5n50mos管,500v5a,KIA5N50SY场效应管参数,原厂现货-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2025-02-26
KIA5N50SY场效应管漏源击穿电压高达500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(开启) 1.35Ω，最大限制地削减导电消耗，高效低耗；坚忍的高压端接、指定雪崩能量、源极到漏极二极管的规复时候可与分立疾速规复二极管相媲美，低电荷、低反向传输电容，开关速率快；二极管的特色是用于桥式电路、低温下划定的IDSS和VDS（on），不变靠得住；封装情势：DFN5*6。
漏源电压：500V
漏极电流：5A
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：15A
单脉冲雪崩能量：80MJ
功率耗散：68W
阈值电压：3.5V
总栅极电荷：12nC
输入电容：525PF
输入电容：50PF
反向传输电容：4PF
守旧提早时候：14nS
关断提早时候：29nS
回升时候：14.5ns
降落时候：12ns
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