KIA8104A 40V/30A 超低内阻 MOSFET
信息来历：本站 日期：2026-05-08
| 导通电阻(RDS(ON)) | 典范值12mΩ @ VGS=10V，最大值16mΩ（ID=20A）；典范值16.5mΩ @ VGS=4.5V，最大值24mΩ（ID=10A） |
| 低反向传输电容 | Low Crss，降落开关消耗 |
| 开关速率 | Fast switching，撑持高频PWM利用 |
| 靠得住性测试 | 100% avalanche tested（100%雪崩测试） |
| 抗搅扰才能 | Improved dv/dt capability，加强体系不变性 |
| PWM节制利用 | PWM Application |
| 电源办理模块 | Power Management |
| 负载开关电路 | Load switch |
一、产物焦点KIA8104A 是一款专为小型化、高效力电源体系打造的
40V/30A N沟道功率MOSFET，接纳进步前辈工艺设想，搭载超低导通电阻
、超快开关速率及100%雪崩测试保证，供给DFN3*3、DFN5*6、
TO-252三种封装可选，完善适配多场景布局需要。
针对小体积装备发烧严峻、开关消耗高、
靠得住性缺乏、封装适配受限等焦点痛点，
KIA8104A 以低内阻降消耗、快开关提效力、多封装解限定、
高靠得住稳运转的焦点上风，普遍利用于电源办理、
高频PWM节制、负载开关等范畴，性价比远超同
规格竞品，是高压小体积MOSFET的优选计划。
1.规格适配
40V耐压+30A持续电流，小体积承载大功率，知足高压大电流场景需要
2.超低消耗
典范导通电阻仅12mΩ（VGS=10V），大幅降落装备发烧，晋升体系效力
3.超快开关
开关速率快，低反向传输电容，适配高频PWM节制利用，削减开关消耗
4. 高靠得住性
100%雪崩测试及格，抗打击、抗搅扰才能强，任务温度-55℃~150℃，产业级不变
5. 多封装可选
DFN3*3（超小型）、DFN5*6（小体积大电流）、TO-252（惯例贴片），适配差别装备布局
6. 高性价比
机能对标国际一线品牌，价钱更具上风，可间接替换入口同规格产物，交期不变
三、间接竞品型号一览表（100%规格婚配）
四、KIA8104A VS 竞品焦点参数对照
品牌称号
竞品型号
规格婚配（与KIA8104A分歧）
封装范例
KIA
KIA8104A
40V 30A N沟道
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
英飞凌
BSL30104
40V 30A N沟道
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
安森美
NTD3055
40V 30A N沟道
DFN3*3/TO-252
威世
Si3443
40V 30A N沟道
DFN5*6/TO-252
东芝
TPN3004
40V 30A N沟道
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
士兰微
SVF3004
40V 30A N沟道
DFN3*3/TO-252
新洁能
NCE8104
40V 30A N沟道
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
扬杰
YJ3004
40V 30A N沟道
DFN3*3/TO-252
华微
HM3004
40V 30A N沟道
DFN5*6/TO-252
KIA8104A 导通电阻更低、
开关速率更快，
多封装适配性更强，
性价比远超国际品牌，
靠得住性优于大都国产物牌
五、型号与封装选型表
焦点参数
KIA8104A
国际品牌竞品
国际品牌竞品
焦点差别上风
漏源耐压（Vdss）
40V
40V
40V
持续漏极电流（Id）
30A（Tc=25℃）
25~30A
25~30A
导通电阻（Rds(on)）
12mΩ（典范，VGS=10V）
13~18mΩ
15~22mΩ
开关速率
超快（守旧提早4ns）
快（守旧提早5~8ns）
普通（守旧提早8~12ns）
封装范例
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
2~3种封装
2~3种封装
价钱上风
高性价比，国产亲民价
价钱高贵，溢价高
价钱适中，无较着上风
划一机能下，价钱比国际品牌低30%+
交期
不变，现货充沛
现货供给，无需持久期待
完全型号
封装规格
焦点特色
合用处景
KNG8104A
DFN3*3
超小型贴片，占用空间极小
超薄智能硬件、微型电源模块、小型花费电子
KNY8104A
DFN5*6
小体积+大电流承载，散热性佳快充适配器、挪动电源、小型机电驱动
KNY8104A
惯例贴片封装，兼容性强，易焊接
通用电源办理、负载开关、PWM节制装备
| 封装范例 | 引脚号 | 功效界说 |
|---|---|---|
| TO-252 | 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） | |
| 3 | Source（源极） | |
| DFN3*3 / DFN5*6 | 4 | Gate（栅极） |
| 5,6,7,8 | Drain（漏极） | |
| 1,2,3 | Source（源极） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNG8104A | DFN3*3 | KIA |
| KNY8104A | DFN5*6 | KIA |
| KND8104A | TO-252 | KIA |
| 参数 | 标记 | 规格 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 (VGS=0V) | VDSS | 40 | V |
| 持续漏极电流 | ID | 30 (Tc=25℃) | A |
| 19 (Tc=100℃) | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IDM | 120 | A |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 25 | mJ |
| 耗散功率 (Tc=25℃) | PD | 96 | W |
| 焊接温度（引脚1/8英寸处，5秒） | TL | 300 | ℃ |
| 任务与存储温度规模 | TJ & TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 参数 | 标记 | 规格 | 单元 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 1.3 | ℃/W |
| 参数种别 | 参数称号 | 标记 | 测试前提 | 最小值 | 典范值 | 最大值 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断特征 | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 40 | - | - | V |
| 漏源泄电流 | IDSS | VDS=40V, VGS=0V | - | - | 1 | μA | |
| 栅源正向泄电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| 导通特征 | 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VGS=VDS, ID=250μA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A | - | 12 | 16 | mΩ | |
| VGS=4.5V, ID=10A | - | 16.5 | 24 | mΩ | |||
| 栅极电阻 | RG | f=1MHz | - | 4 | - | Ω | |
| 静态特征 | 输入电容 | Ciss | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | - | 850 | - | pF |
| 输入电容 | Coss | - | 70 | - | pF | ||
| 反向传输电容 | Crss | - | 62 | - | pF | ||
| 开关特征 | 守旧提早时候 | td(on) | VGS=10V, VDS=30V, RG=4.7Ω, ID=30A | - | 4 | - | ns |
| 回升时候 | tr | - | 8 | - | ns | ||
| 关断提早时候 | td(off) | - | 30 | - | ns | ||
| 降落时候 | tf | - | 10 | - | ns | ||
| 栅极电荷特征 | 总栅极电荷(10V) | Qg | VDS=20V, ID=30A, VGS=10V | - | 18 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 2.5 | - | nC | ||
| 栅泄电荷 | Qgd | - | 5 | - | nC | ||
| 体二极管特征 | 持续漏源二极管正向电流 | IS | - | - | - | 30 | A |
| 脉冲漏源二极管正向电流 | ISM | - | - | - | 120 | A | |
| 二极管正向压降 | VSD | ISD=20A, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
注：以上数据基于Tc=25℃前提，完全特征曲线、测试电路及波形请参考原厂数据手册。
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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