	430（typ）	ns
反向规复电荷 Qrr	Qrr	同上	3.8（typ）	μC

注：以上参数均来自KIA官方规格书，利用时请以原厂数据手册为准。

接洽体例：邹师长教师

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）

接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KNP6140S/KNF6140S

搜刮微信公家号:“KIA半导体”或扫码存眷官方微信公家号

存眷官方微信公家号：供给 MOS管手艺撑持

KNP4890A/KNF4890A 900V 9A 1.2Ω...　上一条　　【前往】　　下一条　 KCY2704B 替换入口 40V MOSFET 高...

国度高新企业

消息中间

KNP6140S/KNF6140S 400V 11A MOSFET 0.53Ω低内阻可替换SPA11N40