mosfet 体二极管

体二极管的 N 型 MOSFET

信息来历：本站　日期：2017-05-11　

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MOSFET管的外部机关中，漏栅源三个极之间存在一个固有的寄生二极管，如图9.18所示。体二极管的极性可以或许禁止反向电压颠末MOS管阻T管，其正向电流接管能力和反向额外电压与MOS目T管的标称值不合。它的反向规复时候比通俗的交换电源整流二极管短，比快’规复二极管的长。花费商数据表列出了各类MOSFET管的体二极管的反向规复时候。

体二极管的 N 型 MOSFET 体二极管的 P 型 MOSFET图 9.18 N 型和 P 型 MOS四T 管中的体二极管。

对于 N 沟道 MOSFET 管，二极管禁止负的漏据极间电压，对于 P 沟道 MOSFET 管，二极管禁止正的漏掘极间电压因为在漏源极之间通俗不会施加反向电压（对于 N 型 MOSFET 管，漏极绝对源极其负：对于 P 型 MOSFET 管，漏极绝对源极极性为正），以是这个寄生二极管对大部分开关电源拓扑是不甚么影响的。但有一些状态下也需要 MOSFET 管接管反压，出格是在如图 3.1 和图3.3所示的半桥和全桥拓扑中。不过在这些拓扑中的确都有一个死区时候，这个死区时候是从体二极管导通的时候（储存在变压器漏感中的能量反映到电网时）到它被施加反向电压的时候。死区使正向电流和反向电压之间有提早，以是MOSFET管的二极管较弱的反向规复特征是没甚么影响的。可是，假设一个全新的电路拓扑需要MOS因T管承图9.19当必需许可反向电流流过受反向电压，则必需在漏极串连一个阻断二极管。因为体MOSFET管时，应避免利用体二极管。二极管的存在，马达驱动电路或具备电感负载的电路可以或许为禁止电流流经体二极管（它的反向规复特征不好），要附加阻断二极管DI串连到漏极。将反向规复特征更好会存在题目。高频谐振电路拓扑 C 13 章）凡是要求开关管必需能在接管正向电流今后立即展受反向电压。这时候可以或许利用如的 D2 并联在 DI 阳极和 Ql 源极上图9.19所示的电路。二极管 Dl 禁止正向电流过 MOSFET管中的体二极管，疾速反向规复二极管 D2 为正向电流供给通路。

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