nce3050k参数代换,50n03场效应管,KIA50N03BD零售-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2026-04-08
漏源电压（Vdss）：30V
持续漏极电流（ld，25C时）：50A
栅源阈值电压（Vgs(th))：3V@250μA
漏源导通电阻（Rds(on)）：11 mΩ@25A,10V
最大功率耗散（Ta=25°℃）：60W
封装范例：接纳TO-252封装，普遍用于开关电源、机电驱动、汽车电子等利用。
原厂优良现货KIA50N03BD可代换nce3050k场效应管利用，漏源击穿电压30V，漏极电流50A，接纳进步前辈的沟槽工艺手艺制作，高密度电池设想，超低导通电阻RDS(开启) 6.5mΩ，最大限制地削减导电消耗；完整表征雪崩电压和电流、低栅电荷、低反应电容、开关速率快和改良的dv/dt才能，高效不变靠得住，在开关电源、电池办理、逆变器、驱动机电中利用表现超卓，封装情势：TO-252。
具体参数：
漏源电压：30V
漏极电流：50A
导通电阻：6.5mΩ
栅源电压：±20V
阈值电压：1.6V
脉冲泄电流：200A
单脉冲雪崩能量：85MJ
功率耗散：60W
阈值电压：1.6v
总栅极电荷：25nC
输入电容：1200PF
输入电容：150PF
反向传输电容：115PF
守旧提早时候：4.6nS
关断提早时候：40nS
回升时候：35ns
降落时候：16ns
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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