mos管米勒平台构成缘由,米勒平台改良-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2025-02-21
mos管米勒平台构成缘由是甚么呢？MOS的三个级之间都存在寄生电容：栅极与源极之间的寄生电容为Cgs，漏极与源极之间的寄生电容为Cds，栅极与漏极之间的寄生电容为Cgd。
输出电容 Ciss = CGS + CGD
当漏源短接时，交换旌旗灯号测得的GS电容即为输出电容。
输出电容充电到阈值电压时，MOSFET开启。
输出电容 Coss = CDS + CGD
输出电容的充放电会发生COSS消耗。
反向传输电容 Crss = CGD
反向传输电容，也称为米勒电容，致使米勒平台。
米勒平台的实质：
当MOSFET从停止区颠末缩小区转到可变电阻区时，对应其守旧进程（反之为关断进程）。在缩小区内，因为米勒效应，跟着Vds降落，CGD电容明显增大。是以，给CGD电容充电的进程致使了米勒平台。
米勒效应的诠释：
抱负缩小器中，电抗变更致使电流增大，等效为电抗变小，输出电抗变小对应于电容的增大(Z=1/jwC)。
米勒平台的风险：使MOS管开启时回升沿时候变长，MOS管发烧增添，消耗加大；（开关消耗增添）。
处理体例
增大驱动功率，eg：利用MOS管公用驱动芯片，利用图腾柱电路。
栅源极之间增添一个电容，增添Cgs，使得MOS管更轻易完整导通。
挑选Cgd小的MOS管：在挑选MOS管时，尽可能挑选Cgd较小的器件，有助于削减米勒平台的影响。
延长驱动旌旗灯号布线长度：削减寄生电感致使的米勒平台震动电压过冲，并挑选适合的栅极驱动电阻。
利用适合的门极驱动电阻：经由过程挑选适合的门极驱动电阻RG来减缓米勒效应的影响。
在GS端并联电容：固然会增添驱动消耗，但能够有用按捺寄生电压，避免米勒平台震动。
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